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991.
在超声射流冷却条件下,利用同步辐射光源,结合飞行时间质谱对CH3NH2分子在60—140nm波长范围内的光电离解离进行了研究.主要动力学过程为母体离子的解离过程.CH2NH2+和CH3+由CH3NH2+在高能量时解离生成,而CH2NH2+的1,1脱H2过程则产生其他离子.CH3NH2分子的电离势(IP)为916±001eV,和分子轨道能量计算的理论值符合得非常好,并获得CH3NH2+和CH2NH2+的生成热分别为860±05kJmol和7541kJmol.
关键词:
同步辐射光电离
飞行时间质谱
电离势
生成热 相似文献
992.
一类多元函数极值的快速判别方法及应用 总被引:3,自引:1,他引:2
本文给出一类多元函数—三元函数是否存在极值的快速判别方法 ,并讨论它在实际问题中的应用 . 相似文献
993.
4-苯基-2-苯偶氮基-1-硫代-3, 4-二氮唑硫酮-5的谱学研究 总被引:2,自引:0,他引:2
4-苯基-2-苯偶氮基-1-硫代-3,4-二氮唑硫酮-5(C14H10N4S2)由双硫腙与二硫化碳发生加成闭环反应时获得。文章采用紫外-可见光谱的跟踪对双硫腙与二硫化碳的反应进行了系统的研究。初步讨论了反应历程,提出该反应的机理是亲核加成;并通过IR谱和NMR谱,对标题化合物的结构进行了表征。 相似文献
994.
995.
对Ta2O5/Ta样品界面区的深度剖面曲线进行了研究。基于离子溅射引起影响层存在的考虑,提出一种解释该曲线的新模型。通过此模型能很好地拟合实验曲线,并反映了溅射过程中的离子混合效应、原子堆积效应及相应的特征参数。样品由阳极氧化法制得,其厚度为500埃。表面分析在PHI-590型扫描俄歇微探针上完成,所有测量均在室温下进行。研究表明:深度剖面曲线并不符合误差函数分布;影响层的厚度为30—50埃,它是进行深度剖面分析时,决定元素俄歇信号强度的第一位重要因素;深度剖面
关键词: 相似文献
996.
997.
998.
Defects in GaN Films Grown on Si(111) Substrates by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition
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We report the transmission-electron microscopy study of the defects in wurtzitic GaN films grown on Si(111) substrates with AlN buffer layers by the metal-organic chemical vapour deposition method. The In0.1 Ga0.9N/GaN multiple quantum well (MQW) reduced the dislocation density by obstructing the mixed and screw dislocations passing through the MQW. No evident reduction of the edge dislocations density by the MQW was observed. It was found that dislocations with screw component can be located at the boundaries of sub-grains slightly in-plane misoriented. 相似文献
999.
1000.
高能重离子碰撞中正负荷电粒子比单事例起伏研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用强子和弦级联模型,JPCIAE及相应的Monte Carlo事例产生器,研究相对论性核–核碰撞中有限快度区间内正负荷电粒子比单事例起伏与能量、中心度、共振态衰变及快度间隔的关系.JPCIAE模型能够较好地符合CERN/SPS能区Pb+Pb碰撞的实验结果.本文还用此模型预言了RHIC能区Au+Au碰撞和ALICE能区Pb+Pb碰撞中的正负荷电粒子比单事例起伏.可以看出碰撞能量、中心度、共振态衰变及快度间隔对正负荷电粒子比单事例起伏的影响都不大. 相似文献