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942.
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通过各种材料的试验和压机设备因素的测定,总结了金刚石生长过程的特性:金刚石晶体是在石墨(G)-触媒(Me)界面上生长;因电阻R(G)>R(Me)、温度T(G)>T(Me)以及与外界热交换等原因,使合成腔内产生压力、温度梯度,成为金刚石生长之驱动力。梯度过大过小对金刚石生长均不利;金刚石晶体在G-Me界面两侧是非对称性生长;每个晶粒表面有一特殊结构约20 μm左右厚的金属薄膜,它起到运载碳源和催化的双重作用。要合成粗粒高强金刚石,需要有一个稳定的合成体系。本文分析了该体系状态的性质及稳定的必要性与稳定的具体方法。 相似文献
944.
本文根据Wendler,潘金声提出的双层介电系统的电子-声子相互作用理论,推导了具有对称结构的多层交替介质的电子与SO声子的耦合函数和SO声子的色散关系,并以GaAs-Ga1-xAlxAs介质为例做了数值计算. 相似文献
945.
946.
947.
本文在忽略电子间相互作用的条件下,通过求解相对论洛伦兹方程,给出了在附加有导向磁场的可变Wiggler场中电子与电磁场相互作用的物理机制。同时讨论了几种通过改变导向磁场或Wiggler场参数的方法以提高能量转换速率的方法。 相似文献
949.
廖建文 《高等学校计算数学学报》1989,(4)
文[1]建议的定向扰动法在数值逼近的理论和应用中有着重要意义,它不仅揭示了对于离散数据的L_2逼近和L_∞逼近之间的内在联系,而且通过该算法仅用有限次最小二乘法就可求出其最佳一致逼近解(T-解),这样就摆脱了通常求解T-解较繁的算法。其程序编制只须在原有解最小二乘问题的程序中补充一段求扰动量α_h(h=1,…,p) 相似文献
950.