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41.
研究了Nd(naph)3-Al(i-Bu)3(naph为环烷酸)催化降冰片烯(NB)与甲基丙烯酸丁酯(BMA)共聚反应的条件及其催化剂钕铝比的影响.结果表明:稀土催化剂在温和的反应条件下有较好的催化性能;共聚反应可以在室温下进行,反应温度的增加使共聚物收率略减;共聚物分子量和分子量分布随NB/MA摩尔比的增加而变小,共聚物分子量分布较小,Mw/Mn=1.65~2.22;共聚物收率随Al/Nd摩尔比而变化,较合适的Al/Nd摩尔比为5.5. 相似文献
42.
非高斯风压的极值计算方法 总被引:2,自引:0,他引:2
以经典极值理论为基础,发展了一种基于单个标准样本的非高斯风压的极值计算方法. 首先介绍了风洞试验及试验数据处理的基本概况;然后在阐述经典Gumbel极值理论的基础上,根据观察极值的相互独立性推导了短时距下极值分布参数和长时距下极值分布参数的关系式,给出了一种由短时距样本推算长时距下的极值估算方法; 最后基于风洞试验数据,将常用极值估算方法(峰值因子法、改进峰值因子法和Sadek-Simiu法)和该方法的计算结果进行了比较. 得到如下结论:将一个标准长度的非高斯风压时程数据划分成若干等长的子段,可以通过子段的极值分布规律准确地估算出母段的极值期望值,子段的最佳分段长度可以通过自相关分析给出;与常用的极值估算方法相比,该方法更能准确估计非高斯风压的极值. 相似文献
43.
轻型地中海贫血血清锌铜的测定 总被引:1,自引:0,他引:1
陈斌 《广东微量元素科学》2001,8(11):20-22
测定了轻型地中海贫血病人体内锌、 铜含量。结果表明,轻型β-地中海贫血及α-地中海贫血特征患者清锌、铜与正常对照组比较无差异。 相似文献
44.
基于可见-近红外光谱技术预测茶鲜叶全氮含量 总被引:6,自引:0,他引:6
为快速无损监测茶树氮素营养及其生长状况,基于可见-近红外光谱技术建立了茶鲜叶全氮含量的预测模型。以茶鲜叶为对象,田间试验使用便携式光谱仪采集叶片漫反射光谱信息,通过不同预处理和统计分析,建立茶鲜叶全氮含量预测的光谱模型。试验共采集111个样品,其中86个样品作校正集,25个样品作预测集。通过一阶导数与滑动平均滤波相结合的预处理方法,用7个主成分建立的偏最小二乘模型最好,其校正集均方根误差(RMSEC)为0.097 3,预测集的相关系数为0.888 1,预测均方根误差(RMSEP)为0.130 4,预测的平均相对误差为4.339%。研究结果表明,利用可见-近红外光谱技术可以很好地预测茶鲜叶全氮含量,对于快速实时监测茶树长势和施肥管理具有重要指导意义。 相似文献
45.
46.
47.
向量是建立在一种新的运算体系下的产物,与传统的数的运算有着本质的区别.纵观近三年来的高考,对向量的考查力度在逐年加大,而且注重了向量的知识性与工具性的考查,其中作为知识性考查,要求变形技巧强,有时难度颇大,成了学生学习的一个难点,但它对学生数学素养、阅读与理解能力的培养却有着显著的作用,这就成了高考考查的一个热点.1分解与合成例1设平面上有四个互异的点A,B,C,D,已知(DB DC-2DA)·(AB-AC)=0,则△ABC的形状是()(A)直角三角形.(B)等腰三角形.(C)等腰直角三角形.(D)等边三角形.分析(DB DC-2DA)·(AB-AC)=0,∴(DB-… 相似文献
48.
火焰原子吸收光谱法测定铅锑合金中铅 总被引:3,自引:0,他引:3
陈斌 《理化检验(化学分册)》2002,38(5):259-259
高含量铅的测定一般是经沉淀分离后 ,用EDTA滴定。但此法干扰元素多 ,操作较繁 ,分析时间过长。本文用硝酸、酒石酸溶解试样 ,在稀硝酸介质中 ,采用铅的次灵敏线 ,火焰原子吸收光谱法直接测定铅锑合金中铅。方法快速、简便、结果准确。1 主要仪器与试剂WFX IC型原子吸收分光光度计 (北京第二光学仪器厂 )铅标准溶液 :2 .0 0 0mg·ml- 12 仪器工作参数波长 36 8.4nm ,灯电流 6mA ,燃烧器高度 8mm ,空气流量 5L·min- 1,乙炔流量 1L·min- 1。3 标准工作曲线分别取铅量 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,80和 10 0mg于 6个1… 相似文献
49.
50.
New 4H silicon carbide metal semiconductor field-effect transistor with a buffer layer between the gate and the channel layer
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A new 4H silicon carbide metal semiconductor field-effect transistor (4H-SiC MESFET) structure with a buffer layer between the gate and the channel layer is proposed in this paper for high power microwave applications.The physics-based analytical models for calculating the performance of the proposed device are obtained by solving one-and two-dimensional Poisson’s equations.In the models,we take into account not only two regions under the gate but also a third high field region between the gate and the drain which is usually omitted.The direct-current and the alternatingcurrent performances for the proposed 4H-SiC MESFET with a buffer layer of 0.2 μm are calculated.The calculated results are in good agreement with the experimental data.The current is larger than that of the conventional structure.The cutoff frequency (fT) and the maximum oscillation frequency (f max) are 20.4 GHz and 101.6 GHz,respectively,which are higher than 7.8 GHz and 45.3 GHz of the conventional structure.Therefore,the proposed 4H-SiC MESFET structure has better power and microwave performances than the conventional structure. 相似文献