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31.
32.
分子印迹材料选择性截留卷烟烟气中芳胺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分子印迹技术合成了一种对1-萘胺有高度选择性的分子印迹聚合物材料。应用固相萃取吸附试验研究了该聚合物对1-萘胺及其结构类似物的选择特性,表明印迹聚合物材料对4种芳胺类物质表现出良好的选择性结合能力。将所制备的印迹聚合物按不同剂量添加到卷烟嘴棒中,考察其对卷烟烟气中芳胺的截留效果。结果显示,该分子印迹材料能选择性截留卷烟烟气中的1-萘胺、2-萘胺、3-氨基联苯和4-氨基联苯等烟气有害成分;当印迹聚合物添加量为50mg时,卷烟烟气中芳胺的降低率达到30%。 相似文献
33.
Fabrication and Properties of Double-Side Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Film on CeO2 Buffered Sapphire Substrate 下载免费PDF全文
The double-side Tl2Ba2 CaCu2O8 (Tl-2212) superconducting thin films were fabricated on CeO2 buffered sapphire substrates. The reactive magnetron sputtering technique was used to grow CeO2 buffer thin films on sapphire substrates. Making use of the metal cerium as a sputtering source, the depositing rate is much higher compared with the CeO2 target. The Ti-2212 thin films on CeO2 buffered sapphire substrates were fabricated by adc magnetron sputtering and post-annealing process. The x-ray diffraction indicates that the thin film is pure Tl-2212 phase with the e-axis perpendicular to the substrate surfaces, and epitaxially grown on the CeO2 buffered sapphire. The critical transition temperature Tc is around 106K, the critical current density Jc is around 3.5 MA/cm^2 at 77K, and the microwave surface resistance R8 at 77K and 10 CHz of the film is as low as 390μ Ω. 相似文献
34.
研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和T1-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长.表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延11-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7 K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5 MA/cm2,微波表面电阻R(77 K,10 GHz)约为390μΩ. 相似文献
35.
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37.
用量热滴定法于298.15K测定了除钪、钷以外的全部十五种稀土(III)高氯酸盐与苯并-15-冠-5在乙腈溶液中的配位作用。借助计算机算出了配合物的稳定常数和配位焓, 进而算出了配位自由能和配位熵。结果表明:十五种稀土(III)离子与苯并-15-冠-5都可以配位, 配位焓为正值;La^3^+配合物最稳定, Ce^3^+次之, 其余稀土(III)离子配合物稳定性变小, 但彼此差别不大, 在Tb处有突变;熵在配合物形成时起稳定化作用。 相似文献
38.
铝箔在盐酸中的交流电侵蚀研究——Ⅲ.交流电频率的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用10-100Hz频率的交流电研究了铝箔在盐酸溶液中的电解侵蚀,以获得高的表面积扩大率K0值。K0与频率的关系曲线上存在一相对最佳频率fm。fm随温度升高移向较高频率端。20Hz与35℃条件下得到的K0值最大。频率增高有利于使侵蚀膜增厚,温度升高使膜溶解。用膜重G击破电位Ep与f之间的关系解释了K0的变化。讨论了铝箔原始表面状态对侵蚀过程的影响。 相似文献
39.
铝箔在盐酸中的交流电侵蚀的研究—Ⅰ.50周交流电侵蚀 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了电解电容器用铝箔在5M HCl中用50周交流电侵蚀时温度、电流密度、铝箔纯度以及H2SO4添加剂等因素对表面积扩大率K值的影响。得到高K值的关键是得到高质量的侵蚀膜,SO42-是成膜所必需的。用剥膜称重法得到了不同条件下单位真实表面积上的膜重,结合电位波形图解释了一系列现象。侵蚀过程中出现的表面大量掉落黑粉,箔厚减薄、比容不再随电量而增加的现象与侵蚀孔中pH过高、侵蚀膜(氧化铝)水化程度高、体积大因而堵塞小孔有关。保证有足够的H+扩散进入孔中是得到高K值的又一关键。 相似文献
40.
The solubilitices of benzene, toluene and diphenyl in mixed solvents of t-butyl alcohol (TBA) and water at 283.15, 288.15, 293.15 and 298.15 K have been determined by spectrophotometry. The mole fraction of TBA [x (TBA)] in the mixed solvent are 0.000, 0.010, 0.020, 0.030, 0.040, 0.045, 0.050, 0.060, 0.080 and 0.100, respectively. The standard Gibbs energies of solution of benzene, toluene and diphenyl in the mixed solvent have also been calculated based on the solubility data. The hydrophobic interactions (HI) for the pairs of benzene-benzene, methane-benzene and methane-methane in the mixed solvent were calculated and discussed. 相似文献