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感应圈次級不能发生火花的原因很多,根据我們連續修好八个感应圈的体会,首先应当对感应圈的构造、原理有足够的了解,尤其是如果对电容器的作用和对它的检查能熟练掌握,便会給检修带来很多方便。因此我们分以下几个步驟来談。一、构造原理图1示出感应圈的线路。 1.低压电路。低压电路包括蓄电池(1),轉向开 相似文献
73.
对FCC柴油在浆态床柴油加氢催化剂SP25上的加氢工艺条件进行了优化,并考察了加氢脱硫(HDS)和加氢脱氮(HDN)动力学。结果表明,提高反应温度、提高反应压力、增加催化剂的加入量、延长反应时间都能提高催化剂的加氢精制活性,最佳的FCC柴油浆态床加氢工艺条件为,温度350℃、压力6MPa、催化剂加入量6%、反应时间2h。催化剂循环使用性能的考察结果表明,SP25催化剂具有良好的活性稳定性。动力学研究结果表明,FCC柴油的加氢脱硫反应过程可以分为两个阶段。第一阶段为较易脱除的苯并噻吩类(BTs)硫化物的加氢脱硫反应,反应活化能为70.00kJ/mol;第二阶段为较难脱除的二苯并噻吩类(DBTs)硫化物的加氢脱硫反应,反应活化能为85.65kJ/mol。FCC柴油HDN反应的活化能为79.91kJ/mol。烷基取代的二苯并噻吩类硫化物(特别是DMDBTs)是加氢精制反应中最难脱除的含杂原子(S或N)烃类化合物。 相似文献
74.
多壁碳纳米管的拉曼散射 总被引:4,自引:1,他引:3
本文报导了用直流碳弧放电方法制备的多层碳纳米管的拉曼光谱。和HOPG相比,由于碳纳米管的量子尺寸效应和碳纳米管直径的分布,在纯化和未纯化的碳纳米管中均存在E2g模的软化,其红移范围分布在2~13cm 1范围内。 相似文献
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77.
NiMoS/γ-Al2O3上二苯并噻吩加氢脱硫和喹啉加氢脱氮反应的相互影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在固定床高压微反装置上,考察了预硫化型NiMoS/γ-Al2O3催化剂上二苯并噻吩(DBT)加氢脱硫(HDS)反应和喹啉加氢脱氮(HDN)反应之间的相互影响.结果表明,喹啉对DBT的HDS反应具有强烈的抑制作用,其中对加氢路径比氢解路径的抑制作用更强,这是由喹啉及其HDN反应的中间产物与DBT在活性位上的竞争吸附造成的.在300和340℃时,喹啉对DBT的HDS反应中氢解路径的抑制程度与其HDN中间产物的相对含量紧密相关.而DBT能够提高喹啉的脱氮能力,这源于其HDS产物H2S.H2S促进了催化剂表面硫阴离子空穴向B酸位的转化,从而提高了喹啉HDN中间产物分子的C(sp3)-N键的断裂能力.HDN活性相的保持不需要过多的硫原子. 相似文献
78.
离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He+ 辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga0.94Mn0.06As 薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga0.94Mn0.06As薄膜的铁磁性, 可以通过He+的辐照来得到改善,其结果是Ga0.94Mn0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多. 当He+辐照流强增加时, 居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了. 被辐照的Ga0.94Mn0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示, He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性, 其结果源于He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿, 而不是He+辐照改变了Ga0.94Mn0.06As薄膜的结构. 相似文献
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利用原子层沉积制备Pt/HZSM催化剂用于乙酰丙酸水相加氢制备戊酸 《燃料化学学报》2017,45(6):714-722
利用原子层沉积(ALD)技术制备出Pt/HZSM-5催化剂,并用于乙酰丙酸(LA)水相加氢制戊酸(VA)。在HZSM-5上沉积五个循环时的5Pt/HZSM-5催化剂,其VA收率高达91.4%,且具有较高的稳定性。研究表明,Pt加氢位点和HZSM-5 酸性位点距离越近越有利于VA的选择性生成。通过延长沉积的扩散时间,ALD可将Pt沉积到HZSM-5的微孔通道中,但对HZSM-5的微孔结构和酸性位点影响较小,这体现出ALD在保护HZSM-5 结构上的优势。随着ALD沉积Pt循环数的增加,Pt纳米颗粒的平均粒径、表面Pt的电子状态、HZSM-5表面酸位点都没有发生明显的变化,分子筛孔道中的Pt比例则逐渐降低,这导致VA生成的TOF降低。同时,也通过浸渍法制备了负载在HZSM-5上的Pt催化剂作为对比,结果表明,浸渍法导致HZSM-5的孔结构受损,形成了更多的微孔,表面酸性位点数目降低,其催化活性、VA 选择性和稳定性都显著低于ALD制备的催化剂。 相似文献
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以锗-二氧化硅(GSO)复合靶作为溅射靶,改变靶上锗与总靶面积比为0%,5%和10%,用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了含锗量不同的三种二氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至900℃不同温度的退火处理.通过对样品所作Raman散射光谱的分析,发现随着锗在溅射靶中面积比的增加,所制备的氧化硅薄膜中纳米锗粒的平均尺寸在增大.确定出随着退火温度由600℃升高到900℃,GSO(5%)样品中纳米锗粒的平均直径由5.4nm增至9.5nm.含纳米锗粒大小不同的二氧化硅薄膜的光致发光谱中都存在位于2.1eV 相似文献