New 4H silicon carbide metal semiconductor field-effect transistor with a buffer layer between the gate and the channel layer

A new 4H silicon carbide metal semiconductor field-effect transistor (4H-SiC MESFET) structure with a buffer layer between the gate and the channel layer is proposed in this paper for high power microwave applications.The physics-based analytical models for calculating the performance of the proposed device are obtained by solving one-and two-dimensional Poisson’s equations.In the models,we take into account not only two regions under the gate but also a third high field region between the gate and the drain which is usually omitted.The direct-current and the alternatingcurrent performances for the proposed 4H-SiC MESFET with a buffer layer of 0.2 μm are calculated.The calculated results are in good agreement with the experimental data.The current is larger than that of the conventional structure.The cutoff frequency (fT) and the maximum oscillation frequency (f max) are 20.4 GHz and 101.6 GHz,respectively,which are higher than 7.8 GHz and 45.3 GHz of the conventional structure.Therefore,the proposed 4H-SiC MESFET structure has better power and microwave performances than the conventional structure.     

二甲醚分产及二甲醚-动力联产的比较

本文针对DME分产及其与动力结合后的联产系统进行了研究。分产时一步法DME的能耗为55．5 GJ／t,比两步法的能耗58．0 GJ／t降低4．3％。与IGCC结合后的一步法联产相对节能率达到16．6%,远远高于两步法联产的4．9％。进一步分析发现,不论是一步法还是两步法,相对分产而言,联产时在化学(?)和物理(?)的梯级利用上都更合理。研究还表明一步法联产中对合成气化学(?)品位的充分利用是导致一步法联产节能率高于两步法联产的根本原因。     

新疆北山坡-含铜镍镁铁-超镁铁质岩体铬铁矿特征研究

坡-镁铁-超镁铁质岩体为新疆北山地区一重要的含铜镍硫化物的侵入体.该岩体主要由橄榄岩、辉石岩和辉长岩组成.铬铁矿主要以副矿物形式现于橄榄岩中.它们以自形-半自形以及它形存在于橄榄石颗粒间或其内,部分为辉石包裹,偶见其包裹橄榄石.结合电子探针研究,认为坡一岩体母岩浆是来源于软流圈地幔或者与地幔柱有关的基性岩浆,原生岩浆经...     

GC-IMS技术结合化学计量学方法在食用植物油分类中的应用

建立了一种快速、无损分析食用植物油中挥发性有机物质的顶空进样/气相色谱-离子迁移谱(GC-IMS)联用方法。以芝麻油、菜籽油、山茶油共56个样品为研究对象,量取2 mL待测油样于标准样品瓶中,并用磁帽密封,直接进行GC-IMS分析检测。结果表明,基于GC-IMS三维谱中对应挥发性有机物质的特征峰强度可以有效表征不同类植物油的样品信息,选取对应三维谱中40个特征峰的强度作为变量,进行主成分(PCA)信息降维后,采用k最近邻(kNN)算法建立植物油种类的判别模型,训练集的识别率达到100%,预测集中仅有1个山茶油样品被误判成芝麻油样品,预测集的识别率达到94.44%。GC-IMS联用分析技术简单、快速、无损,可用于食用植物油等其他食品、农产品种类的快速分类识别。     

双极晶体管微波损伤效应与机理

结合Si基n⁺-p-n-n⁺外延平面双极晶体管, 考虑了器件自热、高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应, 建立了其在高功率微波(high power microwave, HPM)作用下的二维电热模型. 通过分析器件内部电场强度、电流密度和温度分布随信号作用时间的变化, 研究了频率为1 GHz的等效电压信号由基极和集电极注入时双极晶体管的损伤效应和机理. 结果表明集电极注入时器件升温发生在信号的负半周, 在正半周时器件峰值温度略有下降, 与集电极注入相比基极注入更容易使器件毁伤, 其易损部位是B-E结. 对初相分别为0和π的两个高幅值信号的损伤研究结果表明, 初相为π的信号更容易损伤器件, 而发射极串联电阻可以有效的提高器件的抗微波损伤能力.     

