淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究

采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角（0°—03°）的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,02°和03°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向相同、分布均匀,明显地看到在0°倾角衬底的n型GaN表面由台阶重构直接导致的台阶朝向随机分布、疏密不匀的形貌.电子背散射分析表明,在0°倾角衬底的n型GaN外延层的应力随外延厚度增加而增加,而02°和03°倾角衬底的n型GaN外延层的应力没有明显的变化.电学和光学特性研究表明,02°和03°倾角衬底的n型GaN有较高的电子浓度和较低的黄光带与近带边强度之比. 关键词： 金属有机物化学淀积 氮化物 原子力显微镜 光致发光     

Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究

采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜，并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析，发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高，说明Delta掺杂可有效抑制缺陷，并对缺陷抑制机理进行了讨论；最后，对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究，结果发现，预通氨对掺杂不益. 关键词： 氮化镓 LEDs MOCVD Delta掺杂     

pH敏感型聚谷氨酸/透明质酸基互穿网络医用水凝胶的制备及表征

生物材料是推动生物医学领域日新月异变化的基石,医用水凝胶作为重要成员,近年来表现出蓬勃发展的态势。文章介绍了一种新型可注射的、以生物相容性方法交联的聚谷氨酸(Poly (γ-glutamic acid), PGA)/透明质酸(Hyaluronic acid, HA)复合水凝胶。研究首先采用EDC/NHS方法合成了酪胺(Tyramine,Ty)接枝聚谷氨酸的PGA-Ty前体大分子及半胱胺(Cysteamine, CA)修饰透明质酸的HA-CA前体大分子。两种前体大分子的结构分别使用核磁和红外进行了确证。得到的两种前体大分子在低浓度双氧水和辣根过氧化物酶(Horseradish Peroxidase, HRP)的共同作用下,于水相中交联得到互穿网络(Interpenetrating Network, IPN)水凝胶。实验对IPN水凝胶样品的系列性能,如平衡含水量、内部形貌、酶降解速率以及力学性能等进行了测试,并选取了盐酸四环素为药物模型对凝胶的体外药物释放行为、体外抗菌效果进行了测评。凝胶材料的细胞毒性及凝胶支架对细胞3D培养的效果证明其生物相容性优异,体外包埋的细胞经72h培养,未表现出明显细胞毒性。系列数据证明,该种水凝胶可以设计成为pH敏感型的药物控释载体材料,并因其良好的生物相容性,也有作为细胞支架、创伤辅料等其它生物医用材料的潜力。     

非侵入式散射介质内多光谱重建

近年来许多方法被提出以实现透过散射介质的聚焦和成像,然而,在非入侵且无波前整形技术的情况下,透过散射介质的目标光谱重建仍极具挑战.提出了一种非侵入式散射介质内多光谱重建的新方法.该方法通过非侵入式的探测手段,利用随机散斑照明隐藏目标,成像光谱仪记录目标的光谱信息和空间信息,并结合非负矩阵分解算法对目标混叠谱进行解析,从...     

变间隙法布里-珀罗干涉仪光程差线性分析

对于变间隙法布里-珀罗(F-P)干涉式成像光谱仪,空间干涉信息是否按光程差等间隔采样,即光程差与探测器像元位置之间是否是线性变化关系,直接决定了光谱数据处理的难易程度.经分析,变间隙法布里-珀罗干涉式光谱成像系统的光程差是干涉仪分光产生的两艾里斑的中心距离的函数,而两艾里斑中心距与探测器像元位置并非一直保持线性关系,与...     

Crystal Structure of 1-Phenyl-1,3-butandione Benzidine Diketoimine

1-Phenyl-1,3-butandione benzidine diketoimine 2a (C32H28N2O2,Mr=472.56) was synthesized in high yield by the reaction of 1-phenyl-1,3-butandione with benzidine in absolute ethanol,and determined by X-ray structure analysis. It crystallizes in the orthorhombic system,space group P21/c with a=7.9839(16),b=12.910(3),c=12.358(3),α=90.00,β=93.71(3),γ= 90.00°,V=1271.1(4)3,Z=2,Dc=1.235 g/cm3,μ=0.077 mm-1,F(000)=500,the final R= 0.0717 and wR=0.1187. It presents a linear centrosymmetric framework constituted by a linkage of benzidine as a bridge and two terminal 1-phenyl-1,3-butanedione moieties.     

α-氨基酸的不对称合成

α氨基酸的不对称合成是合成方法学中的重要组成部分,由此而发展出来的方法成为不对称合成领域中的典范。本文着重从合成方法学角度出发,总结了α－氨基酸不对称合成的最新进展。     

基于模态缩减和模态实验数据的结构连接参数识别方法

利用在结构系统可测自由度上获得的不完备模态参数和子结构的有限元模型，根据模态缩减理论，建立了识别子结构间连接子结构参数的优化模型，采用逐次二次规划法求解，改善了测试噪声和模态截断误差的影响。该方法识别精度高、收敛速度快、计算量小，便于工程应用。     

(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P材料的MOCVD生长温度窗口研究

用来制作光电子器件的(Al0.1Ga0.9)0.5 In0.5P为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630 nm,在其LP-MOCVD (low press-metalorganic chemical vapor deposition)外延生长过程中温度的高低成为影响其质量的关键,找到合适的生长温度窗口很有必要.实验中分别在700℃,680℃,670℃和660℃的条件下生长出作为发光二极管有源区的(Al0.1Ga0.9)0.5 In0.5P多量子阱结构,通过PL谱的测试对比分析,找出最佳生长温度在670℃附近.之后对比各外延片的PL谱、表面形貌,并对反应室的气流场进行了模拟,对各温度下生长状况的原因作出了深入分析.分析得到,高温下In组分的再蒸发会引起晶格失配并导致位错;低温下O杂质的并入会形成大量非辐射复合中心影响晶体质量,因此导致了(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P生长温度窗口较窄,文章最后提出In源有效浓度的提高是解决高温生长的一条有效途径.     

H2载气流量对AlN缓冲层生长的影响

在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚度随着H2流量的增加而增加,即H2流量增加会导致AlN生长速率的提高。原子力显微镜测试表明:随着H2流量的增加,AlN表面粗糙度也呈上升趋势。XRD测试表明:随着AlN生长时的H2流量的增加,GaN的(0002)和(1012)峰值半宽增大,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于AlN缓冲层的表面形貌较差,导致GaN的晶体质量有所下降。实验结果表明:采用较低的H2流量生长AlN缓冲层可以控制AlN的生长速率,在一定程度上有助于提高GaN的晶体质量。