用时间微分扰动角关联技术表征MO／γ－Al_2O_3加氢脱硫催化剂──Ⅱ．还原态Mo／γ－Al_2O_3催化剂

用时间微分扰动角关联技术表征ＭＯ／γ－Ａｌ＿２Ｏ＿３加氢脱硫催化剂──Ⅱ．还原态Ｍｏ／γ－Ａｌ＿２Ｏ＿３催化剂孙桂大，于延云，鲁琴，焦阳，任立国，阎富山（抚顺石油学院石油化工系，抚顺１１３００１）倪新伯（中国科学院上海原子核研究所，上海２０１８００）...     

S波段低温低噪声放大器的研制

介绍了基于ADS仿真的低噪声放大器的设计与制作方法;重点研究了LNA的直流偏置、稳定性分析、匹配设计、版图制作和调试;提出了源级负反馈和栅极加并联阻抗的方法来实现了电路全频段稳定和低温正常工作。采用ATF-34143制作了中心频率在2.25的低噪声放大器,在77K温度下,该放大器带内输入输出驻波比小于1.2,增益达到23dB,噪声系数为0.24dB。     

飞秒脉冲通过多层体光栅后的衍射光强分布

基于单层体光栅的耦合波理论和矩阵光学知识,推导出飞秒脉冲通过多层体光栅衍射后的耦合波方程,并由此得到衍射光强谱和瞬时衍射效率表达式.研究结果发现衍射光强谱和瞬时衍射光强分布是与多层体光栅的结构参量,如中间填充层厚度、光栅层厚度、光栅常量及体光栅材料的折射率调制度有关系的.通过调节这些参量,获得了不同形状和不同宽度的衍射脉冲.该结果可用于设计基于多层体光栅的光通信和光脉冲整形器件.     

Fabrication and Properties of Double-Side Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Film on CeO2 Buffered Sapphire Substrate

The double-side Tl2Ba2 CaCu2O8 （Tl-2212） superconducting thin films were fabricated on CeO2 buffered sapphire substrates. The reactive magnetron sputtering technique was used to grow CeO2 buffer thin films on sapphire substrates. Making use of the metal cerium as a sputtering source, the depositing rate is much higher compared with the CeO2 target. The Ti-2212 thin films on CeO2 buffered sapphire substrates were fabricated by adc magnetron sputtering and post-annealing process. The x-ray diffraction indicates that the thin film is pure Tl-2212 phase with the e-axis perpendicular to the substrate surfaces, and epitaxially grown on the CeO2 buffered sapphire. The critical transition temperature Tc is around 106K, the critical current density Jc is around 3.5 MA/cm^2 at 77K, and the microwave surface resistance R8 at 77K and 10 CHz of the film is as low as 390μ Ω.     

热噪声对约瑟夫森结I-V特性及微波感应台阶的影响研究

采用数值仿真的方法研究了热噪声对约瑟夫森结I-V特性及微波感应台阶的影响。研究表明,热噪声导致约瑟夫森结的I-V特性曲线呈现"圆拱化",也使得微波感应台阶高度减小。得出了取不同约瑟夫森结临界电流和结电阻时,热噪声对台阶的影响规律     

微波消解-光度法测定硼铸铁中的硼

采用微波消解样品处理技术,结合光度法测定硼铸铁中的硼元素,该方法与传统的酸溶法 熔法样品处理相比,不但分析结果相吻合,而且更具有快速、高效、清洁和污染少等优点,完全能满足铸铁分析的要求,不但分析结果相吻合,而且更具有快速、高效、清洁和污染少等优点,完全能满足铸铁分析的要求。     

光折变透镜

利用光折变Fe:LiNbO3晶体强光伏特效应,本文从理论上讨论用高斯光束入射晶体记录光折变透镜的可能性。并讨论了记录的透焦距与记录光和非相干光光强比之间关系。相对于其它透镜记录方法,利用光伏特效应记录透镜具有不需外加电场的优点,所实现的透镜具有小型化可集成等优点。     

稀土(III)-冠醚配位反应的热力学性质I:稀土(III)高氯酸盐与苯-15-冠-5-在乙腈溶液中配位反应的量热滴定研究

用量热滴定法于298.15K测定了除钪、钷以外的全部十五种稀土(III)高氯酸盐与苯并-15-冠-5在乙腈溶液中的配位作用。借助计算机算出了配合物的稳定常数和配位焓, 进而算出了配位自由能和配位熵。结果表明:十五种稀土(III)离子与苯并-15-冠-5都可以配位, 配位焓为正值;La^3^+配合物最稳定, Ce^3^+次之, 其余稀土(III)离子配合物稳定性变小, 但彼此差别不大, 在Tb处有突变;熵在配合物形成时起稳定化作用。     

铝箔在盐酸中的交流电侵蚀研究——Ⅲ.交流电频率的影响

用10-100Hz频率的交流电研究了铝箔在盐酸溶液中的电解侵蚀,以获得高的表面积扩大率K₀值。K₀与频率的关系曲线上存在一相对最佳频率f_m。f_m随温度升高移向较高频率端。20Hz与35℃条件下得到的K₀值最大。频率增高有利于使侵蚀膜增厚,温度升高使膜溶解。用膜重G击破电位E_p与f之间的关系解释了K₀的变化。讨论了铝箔原始表面状态对侵蚀过程的影响。     

铝箔在盐酸中的交流电侵蚀的研究—Ⅰ.50周交流电侵蚀

研究了电解电容器用铝箔在5M HCl中用50周交流电侵蚀时温度、电流密度、铝箔纯度以及H₂SO₄添加剂等因素对表面积扩大率K值的影响。得到高K值的关键是得到高质量的侵蚀膜,SO₄^2-是成膜所必需的。用剥膜称重法得到了不同条件下单位真实表面积上的膜重,结合电位波形图解释了一系列现象。侵蚀过程中出现的表面大量掉落黑粉,箔厚减薄、比容不再随电量而增加的现象与侵蚀孔中pH过高、侵蚀膜(氧化铝)水化程度高、体积大因而堵塞小孔有关。保证有足够的H⁺扩散进入孔中是得到高K值的又一关键。