Structure,Electrical,and Optical Properties of Nb-doped BaTiO3 Thin Films Grown by Laser Molecular Beam Epitaxy

Structure,electrical,and optical properties of Nb-doped BaTiO3 (Nb:BTO) thin films on MgO substrates grownby laser molecular beam epitaxy with increasing Nb content were investigated.The Nb:BTO thin films with high crystallinity are epitaxially grown on MgO substrates.With more Nb-doped content,the impurity phases are found in Nb:BTO thin films.Hall measurement at room temperature confirms that the charge carriers of the Nb:BTO thin films are n-type.When the Nb-doped content increases,the carrier concentration and carrier mobility increase.Meanwhile the optical transmittance decreases with the increase of the Nb-doping,and the width of the forbidden band in each group is not affected by the presence of Nb in the samples.Raman spectra show that the structural phase transition may occur with the increase of the Nb-doping content,in the meantime more defects and impurities exist in the Nb:BTO thin films.     

塞曼效应校正光谱背景吸收技术

论述了塞曼效应校正光谱背景吸收技术的物理原理，讨论了仪器结构及工作原理、特点，以及磁场强度对校正背景效果的影响。     

Fluence rate linear response limit of a scintillators to γ-rays

Scintillation detectors based on LSO, CeF and PbWO are the main candidates for measuring γ-rays in a mixed γ/n pulsed radiation field with high intensity. An experiment using the Lissajous figure method to study the high fluence rate response behavior of three kinds of commonly used scintillators is introduced in this paper. The result shows that the fluence rate linear response limit of LSO and CeF is 1.9×10¹⁹ and 2.1×10¹⁸MeV/(cm²·s), respectively, and the PbWO scintillator still maintains linear response when the fluence rate of γ-ray is up to 2.0 × 10²⁰ MeV/(cm²·s).     

自发有序Ga_(0－5)In_(0－5)P合金的静压光致发光研究

在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用ΓＬ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的ΓＬ相互作用势分别为０１９，０１５和０１０ｅＶ．表明在自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金中存在着的沿［１１１］方向的有序是带隙能量降低的主要原因．在样品Ｃ中还观察到了明显的ΓＸ反交叉行为．拟合得到的ΓＸ相互作用势为００１１ｅＶ，比ΓＬ相互作用势小一个数量级．表明在此样品中除［１１１］有序外还存在弱的［００１］有序     

第八届全国半导体物理会议简讯

受中国物理学会的委托,由中国科学院半导体研究所,清华大学和北京大学负责承办的第八届全国半导体物理会议(NCPS-8)于1991年11月5至8日在北京清华大学召开.来自全国 51个单位的 209名代表出席了会议.黄昆、谢希德等著名物理学家也出席了会议. 会议共接受了235篇学术论文,其中大会报告六篇,其余报告,包括19篇邀请报告(分为表面和界面,量子阱和超晶格,低维系统,杂质和缺陷,本体性质,光学性质,输运现象,非晶半导体,新现象和新材料,半导体器件物理10个方面)同时在三个分会场进行.其中量子阱和超晶格,低维系统及异质结构方面的报告占一半以上. …     

棒状LaF3∶Eu3+纳米晶的制备与发光性能

采用一种简单的液相反应法在室温下合成了棒状的LaF3∶Eu3+纳米晶, 对其结构和发光性能进行了表征. XRD分析结果表明, 室温下即可得到结晶良好的六方晶相的LaF3, 灼烧之后样品的衍射峰增强, 没有杂相产生. TEM照片表明, 棒状LaF3∶Eu3+纳米材料的直径为8 nm左右, 长度达到50 nm. 荧光光谱表明, 室温下合成的棒状LaF3∶Eu3+纳米晶的最强发射峰位于589 nm, 对应于Eu3+的5D0-7F1跃迁发射, 说明Eu3+占据LaF3基质中La3+晶格点的C2对称格位上. 同时Eu3+的猝灭摩尔分数为5%, 荧光寿命随着灼烧温度的升高而延长.     

N-多氟烷基取代和葡萄糖基取代的1,2,4-三唑-5-硫酮类席夫碱的合成及其杀虫活性

为改善三唑类化合物的生物活性, 以3-苯基-4-氨基-1,2,4-三唑-5-硫酮为原料, 将其与芳香醛在冰醋酸体系中反应, 得到3-苯基-4-芳基亚甲氨基-1,2,4-三唑-5-硫酮类席夫碱(4a～4i). 在此基础上, 化合物4a～4i分别与多氟烷基碘代烷和溴代乙酰基葡萄糖反应合成了一系列1,2,4-三唑-5-硫酮类席夫碱的多氟烷基取代物5a～5r和葡萄糖基取代物6a～6d, 并用¹H NMR, ¹⁹F NMR, IR和MS谱以及元素分析表征了它们的结构. 初步生物活性测试结果表明, 部分目标化合物具有明显的杀虫活性.     

二苯并噻吩和吲哚在NiMoS/γ-Al2O3上加氢脱硫和加氢脱氮反应的相互影响

在固定床高压微反装置上考察了预硫化型NiMoS/γ-Al2O3催化剂上二苯并噻吩（DBT）加氢脱硫（HDS）反应和吲哚加氢脱氮（HDN）反应之间的相互影响。结果表明,吲哚对DBT的加氢脱硫反应具有抑制作用,其中对加氢路径（HYD）比对氢解路径（DDS）的抑制作用强,温度升高后,吲哚的抑制作用减弱。吲哚对DBT加氢脱硫反应的抑制作用源于吲哚及其HDN反应的中间产物在活性位上的竞争吸附。DBT和原位生成的H2S促进了催化剂表面硫阴离子空穴（CUS）向B酸位的转化,从而提高1,2-二氢吲哚（HIN）分子中C(sp3)—N键的断裂能力,使得吲哚的转化率和产物中邻乙基苯胺（OEA）的相对含量增大。HDN活性相的形成虽然需要硫原子的参与,但是活性相的保持并不需要大量的硫原子,较高含量硫化物存在时加氢活性位减少,不利于脱氮反应。     

弗兰克-赫兹实验的电压控温法

介绍一种提高弗兰克-赫兹实验加热炉温度稳定性的方法——电压控温法,使仪器的测量准确度得到提高．     

基于问题讨论的化学实验复习教学

化学实验是化学教学的重要组成部分,是高考的重要内容,也是高考中学生失分最多的试题。根据高中学生思维及化学实验内容的特点,采用问题讨论的方式,结合动手实验、多媒体教学手段进行复习教学,能够有效突破化学实验复习的重点和难点。