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681.
682.
水对Tl2Ba2CaCu2O8外延薄膜超导电性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
我们研究了水对Tl2Ba2CaCu2O8外延薄膜超导电性的影响。将不同条件下生长的薄膜直接浸泡在水中,分别进行Tc和Jc测量。实验结果表明,结晶很好的外延薄膜的超导电性在水中非常稳定。而薄膜在水中受腐蚀的主要原因是薄膜中存在CaO和BaO组成的非晶夹杂物所致。同时还发现,薄膜受到光刻胶、银胶、铟或银电极的污染后,都会使薄膜加速受到水的腐蚀。 相似文献
683.
青霉素生产的质量问题一直困扰着企业,本文选取影响青霉素质量的指标──效价,指出与效价有关的因素,如:糖、苯乙酸、尿素、菌丝重、孢子数等。用回归方法,建立多无线性回归模型,并预测出效价值,从而判定青霉素生产是否正常,提高了产品质量和经济效益。 相似文献
684.
本文建议利用MOS结构对阶跃电压的I-t和C-t响应,采用由Rabbani提出的较精确的体产生区模型测量体产生寿命和表面产生速度,既不需要在瞬态曲线上求斜率,也不需要知道样品衬底的掺杂浓度.因此不仅可使计算简单,而且还可以减少误差.本方法原则上适用于确定掺杂不均匀样品的两个产生参数. 相似文献
685.
We study the Raman spectra of Bi4GeO12 crystal at different temperatures, as well as its melt. The structure characters of the single crystal, melt and growth solid-liquid boundary layer of BGO are investigated by their high-temperature Raman spectra for the first time. The rule of structure change of BGO crystal with increasing temperature is analysed. The results show that there exists [GeO4] polyhedral structure and Bi ion independently in BGO melt. The bridge bonds Bi-O-Bi and Bi-O-Ge appear in the crystal and at the boundary layer, but disappear in the melt. The structure of the growth solid-liquid boundary layer is similar to that of BGO crystal. In the melt, the long-range order structure of the crystal disappears. The thickness of the growth solid-liquid boundary layer of BGO crystal is about 50 μm. 相似文献
686.
687.
688.
利用混沌系统的伪随机性和初值敏感性,提出一种基于混沌的自嵌入安全水印算法.该算法以混沌初值为密钥生成混沌序列,根据混沌序列的索引有序序列随机生成图像块的水印嵌入位置.与现有的自嵌入算法相比,该算法实现了水印嵌入位置的随机选取,有效扩大了算法的密钥空间,且解决了自嵌入水印算法如何准确定位篡改块的问题.理论分析和仿真结果表明,该算法不仅提高了自嵌入水印算法的篡改定位的能力,而且进一步增强了算法抵抗向量量化攻击和同步伪造攻击的能力.
关键词:
数字水印
混沌
脆弱水印
自嵌入 相似文献
689.
690.
纳米磷酸铁锂的制备及电化学性能研究 总被引:4,自引:3,他引:1
利用液相沉淀法合成了纳米级磷酸铁,并以此为铁源,通过碳热还原技术制备了粒径均匀的纳米级球形LiFePO4/C正极材料。经热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及恒电流充放电测试,研究了纳米磷酸铁及纳米磷酸铁锂材料的结构、形貌以及电化学性能。实验结果表明材料的首次放电比容量达161.8 mAh.g-1(0.1C),库仑效率为98.3%;室温下在0.2C、0.5C、1C、2C及5C倍率充放电其首次放电比容量分别为156.5、144、138.9、125.6和105.7 mAh·g-1,材料具有较好的倍率性能。 相似文献