氧化锌单晶的水热生长与结晶习性

本文应用水热生长法,采用双温区高压反应釜,黄金内衬(φ35mm ×2mm),碱性溶液矿化剂,生长出了毫米级的透明氧化锌单晶,最大单晶可达2mm ×3mm ×6mm.所生长氧化锌晶体为纤锌矿型的六方晶体,晶体呈上部锥形的六棱柱体,{10(1-)1}、{10(1-)0}和{000(1-)}面有较大的显露平面.本文中从温差和填充度方面研究了实验条件对ZnO晶体的生长及其形貌的影响,使用黄金内衬前后的结果表明,用贵金属内衬可以有效阻止釜内壁杂质的进入,使晶体完整透明.     

耐辐射优质石英晶体的生长

在水热条件下,我们利用三次再结晶的方法,生长了耐辐射优质石英晶体。随着再结晶次数的增加,晶体中的杂质浓度和缺陷浓度明显降低,晶体的耐辐射性能明显提高。     

Ce:KNSBN光折变类光纤简并四波混频特性研究

研究了Ce:KNSBN光折变类光纤在泵浦光和信号光夹角分别为小角度和大角度两种情况下简并四波混频的基本特性.当夹角较大时,在光折变类光纤内部形成了两个四波混频作用区域,获得了比小角度情况提高4倍的大相位共轭反射率.给出了Ce:KNSBN光折变类光纤中,在入射夹角分别为小角度和大角度两种情况下,相位共轭光反射率分别随信号光光强、两束泵浦光光强比变化的实验结果,并用理论公式进行了拟合,理论分析和实验结果相符.还研究了Ce:KNSBN光折变类光纤四波混频光栅模式和相位共轭光时间响应特性.光折变类光纤的相位共轭响应时间较快,可为秒量级.     

SBN晶体中Eu~(3 )激发态的能量传递

通过选择激发SBN晶体中处于不同晶场位的Eu~(3 )离子,得到~5D_0→~7F_1的时间分辨荧光光谱,确定了不等价晶场位的离子间的能量转移速率。荧光峰随激发波数的变化表明局部晶场的连续畸变。     

掺Er3+的NaY(WO4)2晶体的光谱特性

测量了Er:NaY(WO4)2晶体的吸收光谱、激发光谱、发射光谱以及上转换发光,并对测量的结果进行了详细分析,得出了Er:NaY(WO4)2晶体的光学特性.解释了离子间的能级跃迁过程 关键词： Er:NaY(WO4)2晶体 Er3+ 吸收光谱 激发光谱 发射光谱 上转换     

氧化锌掺钡的电子结构及其铁电性能研究

运用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了不同原子百分比含量的Ba掺杂Zn0半导体体材料超晶胞的能带结构、电子态密度、极化率和相对介电值.计算结果表明:Ba掺杂的Zn0体系为直接带隙半导体材料,其禁带宽度随着Ba原子掺杂百分比的增加呈现出逐渐增大的趋势.体系铁电性能的计算表明:与纯Zn0相比,Zn0掺入Ba原子后的极化率与相对介电值发生了较为明显的变化,其极化率随着Ba原子掺杂百分比的增加而增大,相对介电值随着Ba原子掺杂百分比的增加而减小.对角化后的极化率分量的数值结果表明:在电场作用下超胞中可能存在微畴结构,并且由于畴间电偶极矩的强相互作用,使得超胞宏观上表现为几乎具有各向同性的极化率特征.     

钨酸钇钠晶体中Tm3+的光谱特性

测量了Tm3 :NaY(WO4 ) 2 晶体的吸收光谱、发射光谱和激发光谱 ,利用J_O理论计算了钨酸钇钠晶体的强度参数 :Ω2 =7 2 130 4× 10 - 2 0 cm2 ,Ω4 =0 5 0 4 76 6× 10 - 2 0 cm2 ,Ω6 =0 977784× 10 - 2 0 cm2 ,以及Tm3 的光学参数包括各能级的荧光寿命和荧光分支比、积分发射截面等 ,在计算了Tm3 的自发辐射概率时 ,同时考虑了电偶极跃迁和磁偶极跃迁 .研究了其发光特性和跃迁通道 ,发现存在1 D2 3H6 →1 G4 3F4 的交叉弛豫     

Mn:KNSBN晶体中背向光散射与光学二极管效应

用单束毫瓦级的632.8nmHe-Ne激光入射到掺Mn的KNSBN晶体中,观察到强烈的背向散射,同时观察到一种与背向散射相联系的光学二极管效应。在一定范围内,光学二极管的时间响应常数τ与晶体表面的入射光强成反比,以K₉玻璃片作反馈镜,可将τ降低一个数量级。已取得τ=1.5s及大于15.3的正、反向透过率比。对实验结果给出理论解释。 关键词：     

Pb_(0.37)Ba_(0.63)Nb_2O_6晶体的线性电光效应

用干涉法首次测量了Pb_(0.37)Ba_(0.63)Nb_2O_6晶体的线性电光效应,结果为γ_(99)=70,γ_(13)=6.4,γ_(51)=-146×10~(-12)M/V.     

铌酸锂钠在低温时的介电铁电和热电性

在300—20K的温度范围内观测了用丘克拉斯基法生长的Li_0.025Na_0.975NbO₃晶体的介电、铁电和热电特性。介电常数,极化强度和热电性的反常表示该晶体在低温时发生相变。此相变有特别大的热滞(约80K),降温时发生于180K附近,升温时发生于260K附近。测量了晶体的室温结构,指出了可能的低温相点群。观测了热电电荷的时间响应,报道了热电电荷随时间改变符号的特异现象,认为其起因是相变过程中两相共存。 关键词：