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应用同步辐射Eextended X-ray Ab sorption Fine S tructure(EXAFS)技术研究固态法制备的KHMoY分子筛的氧化态和硫化态样品以及硫化态KHY/MoO3样品中钼组分的局域配位环境结构,并与KHMoY和KHY/MoO3 样品催化加氢活性结果进行对照。结果表明,随原子比(K+2Mo)/Al的变化,钼原子周围的配位环境有显著的差异。当(K+2Mo)/Al时,KHMoY和KHY/MoO3硫化后,钼组分主要以MoS2小原子簇分散在分子筛超笼中;(K+2Mo)/Al>1时,钼组分则有两种存在环境,即分子筛超笼中的和分子筛外表的钼组分。分子筛超笼中的Mo S2原子簇的催化加氢合成醇选择性较高;分子筛外表面的MoS2微小颗粒的尺寸相对于超笼中的要大许多,其合成醇选择 性较低。 相似文献
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Formation mechanism of Ge nanocrystals embedded in SiO2 studied by fluorescence x-ray absorption fine structure 下载免费PDF全文
This paper reports that the Ge nanocrystals embedded in SiO2 matrix are grown on Si(100) and quartz-glass substrates, and the formation mechanism is systematically studied by using fluorescence x-ray absorption fine structure (XAFS). It is found that the formation of Ge nanocrystals strongly depends on the properties of substrate materials. In the as-prepared samples with Ge molar content of 60%, Ge atoms exist in amorphous Ge (about 36%) and GeO2 (about 24%) phases. At the annealing temperature of 1073 K, on the quartz-glass substrate Ge nanocrystals are generated from crystallization of amorphous Ge, rather than from the direct decomposition of GeO2 in the as-deposited sample. However, on the Si(100) substrate, the Ge nanocrystals are generated partly from crystallization of amorphous Ge, and partly from GeO2 phases through the permutation reaction with Si substrate. Quantitative analysis reveals that about 10% of GeO2 in the as-prepared sample are permuted with Si wafer to form Ge nanocrystals. 相似文献
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利用掠入射荧光X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了在400℃的温度下分子束外延生长的Si/Gen/Si(001)异质结薄膜(n=1,2,4和8个原子层)中Ge原子的局域环境结构.结果表明,在1至2个Ge原子层(ML)生长厚度的异质结薄膜中,Ge原子的第一近邻配位主要是Si原子.随着Ge原子层厚度增加到4ML,Ge原子的最近邻配位壳层中的Ge-Ge配位的平均配位数增加到1.3.当Ge原子层厚度增加到8ML时,第一配位壳层中的Ge-Ge配位占的比例只有55%.这表明在400℃的生长条件下,Ge原子有很强的迁移到Si覆盖层的能力.随着Ge层厚度从1 增加到2,4和8ML,Ge原子迁移到Si覆盖层的量由0.5ML分别增加到1.5,2.0和3.0ML.认为在覆盖Si过程中Ge原子的迁移主要是通过产生Ge原子表面偏析来降低表面能和Ge层的应变能.
关键词:
XAFS
n/Si(001)异质膜')" href="#">Si/Gen/Si(001)异质膜
迁移效应 相似文献
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利用掠入射荧光X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了在400℃的温度下分子束外延生长的Si/Gen/Si(001)异质结薄膜(n=1,2,4和8个原子层)中Ge原子的局域环境结构.结果表明,在1至2个Ge原子层(ML)生长厚度的异质结薄膜中,Ge原子的第一近邻配位主要是Si原子.随着Ge原子层厚度增加到4 ML,Ge原子的最近邻配位壳层中的Ge-Ge配位的平均配位数增加到1.3.当Ge原子层厚度增加到8 ML时,第一配位壳层中的Ge-Ge配位占的比例只有55%.这表明在400℃的生长条件下,Ge原子有很强的迁移到Si覆盖层的能力.随着Ge层厚度从1增加到2,4和8 ML,Ge原子迁移到Si覆盖层的量由0.5 ML分别增加到1.5,2.0和3.0 ML.认为在覆盖Si过程中Ge原子的迁移主要是通过产生Ge原子表面偏析来降低表面能和Ge层的应变能. 相似文献
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在超高真空设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC两个极性面(0001)和(000 1 - )面(即Si面和C面)外延石墨烯(EG). 利用低能电子衍射(LEED)和同步辐射光电子能谱(SRPES)对样品的生长过程进行了原位研究,而后利用激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等实验技术对制备的样品进行了表征. 结果表明我们在两种极性面均制备出了质量较好的石墨烯样品. 而有关两种石墨烯的对比性研究发现:Si面EG呈同一取向而C面EG呈各向异性;Si面EG与衬底存在类似
关键词:
石墨烯
6H-SiC
同步辐射
电子结构 相似文献
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