萃取体系第三相的生成、微观结构与应用研究--三相萃取体系研究进展

液＝液萃取体系中第三相的生成将干扰取操作的顺利进行,多年来人们对第三相的研究多限于第三相的生成与防止。本文阐述了在萃取体系中第三相的形成,结构及应用方面的近期研究成果,特别是基于对第三相成因及组成,结构的进一步认识,导致人为的制备中相,并对其应用进行深入的研究。     

HCFC-R22的等效stockmayer势能模型及汽液平衡分子模拟

采用等效Stockmayer势能模型得到R22的势能参数,并应用Gibbs系综模拟汽液平衡予以考察。模拟中,采用了Metropolis抽样及周期边界条件。模拟结果表明饱和液体密度精度较高,且饱和蒸汽的密度及蒸汽压的结果也十分令人满意,说明等效Stockmayer势能模型方法的可靠性和可行性。     

气体混合物各组分化学势的Monte Carlo模拟

在则系综测试粒子Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ （ＧＣＭＣ）方法模拟常温下空气（以氮气为代表）及其污染物微量有机物（以苯为例）的混合物中各组分的化学势。模拟中,氮气和苯分子采用ＬＪ球型分子势能模型,采用Ｍｅｔｒｏｐｏｌｉｓ抽样及周期边界条件。通过模拟并拟合得到了３００．２Ｋ、苯的摩尔分数为０．０６２５,氮气及苯化学势与压力的关联式,以用于狭缝碳孔中该混合物体系的选择性吸附。     

CuCl/γ-Al2O3上NO脱除过程研究

设计了一系列的对比实验,利用ＸＲＤ,ＸＰＳ,ＴＰＲ,ＥＸＡＦＳ等技术,系统研究了ＣｕＣｌ／γ－Ａｌ２Ｏ３上的ＮＯ脱除反应过程。结果发现,ＣｕＣｌ／γ－Ａｌ２Ｏ３样品暴露在空气中,表面被部分氧化生成ＣｕＣｌ２及ＣｕＯ等,在高温处理和反应过程中,造成样品表面氯的损失,同时生成更多的ＣｕＯ,因而得新还原处理后测活性时,得到高分散的金属铜,使样品的ＮＯ分解活性提高,但由于ＮＯ对低价铜有很强的氧化作用,ＮＯ     

关于同伦正则态射

该文在点标拓扑空间的范畴中引进了同伦正则态射的概念,研究了它存在的条件,性质以及它与同伦单（满）态,同伦正则单（满）态和同伦等价之间的密切关系。     

红外光谱研究PEO基离子液体聚合物电解质

以聚氧化乙烯(PEO)为聚合物基体, 双三氟甲基磺酸亚酰胺锂(LiTFSI)为锂盐, 加入不同量的离子液体(BMIMPF₆)为增塑剂, 制备离子液体聚合物电解质. 运用发射FTIR光谱技术实时监测所制备聚合物电解质的结构随温度的变化. 结合FTIR透射光谱\, SEM和XRD的研究结果分析了离子液体对离子电导率的影响, 并初步提出离子导电增强机制.     

官能团化己内酯与丙交酯无规共聚物的合成与降解性能

研究了官能团化新型己内酯单体的合成及其与丙交酯无规共聚物的降解性能. 首先, 环己酮和N-异丙基丙烯酰胺通过Michael加成反应合成了2-(N-异丙基酰胺乙烯基)-环己酮; 然后, 以间氯过氧化苯甲酸为氧化剂, 通过Baeyer-Villiger氧化反应, 制备带有酰胺官能团的己内酯单体6-(N-异丙基酰胺乙烯基)-ε-己内酯; 最后, 在异辛酸亚锡[Sn(Oct)₂]的催化下与丙交酯开环聚合, 得到新型己内酯与丙交酯的无规共聚物. 采用¹H NMR, SEC和DSC表征了聚合物的结构和热力学性能. 同时通过黏度法、失重法和SEM对该聚合物的降解性能进行了表征. 结果表明, 该共聚物的降解速率明显增快, 材料降解2个月后, 材料的质量损失达到28.1%, 特性黏度降低近40%.     

Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology

This paper studies the total ionizing dose radiation effects on MOS (metal-oxide-semiconductor) transistors with normal and enclosed gate layout in a standard commercial CMOS (compensate MOS) bulk process. The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of the devices were monitored before and after $\gamma $-ray irradiation. The parameters of the devices with different layout under different bias condition during irradiation at different total dose are investigated. The results show that the enclosed layout not only effectively eliminates the leakage but also improves the performance of threshold voltage and transconductance for NMOS (n-type channel MOS) transistors. The experimental results also indicate that analogue bias during irradiation is the worst case for enclosed gate NMOS. There is no evident different behaviour observed between normal PMOS (p-type channel MOS) transistors and enclosed gate PMOS transistors.     

ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究

运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54;;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si ,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12;.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用.     

α—萘酚胁迫对普通小球藻生长及抗氧化酶活性的影响

研究了α－萘酚对普通小球藻的生长、光合色素的MDA含量及抗氧化酶9SOD、CAT、POD）活性的影响,结果表明,随着α－萘酚浓度的升高,藻的生长速率、叶绿素a与类胡萝卡素的含量,SOD、CAT、POD活性均先升高后下降,除POD活性在5．00mg.L^－1时达到最大值外,其余均在2．00mg.L^-1达到最大,而在α－萘酚浓度低于2．00mg.L^-1时,MDA含量变化不大,只有当3种抗氧化酶活性呈不同的下降后,MDA含量才急剧上升,膜脂过氧化加剧,说明α－萘酚导致普通小球藻膜脂过氧化是其致毒机制之一,而抗氧化酶在一定污染物浓度范围内具有防御保护作用。