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采用简单的液相法合成了SiO2/LaF3:Eu3+核壳结构发光粒子, 并对其结构及发光性能进行了表征. XRD分析表明包覆层LaF3:Eu3+为立方晶相结构, 红外光谱表明SiO2颗粒表面有柠檬酸的修饰, 电镜照片表明合成了球形的核-壳结构的复合粒子, 包覆层厚度为10~20 nm, 光谱测试表明核-壳复合粒子与纯的LaF3:Eu3+具有相同的发光性能, 均以589 nm附近的5D0—7F1磁偶极跃迁为最强发射峰, 说明Eu3+在LaF3基质中占据的格位相同. 相似文献
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2-苯基-4-硒唑甲酸过渡金属配合物的合成、结构及生物活性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了2-苯基-4-硒唑甲酸配体(HL)和相应的6个过渡金属配合物[ML2(H2O)2](M=Co,Ni,Cu,Cd)1~4,[ZnL2](5),[CuL2(py)2](6).用元素分析、红外光谱、热重分析等表征手段确定了配合物的组成;用单晶X射线衍射测定了配合物3和6的结构;用溴化乙锭荧光探针初步研究了它们与DNA作用的强度和模式;考察了配体和配合物对大肠埃氏杆菌(E.coliJM109)、大肠杆菌(E.coli,DH5α)、表皮葡萄球菌(S.epidermidis)、金黄色葡萄球菌(S.aureus)、鲍曼不动杆菌(baumanii)、草绿色链球菌(S.viridans)6种细菌的抗菌活性及对正常细胞293T和肿瘤细胞RAW264.72的体外增殖抑制作用. 相似文献
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利用透射波函数和由菲涅尔公式求解反射相位差并对其求导的方法,分析了非常偏振光在单轴晶体表面发生的全反射现象,求解出晶体光轴在入射面内时,非常偏振光从各向同性介质入射到晶体和从晶体出射到各向同性介质两种情况的隐失波穿透深度和Goos-Hnchen位移的一般表达式。通过计算机模拟给出了单轴晶体为方解石和水晶情况时的穿透深度和Goos-Hnchen位移图像。结果表明,对于不同的晶体,光轴的取向对穿透深度和Goos-Hnchen位移的影响是明显不同的,若选取合适的晶体、光轴取向和入射角,可以得到较大的隐失波穿透深度和Goos-Hnchen位移。 相似文献
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本文介绍量子点结构的自组织生长方法及量子点的光学性质。着重介绍量子点结构中的声子和拉曼散射的测量结果。此外,也介绍了自组织生长的量子点的形貌结构特性,电子结构和发光特性,电注入式量子点激光器的制备和性能 相似文献
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GaP中N和NNi对等电子陷阱态的压力行为 总被引:2,自引:0,他引:2
半导体中的局域电子态和半导体的能带结构密切相关,揭示局域电子态和能带结构之间的内在关系是当前半导体电子理论的重要方面。而压力光谱实验对研究这种相互关系提供了重要手段。本文对GaP中深、浅两组能级的不同压力行为作了系统的实验研究。实验观察到无论在室温还是在低温,压力小于3.3 GPa时,以N陷阱束缚激子的发光过程为主,大于3.3 GPa时则以自由激子零声子过程为主,并且所有与N有关的陷阱态都具有压力的非线性行为。根据有效质量随压力的变化提出能谷中不同能量态具有不同的压力关系。基于有效质量随压力变化的能带格林函数方法,对N和NNi对的压力系数作了模型计算,其结果和陷阱态的压力行为符合得相当好。证实了带结构,尤其是能谷曲率随压力的变化是决定陷阱态压力行为的主要因素。 相似文献
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