p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究

采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓 (p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能，发现当温度低于900℃时，材料的电阻率较高 ；在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外，电导性能除与掺杂浓度有关，还与p- GaN生长条件有关，氮镓摩尔比过低导电性能就较差，过高则会引起表面粗糙.采用优化后的 p-GaN制作了绿光发光二极管器件，发现生长温度越低器件发光强度越高，反向电压也越高 ，但正向电压只是略有升高. 关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体 氮化镓 发光二极管 金属有机物化学气相淀积     

高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究

采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度In_xGa_1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现：在固定Mg掺杂浓度下，随In组分的提高，样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×10¹⁹cm^-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级；通过对Mg掺杂InGaN(InGaN：Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析，解释了InGaN：Mg样品的载流子跃迁机理，并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置. 关键词： Mg掺杂InGaN 高空穴浓度 光致发光 金属有机物化学气相沉积     

Flip-Chip GaN-Based Light-Emitting Diodes with Mesh-Contact Electrodes

GaN-based light-emitting diodes （LEDs） with mesh-contact electrodes have been developed. The p-type ohmic contact layer is composed of oxidized Ni/Au mesh and NiO overlay （20A）. An Ag （3000A） omni-directional reflector covers the p-type contact. The n-type contact is a Ti/AI planar film with a 10-μm-width Ti/AI stripe. The Ti/AI stripe surrounds the centre of LED mesa. With a 20-mA current injection, the light output power of GaN-based LEDs with mesh-contact electrodes is 23% higher than that of the conventional LEDs.     

便携式红外甲烷浓度测试仪的研制

利用红外吸收原理,研制一种测量1．33um波段甲烷浓度的测试仪,该仪器的特点是测量时不受其他气体成份影响,体积小,精度高,采用数字显示,操作简单,适合野外条件下使用。     

红外保护膜性能评估和分析

讨论红外保护膜的作用，分析和介绍保护膜的机械强度以及保护膜的外应力和内应力产生的破坏和影响，并提出了应对措施，探讨保护膜在恶劣环境下的光学性能，指出优化控制膜厚的重要性。     

一种基于光电极值法的光学膜厚监控系统的改进设计

介绍目前通用的基于光电极值法的光学膜厚监控系统的特点，针对其缺点进行改进设计，新系统的稳定性有较大提高，可满足镀制多层介质薄膜器件的要求。     

掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构.对Cp_2Fe流量不同的高阻Ga N特性进行了研究.研究结果表明,Fe杂质在Ga N材料中引入的Fe~(3+/2+)深受主能级能够补偿背景载流子浓度从而实现高阻,Fe杂质在Ga N材料中引入更多起受主作用的刃位错,也在一定程度上补偿了背景载流子浓度.在一定范围内,Ga N材料方块电阻随Cp_2Fe流量增加而增加,Cp_2Fe流量为100 sccm(1 sccm 1mL min)时,方块电阻增加不再明显;另外增加Cp_2Fe流量也会导致材料质量下降,表面更加粗糙.因此,优选Cp_2Fe流量为75 sccm,相应方块电阻高达×10?/,外延了不同掺Fe层厚度的Al Ga N/Ga N HEMT结构,并制备成器件.HEMT器件均具有良好的夹断以及栅控特性,并且增加掺Fe层厚度使得HEMT器件的击穿电压提高了39.3%,同时对器件的转移特性影响较小.     

16S,20S-环氧孕甾-3S-醇乙酸酯的合成及其区域选择性环氧开环取代反应

提供了一种将剑麻皂甙元降解产物孕甾三醇转化为16S,20S-环氧孕甾-3S-醇乙酸酯（4b）的合成方法,并系统地考察了其在不同条件下的环氧开环反应.研究发现16S,20S-环氧孕甾-3S-醇乙酸酯可选择性地被转化为20R-溴代孕甾-3S,16S-二醇二乙酸酯、20R-溴代孕甾-3S,16S-二醇-3-乙酸酯、20R-氯...     

Recent advances in two-dimensional layered and non-layered materials hybrid heterostructures

With the development of Moore's law, the future trend of devices will inevitably be shrinking and integration to further achieve size reduction. The emergence of new two-dimensional non-layered materials (2DNLMs) not only enriches the 2D material family to meet future development, but also stimulates the global enthusiasm for basic research and application technologies in the 2D field. Van der Waals (vdW) heterostructures, in which two-dimensional layered materials (2DLMs) are physically stacked layer by layer, can also occur between 2DLMs and 2DNLMs hybrid heterostructures, providing an alternative platform for nanoelectronics and optoelectronic applications. Here, we outline the recent developments of 2DLMs/2DNLMs hybrid heterostructures, with particular emphasis on major advances in synthetic methods and applications. And the categories and crystal structures of 2DLMs and 2DNLMs are also shown. We highlight some promising applications of the heterostructures in electronics, optoelectronics, and catalysis. Finally, we provide conclusions and future prospects in the 2D materials field.     

外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。