激光自混合多普勒测速法

利用激光自混合技术结合多普勒测速方法,来改进传统多普勒光路的光路复杂等缺陷.自混合技术中,反馈光会引起腔内的输出增益变化.根据激光的增益变化和频率变化成线性关系,可以对信号进行处理求出多普勒频移.用能量重心校正法对多普勒频移校正,进而得到物体的运动速度的模拟计算值.     

统计学在理化检验中的应用：第三讲 平均值,中位值及其不确定度

当对一个量进行测量时,得到一组实验结果,为了表述的方便,将这组结果按由小到大的顺序重新排列,表示成如下形式x_1,x_2,…,x_n(其中:x_1≤x_2≤…≤x_n)以下列出测定某样品中铜含量结果[w(Cu)%]     

正丁醇在N,N-二甲基甲酰胺+水溶液中的体积性质

测定了２９８。１５Ｋ时正丁醇＋Ｎ，Ｎ－二甲诺甲酰胺（ＤＭＦ）＋水三元系的密度求出正丁醇在ＤＭＦ＋水混合溶剂中的表观摩尔体积。观察２到：⑴Φ＾０．Ｅ～ｆｍ与ＶＤＭＦ＾Ｅ～ｆｍ之间存在相似变化关系，其中Φ２＾０．Ｅ为正丁醇的过量无限稀释表观摩尔体积，ＶＥＭＦ＾Ｅ为ＤＭＦ＋水二元系中ＤＭＦ的过量偏摩尔体积，ｆｍ为混合溶剂中ＤＭＦ的摩尔分数。⑵Ｂ１～ｆｍ与０６２１２＾０．Ｅ～ｆｍ之间存的反向变化关系。Ｂ１     

用初等行变换求线性矩阵方程的通解

本文通过建立通解矩阵的概念 ,给出了用初等行变换求线性矩阵方程 Am× n Xn× s=Bm× s的通解的方法 .     

Modulation Spectroscopy of GaAs Covered by InAs Quantum Dots

Contactless electroreflectance has been employed at room temperature to study the Fermi level pinning at undoped-n^ GaAs surfaces covered by 1.6 and 1.8 monolayer (ML) InAs quantum dots (QDs).It is shown that the 1.8 ML InAs QD moves the Fermi level at GaAs surface to the valence band maximum by about 70 meV compared to bare GaAs,whereas 1.6 ML InAs on GaAs does not modify the Fermi level.It is confirmed that the modification of the 1.8 ML InAs deposition on the Fermi Level at GaAs surface is due to the QDs,which are surrounded by some oxidized InAs facets,rather than the wetting layer.     

广义活度与广义活度系数：兼论aa^h=as1^h1as2^h2基本假设

本文提出了广义活度与广义活度系数概念，建立了它们与电解质活系数之间的关系及有关表达式，并据此对ａｓ＾ｋ＝ａｓ１＾ｈ１ａｓ２＾ｋ２基本假设作了理论解释。这对溶剂化作用的研究及有关的理论处理具有重要意义。     

Mechanical Properties of Breast Cancer Cell Membrane Studied with Optical Tweezers

Membrane tethers are extracted from breast cancer cells using a force generated by an optical trap. It is experimentally obtained that the radius of tether is about 0.1μm and the static tether force is about 8.5 pN. Calculations based on the experimental measurements give a bending modulus for the tether of 1.35 x 10^-19 N.m and a surface membrane tension of 6.76 x 10^-6 N/m in the breast cancer cell. The treatment with cytochalasin D results in the decreasing bending modulus and decreasing apparent surface tension. When the membrane protein caveolin is over-expressed, similar cases occur in bending modulus and apparent surface tension. In addition, the viscous resistance coefficient of the membrane is calculated to be 1.15pN.s/μm according to the dynamic tether forces obtained under different pulling velocities.     

钌、铑金属配合物在DNA中介的电子传递与错配碱基识别中的应用

化学家设计合成了一系列能通过插入方式与DNA结合的金属配合物,应用于研究有关以DNA为中介的电子传递,发现碱基对不仅是电子传递的媒介,而且自身能作为电子受体,形成长程氧化损坏.本文总结了近年来该领域的研究进展,同时也介绍了金属配合物对错配碱基识别的研究成果.     

新型薄膜电子材料——氢化非晶硅

 当今最重要的电子材料是半导体单晶硅,用它不但可制做各种二极管、三极管还可将成千上万个元件集成在一个小硅片上.从大型计算机到家用电器、儿童玩具,其核心部分都是用单晶硅做的集成电路.市场上需求多少半导体集成电路已经成为一个国家现代化水平的标志.单晶硅器件技术的发展一方面是不断提高单位芯片上的元件集成度,另一方面是向薄膜器件的新领域开拓.特别是在七十年代分子束外延技术出现以后,制做原子尺度的单晶薄膜已成现实.     

高掺镁铌酸锂晶体的生长及其激光器件性能的研究

本文报道高掺镁铌酸锂晶体的生长，测试了晶体的光学性能－双折射梯度和消光比，晶体的光折变阈值，红外透射光谱和光电导，用高掺镁铌酸锂晶体制做了倍频器和Ｑ开关。研究了它们的性能和应用。