Wiener过程局部时的(H一R)增量有多小

许多作者讨论了Wiener过程及其局部时的增量问题,Hanson和Russo在[4]中提出了一类新的Wiener过程增量(本文称之为H-R增量),笔者在[5]中把H-R增量引到了Wiener过程的局部时上,讨论了H-R增量有多大的一类问题,本文继续讨论了Wiener过程局部时的H-R增量,回答了Wiener过程局部时的HR增量有多小的问题,得到了与Wiener过程H-R增量有多小相应的结果.     

运动员与体力劳动者代谢组学判别模型的建立

不同职业的人群健康状态不同,需要不同的健康管理方法,根据各类人群的体质特征建立健康状态的评估方法有助于开展个性化的健康指导.招募运动员(Athlete,n=31)和体力劳动者(Labour,n=42)共73人,分别收集两组志愿者的晨尿.运用一维核磁共振(1D NMR)技术检测尿液中的代谢产物.建立主成分(PCA)及正交偏最小二乘判别分析(OPLS-DA)模型筛选2类人群间的差异代谢标志物.通过可接收操作特征曲线(ROC)评价代谢标志物的假阳性特征,t-test检验代谢标志物的显著性.利用代谢标志物建立两类人群的偏最小二乘判别分析(PLS-DA)预测模型.模型的有效性通过内部交叉、置换检验和外部预测检验确认.结果显示2类人群之间差异的代谢物有24个,通过其中20个代谢标志物建立的预测模型最优(曲线下面积AUC=0.998).内部交叉验证的误判率(FDR)分别为3.2%和0.内部置换检验的p=3.34×10~(–5).外部预测检验误判率为0.这为不同职业人群健康预测模型的建立提供了思路.     

以聚丙二醇二苯甲酸酯为给电子体的丙烯聚合催化剂

 采用聚丙二醇二苯甲酸酯(PPGDB)为内给电子体制备了一种新的丙烯聚合催化剂MgCl2/PPGDB/TiCl4. 该催化剂用于丙烯聚合时,除了具有与以邻苯二甲酸二异丁酯为给电子体的催化剂相当的活性和立体定向性外,其特点在于所得产物的分子量分布较宽(Mw/Mn＞8.0). 采用红外光谱研究了催化剂中PPGDB与MgCl2的作用机制,结果表明PPGDB中的酯官能团和醚官能团可同时与MgCl2配位. 这种双官能团的配位作用是所得聚合物分子量分布较宽的主要原因.     

基于波长双环路结构的新型光电振荡器的研究

提出了一种新型的基于波长双环路结构的光电振荡器方案. 在此方案中, 利用两个激光器产生两束波长不同的连续光, 分别通过两段长度不同的光纤构成双环路结构, 利用光学游标效应可以获得单一的起振模式. 通过理论分析可知, 不同波长的两束光载波在耦合时, 几乎不会产生随机拍噪声. 实验中, 获得了X波段(8-12 GHz)内频率可调谐的高质量微波信号. 通过测量, 信号的边模抑制比达到60 dB, 相位噪声为-132.6 dBc/Hz@10 kHz. 同时, 利用锁相环技术, 通过光纤拉伸器有效补偿系统的腔长漂移, 因此振荡频率的稳定性得到极大改善. 系统的频率漂移在2 h内小于±84.3 mHz. 另外, 测得的微波线宽为5.3 mHz, Q值在10¹²量级, 具有很高的谱纯度.     

Microwave damage susceptibility trend of bipolar transistor as a function of frequency

We conduct a theoretical study of the damage susceptibility trend of a typical bipolar transistor induced by high-power microwave (HPM) as a function of frequency. The dependences of the burnout time and the damage power on the signal frequency are obtained. Studies of the internal damage process and the mechanism of the device are carried out from the variation analysis of the distribution of the electric field, current density, and temperature. The investigation shows that the burnout time linearly depends on the signal frequency. The current density and the electric field at the damage position decrease with increasing frequency. Meanwhile, the temperature elevation occurs in the area between the p-n junction and the n-n⁺ interface due to the increase of the electric field. Adopting the data analysis software, the relationship between the damage power and the frequency is obtained. Moreover, the thickness of the substrate has a significant effect on the burnout time.