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121.
地壳和上地幔中存在的电性各向异性是地电模型、地下结构和构造模型间一个重要的联系因素. 近年来, 它引起了广泛的关注, 推动了对电性各向异性结构模型和反演理论新方法的研究. 本文在Marquardt反演理论的基础上, 引入权因子对其改进后用于大地电磁视电阻率和阻抗相位联合反演, 通过具体算例的分析, 验证了理论的正确性; 此外, 对西北某地大地电磁实测资料处理解释, 说明了程序的实用性并为今后研究深部电性构造提供了一种新的方法和途径. 相似文献
122.
以霍尔元件测量磁场为例,介绍了用Excel软件对实验数据进行分析处理的一般过程.结果表明利用Excel处理物理实验数据能大大减轻学生繁杂的数据计算及处理步骤,有效避免了手工处理所带来的误差,并且能满足一般的实验作图要求,适宜在大学物理实验数据处理方面推广应用. 相似文献
123.
124.
Inversion formula and Parseval theorem for complex continuous wavelet transforms studied by entangled state representation
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In a preceding letter (2007 Opt.Lett.32 554) we propose complex continuous wavelet transforms and found Laguerre-Gaussian mother wavelets family.In this work we present the inversion formula and Parseval theorem for complex continuous wavelet transform by virtue of the entangled state representation,which makes the complex continuous wavelet transform theory complete.A new orthogonal property of mother wavelet in parameter space is revealed. 相似文献
125.
PCR技术检测海运船舶压载水病原弧菌初探 总被引:1,自引:0,他引:1
船舶压载水引起的外来物种入侵,及由此引发的经济、环境和卫生等方面的灾害性后果,已成为当前世界海洋所面临的最大威胁之一.弧菌作为一种广泛存在于海洋环境的病原微生物,其数量已成为船舶压载水是否可以排放的一项指标.本文采用PCR扩增病原弧菌特征基因技术,结合弧菌相关16S rRNA基因文库,初步探讨压载水中病原弧菌快速检测技术.从采集自舟山远洋船舶压载水水样S1中,检测到hlyA和vvh基因,表明样品中含有霍乱弧菌(Vibrio cholerae)和创伤弧菌(V.vulnificus)的毒力基因.文库序列分析结果显示,重组克隆子中部分序列与副溶血弧菌(V.parahaemolyticus)和费氏弧菌(V.fischeri)相似性较高.研究结果表明,压载水样品S1中含有多种对人和动植物有害的病原弧菌,对海洋生态平衡、公共卫生安全和海洋养殖业具有潜在危害. 相似文献
126.
127.
128.
利用相关函数(CF)-超球谐(HH)-广义Laguerre(GLF)方法直接求解类氦离子n1,3P(n=1,2,3)低躺激发态的Schrodinger方程,得氦原子的本征能量分别为-2.13317Eh (13P),-2.12383Eh(11P),-2.05810Eh(23P),-2.05516Eh(21P),-2.03235Eh(33P)和-2.03109Eh(31P),它们与文献值在........第6位上很好地吻合。这说明CFHHGLF方法也适用于类氦离子1,3P激发态。还给出了总角动量L=1的对称超球谐基函数和有关矩阵元的解析式。 相似文献
129.
130.
Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation
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The hardening of the buried oxide (BOX) layer of separation by implanted
oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers against total-dose irradiation
was investigated by implanting ions into the BOX layers. The tolerance to
total-dose irradiation of the BOX layers was characterized by the
comparison of the transfer
characteristics of SOI NMOS transistors before and after irradiation to
a total dose of 2.7
Mrad(SiO2. The experimental results show that the implantation of
silicon ions into the BOX layer can improve the tolerance of the BOX layers
to total-dose irradiation. The investigation of the mechanism of the
improvement suggests that the deep electron traps introduced by silicon
implantation play an important role in the remarkable improvement in
radiation hardness of SIMOX SOI wafers. 相似文献