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41.
采用管式炉研究了950~1100 ℃温度区间C2F6的分解特性, 并研究了C2F6的初始浓度、反应温度、停留时间对C2F6分解率的影响. 实验结果表明, C2F6初始浓度越低、温度越高、反应时间越长, C2F6分解率就越高. 同时, 热解反应的反应级数应该介于0和1之间. 在温度为1100 ℃, C2F6初始浓度为223.21 μmol/L, 停留时间为2 s时, C2F6分解率高达90%. 根据Arrhenius方程计算, 在950~1100 ℃, C2F6热分解反应的活化能(Ea)为313.2 kJ/mol, 频率因子(A)为8.8×1011 s-1. 相似文献
42.
43.
本文研究了脉冲激光沉积(PLD)生长过程中, 铝掺量、氧压及衬底温度等实验参数对ZnO:Al(AZO)薄膜生长的影响, 并利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、霍尔效应、光透射光谱等实验手段对其透明导电性能进行了探讨. 变温霍尔效应和光透射测量表明, 当靶材中铝掺量大于0.5 wt%时, 所制备AZO薄膜中铝施主在80 K时已完全电离, 因Bernstein-Moss (BM) 效应其带隙变大, 均为重掺杂简并半导体. 进一步系统研究了氧压和衬底温度对AZO薄膜透明导电性能的影响, 实验发现当氧压为1 Pa, 衬底温度为200 ℃时, AZO 导电性能最好, 其霍尔迁移率为28.8 cm2/V·s, 薄膜电阻率最小可达2.7×10-4 Ω·cm, 且在可见光范围内光透过率超过了85%. 氧压和温度的增加, 都会导致薄膜电阻率变大.
关键词:
脉冲激光沉积法
ZnO:Al薄膜
透光性
导电性 相似文献
45.
用解析法分析了单纤维从聚合物基体中的拔出过程,采用弹性—塑性内聚力模型模拟裂纹的扩展和界面失效,确定了临界纤维埋入长度,该值区分两种不同长度的纤维拔出过程. 在纤维拔出过程,界面经历不同的阶段. 纤维埋长小于临界长度时,界面的脱粘载荷与纤维的埋长成正比;超过临界长度后,界面的脱粘载荷近似为常数. 分析了界面参数对脱粘载荷的影响:增加界面的剪切强度和界面的断裂韧性,或减小界面裂纹萌生位移,均能提高界面的脱粘载荷;界面脱粘后无界面摩擦应力时,拔出载荷—位移曲线的峰值载荷等于界面的脱粘载荷;界面摩擦应力存在时,使峰值载荷大于脱粘载荷,需要较长的纤维埋入长度和较大的界面摩擦应力. 相似文献
46.
金属增材制件在航空航天、核电等高端领域应用日益广泛,及时获取缺陷和微观组织结构信息,对改进制造过程、保证产品质量和相关设备的安全稳定运行具有重要意义。然而,特殊的制造工艺导致金属增材制件内部晶粒粗大,组织各向异性复杂,声波衰减严重,给超声检测带来了很大挑战。该文简要梳理了金属增材制造过程中常见的缺陷类型和成型件微观组织结构特征;从传统水浸式超声检测、相控阵超声检测和激光超声检测3个方面,重点论述了超声检测技术在金属增材制件缺陷检测领域的应用现状;提出基于超声检测技术无损评价金属增材制件微观组织结构和力学性能的原理以及评价模型建立方法,并对相关重难点做了阐述;最后总结了超声无损检测技术在金属增材制件质量评价领域应用中面临的挑战和发展趋势,并对未来应重点关注的研究方向给出建议。 相似文献
47.
黄芩苷-β-环糊精包合物的制备与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用饱和水溶液法制备了黄芩苷-β-环糊精包合物,用DTA,IR和SEM对其形成进行了表征。用正交试验设计确定了最佳反应条件为:m(黄芩苷)∶m(β-环糊精)=1∶3,包合温度65℃,搅拌速度700 r.min-1,搅拌时间1.0 h。 相似文献
48.
综述了杯芳烃衍生物对阴离子识别作用的研究进展。详细介绍了杯芳烃衍生物的化学结构修饰和分子结构以及其通过氢键和静电等作用对卤素、有机酸根、金属酸根等阴离子的识别作用,并对其应用前景进行了展望。 相似文献
49.
针对当前0.40~2.50 μm宽光谱响应成像系统可见光波段颜色信息丢失,全波段只能灰度成像的问题,设计并制备了用于全天时、可见光色彩恢复、短波红外(Short-Wave Infrared,SWIR)多波段成像的滤光片。使用Essential Macleod膜系设计软件,通过三种设计方案进行参数和性能对比,最终采用短波通基础膜系的两级截止带构造蓝光(B)+SWIR、绿光(G)+SWIR、红光(R)+SWIR负滤光片膜系设计,采用长波通基础膜系实现0.42~2.50 μm通带膜系设计。以上四个滤光片的组合选用Ta2O5和SiO2为高低折射率材料在石英玻璃JGS-1基底上制备,经过测量通带的平均透过率均大于93.6%,通带平均透过率之差小于1.6%。最后用制备的滤光片进行拍照和计算,对色彩恢复功能进行验证。测试结果对宽光谱彩色成像技术的进一步研究具有参考价值。 相似文献
50.
隧道再生四有源区大功率半导体激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用隧道再生原理实现半导体激光器在低注入电流下的高光功率输出。通过传输矩阵法对隧道再生四有源区光耦合半导体激光器的模式特性进行了理论分析,指出器件的激射模式应为TE3,且存在最优的内限制层厚度。利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延法生长了内限制层厚度分别为0.3μm、0.5μm和0.7μm的器件。内限制层厚度等于0.5μm的器件的P-I特性最好,腔面未镀膜时,在2 A的注入电流下其光输出功率大于5 W,P/I斜率达2.74 W/A。结果表明,为了得到尽可能高的光输出功率,需要合理地设计隧道再生多有源区激光器的内限制层厚度。 相似文献