可见光波在天然金属基界面正负折射机理的研究和进展

Snell定律揭示了光在穿越不同介质界面时的传播和折射规律,这是现代物理光学的重要基础。追求完美光学透镜的途径之一是寻找正负折射率匹配材料,但在相当长时期内,在自然界中从未发现有违背Snell定律的天然负折射率材料存在。在本研究工作中制备了一系列入射角精确可控的楔形贵金属金和银等样品,采用不同波长的激光,对于光在最简单的天然贵金属界面传播时所发生的由负到正折射特性变化进行了定量实验测量,获得表观折射率随入射和折射角变化的定量关系。对于导致奇异光折射现象的各种争议性机理进行了细致探索和讨论,这与等离子体、负磁导率和Goos-Hanchen等效应无关。研究结果将有助于人们理解光在金属基微结构中发生正负折射传播的物理机理,从而为新型微纳光电子材料和器件的研制和应用建立基础。     

Pt97.4Mn2.6/Co多层膜的磁性与磁光性质研究

用磁控溅射法制备了Mn含量一定、不同PtMn层厚度的Pt97.4Mn2.6/Co磁性多层膜系列,通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析;测定了不同PtMn层厚度系列样品的磁滞回线、有效垂直各向异性,分析了饱和磁化强度和有效垂直各向异性变化的原因;通过测定该多层膜体系的克尔谱,分析了一定波长下克尔角随PtMn层厚度变化的规律.认为克尔角的变化是由于界面的合金化以及原子的极化减小所致.     

硅离子注入层的电场调制反射光谱

结合剥层技术,对略高于临界剂量的P⁺注入p-Si层,进行了电解液电场调制反射(以下简称EER)光谱研究,对非均匀的结构无序材料的光学测量,提出采用“特效波长”的建议,硅的这一波长是E₁,E₁+△₁能区的349O?(hω≈3.55eV),c-Si和α-Si对3490?光波的吸收系数均等于10⁶cm^-1,将((△R)/R)_3.55ev按深度x的分布同无序度的 关键词：     

Sb吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究

利用形式散射的格林函数方法,研究了Sb在InP(110)表面单层吸附时的电子性质．分别计算了清洁的InP(110)弛豫表面和InP(110)-Sb(1ML)体系的表面态的性质,指出了表面态和表面共振态产生的原因．所得结果与实验相符. 关键词：     

贵金属Ag中光学和磁光性质的研究实验

关键词：     

CoxAg1-x纳米颗粒膜的磁光Kerr效应

通过离子束溅射制备了CoxAg1-x纳米颗粒膜系列样品,并分别在100,250,400,500℃下进行了退火.利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量.结果发现:对Co含量较低的样品,随着退火温度的升高,磁光Kerr效应增强,并且在Ag的等离子振荡边附近出现了强的共振峰;峰的位置发生红移.通过数据计算分析,这种共振磁光Kerr效应的增强是由于Ag陡峭的等离子振荡边作用结果.     

Accurate analysis of ellipsometric data for thick transparent films

Using e-beam evaporation, the ellipsometric parameters of thick transparent films are studied with the modified analysis method for the SiO 2 film samples deposited onto the Si substrate. The ellipsometric parameters are measured at the incidence angles changing from 50 to 70 and in the 3–4.5 eV photon energy range. The error in the conventional method can be significantly reduced by the modified ellipsometric method considering the spatial effect to show good agreement between the theoretical and experimental results. The new method presented in this letter can be applied to other optical measurement of the periodic or non-periodic film structures.     

PtMn/Co多层薄膜结构及磁光克尔效应的研究

用磁控溅射法制备了不同Mn含量的PtMn/Co多层膜,通过大,小角X射线衍射谱对该多层膜进行结构分析,研究了该多层膜的层状结构同磁光克尔效应的关系,通过测定该多层膜在不同杂质浓度下的克尔谱,椭偏率谱及克尔回线,发现克尔角随Mn含量增加的变化规律,并分析了它的产生机制。     

微波放电法生长GaS薄膜的性质

报道了微波放电法在GaAs表面与Al金属片上生长GaS薄膜．用俄歇电子能谱（AES）和卢瑟福背散射能谱（RBS）分析了薄膜的成分，X射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的GaS薄膜是属于六方晶系的多晶材料．此外，用椭圆偏振光谱测定了GaS薄膜的折射率以及由金属/绝缘体/金属（MIM）结构的电容值得到GaS薄膜的介电常数 关键词：     

Nitrogen and Silicon Co-Doping of Ge2Sb2Te5 Thin Films for Improving Phase Change Memory Performance

Electrical properties and phase structures of （Si＋N）-codoped Oe2Sb2Te5 （GST） for phase change memory are investigated to improve the memory performance. Compared to the films with N or Si dopants only in previous reports, the （Si＋N）-doped GST has a remarkable improvement of crystalline resistivity of about 104mΩcm. The Fourier-transform infrared spectroscopy spectrum reveals the Si-N bonds formation in the film. X-ray diffraction patterns show that the grain size is reduced due to the crystallization inhibition of the amorphous GST by SiNx, which results in higher crystalline resistivity. This is very useful to reduce writing current for phase change memory applications.