醋酸锌催化串联反应合成2-氨基-3-氰基-4H-吡喃类衍生物

以氰基查尔酮类化合物及丙二腈为原料,醋酸锌为催化剂,经串联反应合成2-氨基-4H-吡喃类衍生物。考察催化剂、溶剂、反应时间及温度、原料摩尔比对产率的影响。最优条件为：氰基查尔酮类化合物与丙二腈物质的量比为1.0:1.0,醋酸锌(10mol%)作催化剂,二氯甲烷作溶剂,反应温度为30℃,产率最高为99.5%。     

Analysis and simulation of a 4H-SiC semi-superjunction Schottky barrier diode for softer reverse-recovery

In this paper, a 4H-SiC semi-superjunction (SJ) Schottky barrier diode is analysed and simulated. The semi-SJ structure has an optimized design and a specific on-resistance lower than that of conventional SJ structures, which can be achieved without increasing the process difficulty. The simulation results show that the specific on-resistance and the softness factor depend on the aspect and thickness ratios, and that by using the semi-SJ structure, specific on-resistance can be reduced without decreasing the softness factor. It is observed that a trade-off exists between the specific on-resistance and the softness of the diode.     

SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响

在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质.本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN.实验结果表明,用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞,而且微管密度也有所降低.     

Simulation of near-infrared photodiode detectors based on β-FeSi2/4H-SiC heterojunction

In this paper, we propose the near-infrared p-type β-FeSi₂/n-type 4H-SiC heterojunction photodetector with semiconducting silicide (β-FeSi₂) as the active region for the first time. Optoelectronic characteristics of the photodetector are simulated using a commercial simulator at room temperature. The results show that the photodetector has a good rectifying character and a good response to the near-infrared light. Interface states should be minimized to obtain a lower reverse leakage current. The response spectrum of the β-FeSi₂/4H-SiC detector, which consists of a p-type β-FeSi₂ absorption layer with a doping concentration of 1×10¹⁵ cm^-3 and a thickness of 2.5 μm, has a peak of 755 mA/W at 1.42 μm. The illumination of the SiC side obtains a higher responsivity than that of the β-FeSi₂ side. The results illustrate that the β-FeSi₂/4H-SiC heterojunction can be used as a near-infrared photodetector compatible with near-infrared optically-activated SiC-based power switching devices.     

不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响

本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响;分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间的不同.得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下,在线圈匝数已固定的条件下,通过缩小耦合间隙可以提高系统的加热效率,缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论.     

轴手性双硫脲催化合成螺四氢噻吩类化合物

本文成功合成了3种多氢键轴手性联萘酚硫脲,并将其应用于催化1,4-二噻烷-2,5-二醇和α,β-不饱和酮的Sulfa-Michael/Aldol反应,实现了螺四氢噻吩-3-醇类化合物的不对称合成,并且对反应条件进行了优化。结果表明,在25℃下,THF作为溶剂,20(mol)%1a作为催化剂,反应8h,可以较高产率(92%)和较好的立体选择性(95%)及非对映选择性(90:10 dr)得到目标产物。     

糠醛甘氨酸Schiff碱及其稀土La(Ⅲ)配合物的合成与表征

糠醛甘氨酸Schiff碱稀土配合物具有生理活性。本文采用分步法制得Schill碱配合物：     

偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究

利用水平热壁CVD方法,基于SiH4-C3 H8-H2生长系统在n型4H-SiC偏4°衬底上进行同质外延生长.通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显微镜和拉曼散射光谱(Raman),对外延层中的新形貌三角形缺陷——顶端有倒金字塔结构的三角形缺陷(IPRTD)的表面形貌、结构进行了表征,并根据表征结果提出了该新形貌三角形缺陷的产生机理.研究结果表明,IPRTD由3C-SiC晶型构成;在外延生长中,位于IPRTD生长方向上游的位错缺陷所引起的表面吸附原子的2D成核生长是导致3C-SiC晶型出现的主要原因.同时,外延生长过程中,生长速率和氢气刻蚀作用在[1120]和[1100]/[1100]方向上的差异是导致IPRTD顶端具有倒金字塔结构的主要原因.     

离子液体超酸清洁催化苯的烷基化反应

研究了在具有Lewis酸性的离子液体体系中进行的苯与烯烃及卤代烃的烷基化反应.以氯化1-甲基-3-乙基咪唑(MEIC)、氯化1-丁基吡啶(BPC)、氯化l-甲基-3-丁基咪唑(MBIC)及盐酸三甲胺(TMHC)季铵盐分别与AlCl3原位合成法制备离子液体催化体系.结果表明:以上各种离子液体均有很高的催化活性,反应转化率在较短的时间内达到100%.其中TMHC-A1Cl3离子液体单烷基化选择性达98.6%.与AlCl3相比,催化活性显著提高,生成烷基化产物不溶于离子液体,因而易于分离,催化剂可重复使用.     

“发展统计观念“教学的初步探索

为贯彻落实新课程改革理念,笔者在教学《统计初步》时,尽力体现“发展统计观念”,改进教学方法,培养学生深入生活实践,多渠道收集信息,整理、描述、分析数据,从统计的角度思考与数据信息有关的问题,并进行合理决策、合理预测和合理质疑.一、让学生参与调查和统计过程,从统计角度思考有关问题统计实习时,学生按自然村分组.第一组“新北村”的学生,到镇农资商店了解情况,在销售人员的指导下,选定了产地不同的化肥尿素A、B、C进行调查.他们共向所在村农户发放了270份问卷(问卷由单选和多选题组成),对回收的238份问卷整理后,在教师的指导下得…