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This paper describes a new method of adaptive array processing for signals of unknown frequencycharacteristics.Under practical circumstances,it is easier to obtain the estimation of the power spec-trum in the observed direction than to obtain that of the frequency characteristics.Thus the maximumentropy spectral analysis can be used to incorporate with the adaptive array processing. In this paper the autocorrelation function is calculated from the power spectrum and the predictedcoefficients of MEM(maximum entropy method)can be obtained by solving the normal equation of thecorrelation matrix,and the predicted coefficients are used as the constrained conditions of the algorithmfor adaptive array processing. The above method is further extended and an adaptive array processor is presented for the moregeneral cases,in which the signal characteristics in the observed direction are completely unknown.Firstly the space filtering of the adaptive array is performed by the all-pass constrained conditions inthe fr 相似文献
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分子印迹材料选择性截留卷烟烟气中芳胺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分子印迹技术合成了一种对1-萘胺有高度选择性的分子印迹聚合物材料。应用固相萃取吸附试验研究了该聚合物对1-萘胺及其结构类似物的选择特性,表明印迹聚合物材料对4种芳胺类物质表现出良好的选择性结合能力。将所制备的印迹聚合物按不同剂量添加到卷烟嘴棒中,考察其对卷烟烟气中芳胺的截留效果。结果显示,该分子印迹材料能选择性截留卷烟烟气中的1-萘胺、2-萘胺、3-氨基联苯和4-氨基联苯等烟气有害成分;当印迹聚合物添加量为50mg时,卷烟烟气中芳胺的降低率达到30%。 相似文献
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Fabrication and Properties of Double-Side Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Film on CeO2 Buffered Sapphire Substrate
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The double-side Tl2Ba2 CaCu2O8 (Tl-2212) superconducting thin films were fabricated on CeO2 buffered sapphire substrates. The reactive magnetron sputtering technique was used to grow CeO2 buffer thin films on sapphire substrates. Making use of the metal cerium as a sputtering source, the depositing rate is much higher compared with the CeO2 target. The Ti-2212 thin films on CeO2 buffered sapphire substrates were fabricated by adc magnetron sputtering and post-annealing process. The x-ray diffraction indicates that the thin film is pure Tl-2212 phase with the e-axis perpendicular to the substrate surfaces, and epitaxially grown on the CeO2 buffered sapphire. The critical transition temperature Tc is around 106K, the critical current density Jc is around 3.5 MA/cm^2 at 77K, and the microwave surface resistance R8 at 77K and 10 CHz of the film is as low as 390μ Ω. 相似文献
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