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191.
Temperature and drain bias dependence of single event transient in 25-nm FinFET technology 下载免费PDF全文
In this paper,we investigate the temperature and drain bias dependency of single event transient(SET) in 25-nm fin field-effect-transistor(FinFET) technology in a temperature range of 0-135°C and supply voltage range of 0.4 V-1.6 V.Technology computer-aided design(TCAD) three-dimensional simulation results show that the drain current pulse duration increases from 0.6 ns to 3.4 ns when the temperature increases from 0 to 135°C.The charge collected increases from 45.5 fC to 436.9 fC and the voltage pulse width decreases from 0.54 ns to 0.18 ns when supply voltage increases from 0.4 V to 1.6 V.Furthermore,simulation results and the mechanism of temperature and bias dependency are discussed. 相似文献
192.
提出了一种基于Stokes参量的数字同轴偏振全息方法.在实验中用一束线偏振光和一束椭圆偏振光作为参考光, 分别与物光进行干涉,通过拍摄在两个相互垂直方向上的全息图,计算出物光在这两个方向的振幅和相位信息, 从而得到物光的Stokes参量和物体的全偏振信息,实现对各向异性物体偏振态空间分布的图像重建. 实验结果表明,该方法可用于物体的全偏振特性的测量.这种方法在求出物光Stokes参量的同时, 也可消除零级像和共轭像的干扰,因此也可用于同轴或离轴全息. 相似文献
193.
194.
195.
196.
锗-2-羟基-3-甲氧基苯基荧光酮-溴化十六烷基三甲基铵(CTMAB)体系的分光光度法 总被引:2,自引:0,他引:2
在阳离子表面活性剂 CTMAB存在下 ,硫酸介质中 ,2 -羟基 - 3-甲氧基苯基荧光酮与 Ge( )显色反应 ,形成红色的络合物 ,其最大吸收波长为 5 0 5 .5 nm,表观摩尔吸光系数为 1.5× 10 5L· mol-1·cm-1,锗量在 0— 13μg/ 2 5 m L范围内符合比耳定律 ,分光光度法测定锗 ,很多离子不干扰测定。方法具有很高的灵敏度 ,直接用于锅炉烟尘中微量锗的测定 ,结果令人满意 相似文献
197.
本文通过固相反应方法制备了具有钙钛矿结构的稀土掺杂锰氧化物La0.875Sr0.125MnO3(LSMO)块材,并用磁控溅射方法在LaAlO3衬底上生长了厚度为50nm的单晶薄膜.X射线衍射仪分别对LSMO块材和薄膜材料进行分析,表明薄膜和衬底具有相同的钙钛矿结构;通过研究该薄膜光诱导效应和磁场下输运行为,发现其输运性质明显改变,表明外场改变体系的电子自旋输运特性,引起双交换作用减弱和增强,分别导致电阻率的增加和减小. 相似文献
198.
199.
L—fuzzy拓扑空间中的近似良紧性 总被引:5,自引:0,他引:5
本文系统地研究了L-fuzzy拓扑空间中近奶紧性的特征及其拓扑性质。讨论了近似良紧性与良紧性之间的关系。证明了近似良紧性是正则闭遗传的,有限可和的以及在满层的L-fuzzy拓扑空间中,对于近似良紧性而言,TΝXOHOB乘积定理成立等重要性质。 相似文献
200.
本文针对计及几何,材料,接触摩擦等耦合作用的高度非线性的加工成形过程数值模拟和计算分析工作,建议了非增量时-空求解算法。 相似文献