GaAs_(1-x)P_x:N束缚激子的压力行为

本文研究了77K温度下GaAs_(0.15)P_(0.85):N样品的静压光致发光。在P>10kbar时,可清楚地观察到NN_1的发光。同时,观察到压力下N_x带发光猝灭及谱带窄化现象。结果表明,压力效应明显地加强了N_x→NN_1的热助能量转移过程。对N_x能级和NN_1能级的压力行为进行了分析和拟合计算,得到相应能级的压力系数及波函数中各能谷的有关参数。     

SiO2/LaF3:Eu3＋核壳结构发光粒子的制备与表征

采用简单的液相法合成了SiO2/LaF3:Eu3＋核壳结构发光粒子, 并对其结构及发光性能进行了表征. XRD分析表明包覆层LaF3:Eu3＋为立方晶相结构, 红外光谱表明SiO2颗粒表面有柠檬酸的修饰, 电镜照片表明合成了球形的核-壳结构的复合粒子, 包覆层厚度为10～20 nm, 光谱测试表明核-壳复合粒子与纯的LaF3:Eu3＋具有相同的发光性能, 均以589 nm附近的5D0—7F1磁偶极跃迁为最强发射峰, 说明Eu3＋在LaF3基质中占据的格位相同.     

2-苯基-4-硒唑甲酸过渡金属配合物的合成、结构及生物活性研究

合成了2-苯基-4-硒唑甲酸配体(HL)和相应的6个过渡金属配合物[ML2(H2O)2](M=Co,Ni,Cu,Cd)1～4,[ZnL2](5),[CuL2(py)2](6).用元素分析、红外光谱、热重分析等表征手段确定了配合物的组成;用单晶X射线衍射测定了配合物3和6的结构;用溴化乙锭荧光探针初步研究了它们与DNA作用的强度和模式;考察了配体和配合物对大肠埃氏杆菌(E.coliJM109)、大肠杆菌(E.coli,DH5α)、表皮葡萄球菌(S.epidermidis)、金黄色葡萄球菌(S.aureus)、鲍曼不动杆菌(baumanii)、草绿色链球菌(S.viridans)6种细菌的抗菌活性及对正常细胞293T和肿瘤细胞RAW264.72的体外增殖抑制作用.     

非常偏振光在单轴晶体表面的全反射分析

利用透射波函数和由菲涅尔公式求解反射相位差并对其求导的方法,分析了非常偏振光在单轴晶体表面发生的全反射现象,求解出晶体光轴在入射面内时,非常偏振光从各向同性介质入射到晶体和从晶体出射到各向同性介质两种情况的隐失波穿透深度和Goos-Hnchen位移的一般表达式。通过计算机模拟给出了单轴晶体为方解石和水晶情况时的穿透深度和Goos-Hnchen位移图像。结果表明,对于不同的晶体,光轴的取向对穿透深度和Goos-Hnchen位移的影响是明显不同的,若选取合适的晶体、光轴取向和入射角,可以得到较大的隐失波穿透深度和Goos-Hnchen位移。     

自组织生长的量子点结构及其光学特性

本文介绍量子点结构的自组织生长方法及量子点的光学性质。着重介绍量子点结构中的声子和拉曼散射的测量结果。此外，也介绍了自组织生长的量子点的形貌结构特性，电子结构和发光特性，电注入式量子点激光器的制备和性能     

相容剂对氯丁橡胶/天然橡胶并用胶性能的影响

本研究利用氯化丁基橡胶和腰果酚作为氯丁橡胶(CR)/天然橡胶(NR)并用胶的相容剂,将其按照一定比例在混炼过程中加入得到CR/NR混炼胶.CR/NR混炼胶在160℃下根据最佳硫化时间硫化得到并用胶.通过橡胶加工分析仪(RPA)研究发现腰果酚的加入,降低了CR/NR混炼胶的储能模量并且降低正硫化时间,提高了CR/NR混炼...     

GaP中N和NNi对等电子陷阱态的压力行为

 半导体中的局域电子态和半导体的能带结构密切相关，揭示局域电子态和能带结构之间的内在关系是当前半导体电子理论的重要方面。而压力光谱实验对研究这种相互关系提供了重要手段。本文对GaP中深、浅两组能级的不同压力行为作了系统的实验研究。实验观察到无论在室温还是在低温，压力小于3.3 GPa时，以N陷阱束缚激子的发光过程为主，大于3.3 GPa时则以自由激子零声子过程为主，并且所有与N有关的陷阱态都具有压力的非线性行为。根据有效质量随压力的变化提出能谷中不同能量态具有不同的压力关系。基于有效质量随压力变化的能带格林函数方法，对N和NNi对的压力系数作了模型计算，其结果和陷阱态的压力行为符合得相当好。证实了带结构，尤其是能谷曲率随压力的变化是决定陷阱态压力行为的主要因素。     

GaAs中N等电子陷阱的研究

对离子注N的GaAs样品作了77K的静压光致荧光研究。观察到了N陷阱中心元胞势束缚激子N_x的发光光谱及畸变势束缚激子N_T的发光峰。测量N_X能级的压力系数为2.8meV/kbar,常压下N的共振态高于导带边179meV。讨论了N等电子陷阱的电声子耦合强度及有效束缚激子半径随压力的变化关系。 关键词：