YBCO涂层导体用Ni5W基带的制备和立方织构的发展

为了制作能满足YBCO涂层导体(coated conductor)所需要的高强度、低磁性的立方织构基带,本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at%W合金基带.为评估基带中立方织构的发展,用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究,结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致.研究结果表明,在实验中所用的工艺参数范围内,随总加工率和热处理温度的提高,基带中立方织构百分数明显增高.提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量.实验中得到了较好的和实用的工艺制度,用这种工艺可以制作出具有99%～100%立方织构百分数,并具有很好一致取向度的Ni5W基带.     

基于CBE理论的无机及分析化学实验教学模式探索

基于CBE(competency based education)理论,对无机及分析化学实验教学模式进行了初步的探索。根据企业对岗位职业能力的需求设定人才培养目标,开发实验项目,探索"自学—分享—指导"的教学方法,改革实验评价方法,增强学生学习的兴趣和能力,提升学生的职业能力。     

任意四边形Reissner—Mindlin板元

提出一种任意四边形Ｒｅｉｓｓｎｅｒ－Ｍｉｎｄｌｉｎ板元，挠度和转角均采用分片双线性函数。但剪切应变用它的线性扦值所代替，当板厚趋于零时这对应于Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ条件，因而避免了Ｌｏｃｋｉｎｇ现象。给出数值结果表明该单元的有效性。     

基于铁催化的C-H键活化构建C-C键的研究进展

过渡金属催化的C-H键活化及在此基础上的C-C键形成的反应因其高原子经济性和高效的合成效率而备受人们的关注.铁元素具有含量丰富、廉价、易得、环境友好等优点,在催化反应中得到了越来越广泛的应用.近几年来,人们关于Fe催化的C-H键活化构建C-C键反应的研究也取得了一定的进展.本文对铁催化的C-H键活化构建C-C键的最新研究进展作了综述,并且按照铁催化剂的不同价态进行了分类归纳,也对催化机理进行了阐述与总结.     

各向异性网格下特征值问题的有限元分析

主要目的是在各向异性网格下研究二阶椭圆特征值问题的两类非协调有限元—类Wilson矩形元和Carey三角形元—的收敛性分析.通过新的技巧和方法,得到了与传统有限元网格剖分下相同的特征对的最优误差估计.推广了已有的结果.     

扫描电化学显微技术

本文着重介绍了扫描电化学显微技术（ＳＥＣＭ）的工作原理，仪器构造和测量方法，简要地评述了ＳＥＣＭ在电化学研究及表面微加工等方面的应有及发展前景。     

京杭运河(杭州段)旅游资源及其旅游功能开发研究

从分析运河杭州段旅游资源的空间分布特征入手，对其旅游开发条件进行了评价，揭示了杭州城市旅游业发展与运河间的相互关系，提出运河杭州段旅游开发的功能定位与形象策划，并对运河各区段的旅游开发方向提出了建设的性的总体构想。     

纳米粒子与单晶硅表面碰撞的反弹机理研究

应用分子动力学方法模拟了纳米粒子与单晶硅(001)表面碰撞、反弹飞离的现象，分析了粒子的反弹行为、基体弹性形变和塑性形变的原子构型特征，以及碰撞过程的能量转化.碰撞后单晶硅表面形成半球形的小坑，小坑周围的基体原子呈非晶态.碰撞过程中与颗粒相邻的基体原子立即非晶化，在非晶层外面基体以可恢复的(111)［110］滑移结构存储弹性形变能.在射入过程，基体发生压缩弹性形变；颗粒反弹时基体势能振荡下降,交替形成压缩形变构型和拉伸形变构型.射入过程中存贮的压缩弹性形变能的释放为颗粒提供了反弹、飞离的能量. 关键词： 碰撞 纳米粒子 单晶硅表面 分子动力学模拟     

Si3N4陶瓷的连接研究进展

在系统介绍陶瓷与陶瓷、金属的连接方法基础上 ,重点评述了Ｓｉ3Ｎ4 陶瓷的直接钎焊法和Ｓｉ3Ｎ4 陶瓷的间接钎焊法的连接工艺进展及其存在的问题和解决的措施 ,同时对目前研究较少的Ｓｉ3Ｎ4 陶瓷的玻璃焊法也进行了评述 ,并简介了Ｓｉ3Ｎ3陶瓷固相压力扩散焊法。Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ,ａｓｙｓｔｅｍａｔｉｃｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎｏｆｊｏｉｎｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓｏｆｃｅｒａｍｉｃｔｏｉｔｓｅｌｆａｎｄｗｉｔｈｍｅｔａｌ,ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＳｉ3Ｎ3ｃｅｒａｍｉｃｄｉｒｅｃｔｂｒａ…