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41.
氧亲和力是血红蛋白氧载体非常重要的参数之一,但其高低还没有统一的认识,有一种理论认为低氧亲和力是造成高血压的原因。为了进一步研究氧亲和力与血压之间的关系,本文制备了两种低氧亲和力的血红蛋白氧载体。用高碘酸钠氧化棉子糖(高碘酸钠:棉籽糖=6:1,摩尔比),得到氧化均一的开环棉子糖;以其作为交联剂聚合脱氧猪血红蛋白,在聚合1 h得到了低氧亲和力(P50 = 43.1 torr)主要为分子内交联的64 kDa的血红蛋白,在聚合2 4 h得到了低氧亲和力(P50 = 51.5 torr)平均分子量为600 kDa的聚合血红蛋白;分别进行大鼠50%等容量换血实验,前者显著引起血压升高而后者血压平稳,证实高血压主要和64 kDa血红蛋白有关,低氧亲和力不是造成高血压的主要原因。 相似文献
42.
我国海域辽阔,各类船只的水上航行和作业安全密切关系到生命和财产的安全,需要可靠保障。由于海上险情发生的随机性和突发性,岸上险情监视力量必须全时、全天候地开设险情通信通道,接收海上遇险对象的遇险呼救信号并及时对遇险信息进行处理。因此,岸基必须建设遇险救生信息系统并规定必要的信息传输流程,保障险情报知通信的顺利完成。文章简要分析了目前海上救生的通信现状,对常用通信手段进行了分析与介绍,并提出了一种整合各通信手段的设计方法,实现了多种通信手段的综合使用以及统一调度,大幅提升险情信息的传输和处理效率,提高险情信息的保密性,为救援工作提供了精确可靠的问责手段。 相似文献
43.
为了实现长周期光栅透射谱测量模式的远距离监测,设计了单端面镀反射膜的测量装置系统,对单端面镀银膜长周期光栅的传感原理做了分析,并从实验的角度分别对单端面镀银膜模式系统和直接透射模式系统的长周期光栅在不同折射率的环境介质中的响应进行了研究,比较了它们的异同。首先,采用2×2单模光纤耦合器分别连接光谱分析仪、光源、长周期光栅。然后,在包含长周期光栅的光纤的另一个端面制备反射银膜。最后,通过测量一系列不同折射率的环境介质,比较了直接透射模式与单端面镀银膜模式下的长周期光栅的响应光谱。实验结果表明:采用波长解调表达时,对于同一种环境介质,两种模式下长周期光栅的响应光谱的谐振波长基本相同;采用功率/峰值解调表达时,随着甘油浓度从水变为80%的甘油溶液,直接透射模式下的光损耗从-6.05 d B变为-9.22 d B,单端面镀银膜模式下的光损耗从-8.03 d B变为-11.33d B。与直接透射模式相比,单端面镀银膜的长周期光栅光谱中的相对光损耗明显增加,谐振峰更尖锐,更有利于谐振波长和谐振峰光损耗值的识别。本研究设计的单端面镀银膜的长周期光栅测量系统不仅保留了长周期光栅透射谱的感应模式,而且使长周期光栅在对环境介质的测量中操作更加灵活方便,尤其是在远距离、恶劣环境或深层液体的折射率测量中具有独特的优势。 相似文献
44.
采用后合成修饰(PSM)技术将水杨醛锚装到UMCM-1-NH2上, 得到席夫碱功能化的多孔金属-有机骨架化合物UMCM-1-NH-Sal, 在该化合物孔道内的席夫碱N、 O原子上螯合铜离子得到UMCM-1-NH-Sal-Cu催化剂, 并用核磁共振氢谱(1H NMR)、 X 射线衍射(PXRD)、 热重分析(TG)、 N2 吸附-脱附等手段对催化剂进行了表征, 将其用于催化有机胺和环氧化物的开环反应制备β-氨基醇, 结果表明该催化剂具有良好的催化效果. 相似文献
45.
以常见的有机磷农药对硫磷和甲基对硫磷为对象,采用量子化学半经验方法AM1优化它们的基态构型,然后采用单激发组态相互作用CIS方法将基态构型优化为激发态构型。在此基础上,采用含时密度泛函TD-DTF,在B3LYP/6-31+G(d)水平下,分别计算了它们基态构型的吸收光谱和激发态构型的荧光发射光谱。优化完成后的基态构型经振动分析,均未出现虚频率,说明得到的构型基本合理。比较优化完成后的基态和激发态的构型推测了光谱产生的机理,光谱的理论值与使用英国Edinburgh FLS920P光谱仪测得的实验值基本吻合,说明了推测的合理性。以上研究为农药的光谱检测提供了一定的理论支持。 相似文献
46.
47.
The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode A1GaN/GaN high-electron-mobility transistors 下载免费PDF全文
The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron- mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by^60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode A1GaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated. 相似文献
48.
The effects of <sup>60</sup>Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors 下载免费PDF全文
The effects of 60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron-mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by 60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode AlGaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated. 相似文献
49.
Inequalities of the electron density at the nucleus and radial expectation values of the ground state for the lithium isoelectronic sequence 下载免费PDF全文
The electron density at the nucleus, ρ(0), and the radial expectation values, (-2≤n≤10), of the ground state for the lithium isoelectronic sequence are calculated with a full core plus correlation (FCPC) wavefunctions. By using these obtained expectation values, the accurate inequalities of the electron density at the nucleus and the radial expectation values derived by Gálvez and Porras for these systems are examined and verified. The final results show that FCPC wavefunctions used in this work can give satisfactory results in full configuration space. 相似文献
50.