Modeling of the drain-induced barrier lowering effect and optimization for a dual-channel 4H silicon carbide metal semiconductor field effect transistor

A new analytical model to describe the drain-induced barrier lowering(DIBL) effect has been obtained by solving the two-dimensional(2D) Poisson’s equation for the dual-channel 4H-SiC MESFET(DCFET).Using this analytical model,we calculate the threshold voltage shift and the sub-threshold slope factor of the DCFET,which characterize the DIBL effect.The results show that they are significantly dependent on the drain bias,gate length as well as the thickness and doping concentration of the two channel layers.Based on this analytical model,the structure parameters of the DCFET have been optimized in order to suppress the DIBL effect and improve the performance.     

Microwave damage susceptibility trend of a bipolar transistor as a function of frequency

We conduct a theoretical study of the damage susceptibility trend of a typical bipolar transistor induced by a high-power microwave (HPM) as a function of frequency. The dependences of the burnout time and the damage power on the signal frequency are obtained. Studies of the internal damage process and the mechanism of the device are carried out from the variation analysis of the distribution of the electric field, current density, and temperature. The investigation shows that the burnout time linearly depends on the signal frequency. The current density and the electric field at the damage position decrease with increasing frequency. Meanwhile, the temperature elevation occurs in the area between the p-n junction and the n-n + interface due to the increase of the electric field. Adopting the data analysis software, the relationship between the damage power and frequency is obtained. Moreover, the thickness of the substrate has a significant effect on the burnout time.     

面向21世纪师专数学专业培养目标的定位

分析了目前师专数学专业面临的现状,对该专业的培养目标进行了探索性的定位,并提出了课程改革的初步方案.     

用数字离子阱进行快速质量分析

利用数字离子阱技术进行样品的快速质量分析.在样品离子被引入离子阱的过程中,同时扫描数字射频工作电压的频率和离子共振偶极电压的频率,使得离子在进入离子阱质量分析器后,立即被相应的共振偶极电压所共振激发而逐出离子阱,并被离子探测器测量到.本方法相较于传统离子阱分析过程省去了离子引入、离子冷却和离子清空3个阶段,减少了约3/4的实验分析时间.通过对扫描速度、离子门电压参数的优化,数字束缚射频频率从1000～ 400 kHz线性扫描,扫描速度为2385 Th/s,离子门电压为9V,对利血平(m/z 609),精氨酸(m/z 174)等样品的进行测试,离子信号强度达到最优.结果表明,利用本方法可以获得与离子阱质量分析传统方法相同的质谱结果.     

两种新型A环并吡喃环黄酮的合成

以间苯三酚和3,3-二甲基烯丙酸为起始原料,通过苄基保护、甲基化、脱保护基、Clemmenson还原、乙酰化、Fries重排、Baker-Venkataraman重排、环化等8步反应,合成了2个新型的A环并吡喃环黄酮化合物——4’,7-二甲氧基-2″,2″-二甲基-3″,4″-2H二氢吡喃-5″,6″:5,6-黄酮和2’,4’,7-三甲氧基-2″,2″-二甲基-3″,4″-2H二氢吡喃-5″,6″:5,6-黄酮,其结构经1H NMR,13C NMR和MS表征。     

取样光纤光栅制作及其温度和应力特性测试

用长周期振幅掩模板（周期为500μm）和相位掩模板（周期为1.0739μm）采用曝光法，制作出了1.5cm长的取样光纤光栅。并测试了光纤光栅的温度和应力特性，发现光纤栅的反射波长随温度的升高，向长波方向漂移，三个主峰波长随温度的变化规律是相同的，温度漂移系数约为0.01nm/℃，温度变化并不会引起通道间隔的变化，波长与应力有非常好的线性关系，并且三个主峰波长随应力的变化关系是一臻的。因此，我们也可以采用与Bragg光纤光栅相同的应力补偿式封装或采用负温度系数的衬底材料来补偿中心波长随温度的漂移。     

石墨炉原子吸收光谱法测定抗菌纤维中的银

石墨炉原子吸收光谱法测定抗菌纤维中的银，回收率为90．9％-95．9％，相对标准偏差为2．4％-3．3％。方法简便、快速、准确，具有较好的精确度和准确度。     

C_(60)及C_(70)燃烧焓和生成焓的测定

用微型氧弹热量计测定了C60 和C70 的标准燃烧热 ,分别为 - ( 2 5 947.1±8.5 )和 - ( 2 995 6 .1± 8.9)kJ/mol.样品用色谱法分析表明有机溶剂含量很少 ,不影响测定结果 .用微型氧弹热量计及常量热量计测定C60 的结果在误差范围以内相一致 ,表明测定的可靠性 .推得了C60 和C70 的生成焓 .用键能模型估计了C60 和C70分子内的张力能 ,与由模型化合物corannulene估计的结果很接近     

不同激光参数照射下血管中血栓的演变

目前,激光是治疗葡萄酒色斑(Port Wine Stain,PWS)最有效的疗法。然而,由于选择性光热效应机理研究的欠缺,PWS的临床彻底清除率依然很低(<20%)。本文利用鼠脊视窗模型研究了不同激光参数照射下血管中光凝块和血栓的演变规律,以期为开发新的治疗策略提供依据。实验结果表明,Nd:YAG激光(1064 nm)照射后血管中只出现光凝块。长脉宽532nm激光照射后血管中首先形成光凝块,随着光凝块的流走,血栓产生并粘着血管壁。血栓面积随时间先增大后减小,存在时间长达4 h以上。短脉宽532 nm激光照射后,则形成非粘着血管壁血栓并随血流流走。由于形成完全堵塞血管的血栓是清除血管的前提,长脉宽532 nm激光联合抗血栓药物治疗PWS有望改善激光治疗PWS疗效。     

基于核重构思想的配点型无网格方法的研究--一维问题

无网格方法按其离散原理可分为Galerkin型、配点型等。其中Galerkin型无网格方法的实施需要背景网格，不属于真正的无网格法；配点型无网格方法的实施不需要背景网格，是真正的无网格法。本文首先介绍了重构核点法的基本原理，然后基于核重构思想，与配点法相结合，以一维问题为例，研究了配点型无网格方法，对该方法构造过程中的近似函数及其导数的计算、修正函数的计算及方法的实现等问题进行了探讨。并结合若干典型算例，检验了其计算精度与收敛姓。