Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光

采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。     

适用于测量大气气溶胶吸收系数的光声光谱系统的研究

外部噪声和环境温湿度变化对光声池性能的影响是光声光谱技术在实际大气气溶胶吸收测量应用中遇到的主要问题。详细分析了环境温湿度变化引起的共振频率漂移对光声信号的影响,提出了抑制流动噪声和采样泵振动噪声的方法,研制完成了一套测量大气气溶胶吸收的光声光谱系统,探测极限为1.4×10-8 W·cm-1·Hz-1/2。利用NO₂气体在532 nm的吸收对光声池进行了标定,并对实际大气气溶胶的吸收特性进行了测量,结果表明光声光谱测量系统可以满足自然悬浮状态下的气溶胶吸收系数的实时测量。     

基于改进等效平面法的结构系统可靠性分析

将复相关理论引入到结构系统可靠性分析中, 推导了并联体系等效功能函数 的递推公式, 提出了复相关等效平面法. 解决了等效平面法等效原则中不包含相关性信息的 问题, 克服了等效平面法计算并联体系误差大的缺点. 通过算例证明该方法有较高的计算精度, 优于传统结构系统可靠性分析方法, 适合大型结构系统的可靠性分析.     

基于LED的非相干宽带腔增强吸收光谱技术

介绍了基于可见光波段高功率LED作为光源的高灵敏度宽带腔增强吸收光谱技术,该系统的探测灵敏度通过测量NO₂在472.3～479.3 nm范围内的吸收得到验证。将中心波长为457 nm的高功率LED发出的宽带非相干光耦合进入92.5 cm长、由两片高反射率透镜组成的高精度光学谐振腔内,使用CCD光谱仪(HR2000)测量透过光学腔的光强信号。腔镜在472.3～479.3 nm波长范围内的反射率通过O₂-O₂聚合物的吸收确定,实验测量了一系列低浓度NO₂气体样品,采用差分光谱拟合技术在80 s的平均时间内NO₂浓度反演的统计不确定性约为3.1 ppb(ng·mL-1)。     

物理最值三趣题

用数学中不等式a b c≥3(abc开立方）的基本性质，可以求解某些物理问题的最值．下面介绍3道电磁场的趣题．     

新荧光试剂DHB－8Q5S与铝（Ⅲ）的配合反应及分析应用研究

研究了新合成的试剂７－（２，４－二羟基苯偶氮）－８－羟基喹啉－５－磺酸（简称ＤＨＢ─８Ｑ５Ｓ）荧光光度法测定铝（Ⅲ）的反应条件，铝（Ⅲ）与试剂在ｐＨ５．００～５．７５的乙酸／乙酸钠缓冲溶液中形成１＋１型配合物并呈现荧光，其最大激发波长／发射波长λ_（ｅｘ）／λ_（ｅｍ）＝５２２／５７０（ｎｍ），检测下限为３×１０~（－８）μｇ／ｍＬ，考察了共存离子的干扰，并用于样品分析，结果满意。     

重质石油中含氮化合物的形态及分布分析──高效液相色谱－气相色谱在线联用分析方法研究

研究了高效液相色谱－气相色谱（ＨＰＬＣ－ＧＣ）联用技术及其应用。采用正相微柱ＨＰＬＣ－ＧＣ联用及完全溶剂蒸发方式，分析了煤焦油馏分──蒽油，显示了微柱ＨＰＬＣ－ＧＣ联用的应用潜力。采用正相ＨＰＬＣ－ＧＣ联用结合反冲技术，分离了重质石油中的饱和烃、芳烃和极性化合物（含氮化合物等）。     

CSNS射频负氢离子源控制系统研制

为满足中国散裂中子源打靶功率提升需求，加速器采用外置天线射频负氢离子源替换此前使用的潘宁表面负氢离子源，为加速器提供高品质和高稳定的束流。文章主要介绍了基于EPICS软件系统和PLC硬件平台的射频负氢离子源控制系统设计方案和具体实现。针对射频功率源的电磁干扰和高压平台打火造成设备损坏，给出了相应的解决措施。此外，为提高离子源长期运行稳定性，设计了放电室高精度注铯控制程序及打靶功率稳定程序。控制系统自投入运行以来，运行稳定可靠，为离子源的高效运行提供了有力保障。     

EBIT束线成像及束流密度测算

本文介绍了在EBIT中,使用狭缝为电子束成像的过程.同时论述了对采集的像的修正和计算分析,以及对于采集图像和数据分析中存在的误差的分析.从而计算得到EBIT电子束的束流密度.并且讨论了在计算模拟中,针对EBIT和本实验所需要的一些特别设定.