由激光诱导荧光方法探测光碎片分子取向的理论研究

采用密度矩阵方法 ,推导了从激光诱导荧光 (LIF)强度中抽出光碎片取向参数的表达式 .光碎片的取向由分子态多极矩描述 .用于解离母分子和激发碎片分子的激光均为线偏振光 ,而探测荧光为非偏振光 .激光诱导荧光强度是光碎片分子初始态多极矩、线强度因子和解离—激发几何因子的函数 .光碎片的取向参数可以由测量荧光偏振比和计算动力学因子而获得     

Electron scattering from molecule CH4 at 10－5000eV

Electron scattering from molecules in the intermediate-and high-energy range is investigated employing the developed semi-empirical formula for electron scattering from diatomic molecules. Total cross sections of e-CH_{4} scattering are obtained over an incident energy range of 10－5000eV. The results agree well with other available experimental and theoretical data. According to our formula, some quantitative information of single Yukawa potential are also obtained.     

基于组分Ca2Pr2Cu5O10三元固溶区的范围和晶体结构

 利用X射线衍射分析和Rietveld结构精修方法研究了基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀三元固溶区的范围和晶体结构。根据X射线分析结果和相消失法，为了保持Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀结构单位晶胞中恒定的氧含量和电价平衡，基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀的三元固溶区的范围可确定为：在Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀固溶区的富Ca区（Ca/Pr>1），其表达式仍可以表示为一般的化学计量式Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀（x=0.4, 0.2, 0）；在富Pr区（Ca/Pr<1），其表达式为Ca_1.7Pr_2.2·Cu₅O₁₀、Ca_1.4Pr_2.4Cu₅O₁₀，即：Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀固溶区范围从Ca_2.4Pr_1.6Cu₅O₁₀至Ca_1.4Pr_2.4·Cu₅O₁₀。研究表明：基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀的三元固溶体晶体结构可以看作是正交晶系NaCuO₂型亚晶胞的无公度相；Ca_2.4Pr_1.6Cu₅O₁₀亚晶胞的点阵常数为a₀=0.282 46(7) nm，b₀=0.636 93(1) nm，c₀=1.067 94(1) nm；其正交超结构的点阵常数为a=5a₀，b=b₀，c=5c₀。Ca_2.4Pr_1.6Cu₅O₁₀的结构也可以用单斜超晶胞来表述，该单斜超晶胞的空间群为P2₁/c，Z=4，a=5a₀，b=b₀，c=c₀/sin β，β=104.79°或136.60°，V=5a₀b₀c₀。在基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀的三元固溶体晶体结构中，Ca和Pr之间在一定范围内是可以相互替代的，而且它们在结构中的占位是无序的。     

三能级∧-系统探测光的频率调制效应研究

研究了三能级∧-系统探测光的频率调制效应．从经典电子运动方程着手得到介质的极化率；从量子角度出发，应用Bessel函数将频率调制项展开，研究探测光频率调制对系统的影响．适当调节探测光频率和调制系数，得到系统粒子数随时间周期变化的结论．还得到系统处于稳态时探测光对应的极化率．     

量子计算的物理实现

与经典计算相比，量子计算对信息的处理和计算有很大的优越性．在量子计算研究中，其物理实现方法的研究是一个重要部分．文章首先介绍了DiVincenzo关于量子计算的物理实现技术的7个判据，然后简要介绍了目前实现量子计算的10种物理实现方法，包括离子阱、中性原子、光学、超导约瑟夫森结、腔量子电动力学、液体核磁共振、Kane的硅基半导体方案、富勒球、量子点和液氦表面电子，基本上涵盖了目前的量子计算物理实现的进展情况．     

金属圆管内爆轰波相互作用效应的数值模拟

炸药两端同时起爆时金属圆管运动规律的研究，粗略的实验不少，但在数值模拟方面，特别是在对碰部位，或是不能计算出鼓包现象，或是鼓包的计算结果与实验差别较大。文中采用动力学有限元程序，针对大变形带来的网格扭曲造成计算的锁死现象进行了ALE技术处理，对金属圆管内爆轰波的相互作用效应进行数值模拟，给出了爆轰波对碰作用下金属圆管运动规律的计算结果。     

利用环向电场提升等离子体电流以改善约束状态

利用一个小的环向涡旋脉冲电场（４．４Ｖ／ｍ，０．４５ｍｓ）成功地将ＨＴ－６Ｍ托卡马克等离子体电流从第一平顶（５５ｋＡ）提升到６０ｋＡ的第二平顶。其电流上升率大于１２ＭＡ／ｓ，电流上升时间远小于经典趋肤时间，实验中观察到了标志等离子体约束改善的明显物理现象。等离子体电流提升后，粒子约束时间提高了２．１倍，能量约束时间提高了１．６倍。 关键词：     

Fe：BSO晶体的缺陷能级及光折变效应的研究

在硅酸铋（Ｂｉ１２ＳｉＯ２０，ＢＳＯ）晶体中掺入少量Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｆｅ：ＢＳＯ晶体，由于Ｆｅ杂质在ＢＳＯ晶体禁带中造成了一些缺陷能级，使得晶体的衍射效率和四波混频位于共轭反射率等光折变性能指标有较大提高，文中根据吸收光谱，初步确定了晶体中缺陷能级。     

Patterson图的电子计算机分析

本文提供一个用电子计算机自动分析Patterson图的方案,介绍了据此设计的程序,并通过几个典型的例子说明它的实际应用。 关键词：     

纳米晶粒团聚GaN纳米线A1(LO) Raman峰的非对称展宽

氮化镓(GaN)是一种直接带隙Ⅲ～Ⅴ族半导体化合物,具有较宽的禁带宽度(Eg=3.4eV),较高的热稳定性,以及抗辐照等特性[1-4],是制备近紫外和蓝光光电子器件、高速微电子器件的理想材料.制备低维纳米结构,研究其物理性质既是理解低维量子现象的要求,也是未来纳米电子器件发展的需要.近年来,很多小组已经通过不同的方法成功地制备出GaN纳米棒、纳米线等一系列一维材料.这些方法包括碳纳米管辅助的方法[5]、电弧放电的方法[6]、激光刻蚀的方法[7]、升华法[8]、高温分解法以及化学气相沉积(CVD)[9-15].其中CVD方法以其制备过程简单,制备材料晶…