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This paper describes a new method of adaptive array processing for signals of unknown frequencycharacteristics.Under practical circumstances,it is easier to obtain the estimation of the power spec-trum in the observed direction than to obtain that of the frequency characteristics.Thus the maximumentropy spectral analysis can be used to incorporate with the adaptive array processing. In this paper the autocorrelation function is calculated from the power spectrum and the predictedcoefficients of MEM(maximum entropy method)can be obtained by solving the normal equation of thecorrelation matrix,and the predicted coefficients are used as the constrained conditions of the algorithmfor adaptive array processing. The above method is further extended and an adaptive array processor is presented for the moregeneral cases,in which the signal characteristics in the observed direction are completely unknown.Firstly the space filtering of the adaptive array is performed by the all-pass constrained conditions inthe fr 相似文献
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在25℃和无氧条件下,以KBH_4为还原剂,测定了七种Mo-Fe-S簇合物(Ⅰ.(Et_4N)_4 [Mo_2Fe_2S_(10)]·2CH_3OH,Ⅱ.Mo_2Fe_2S_4(S_2CNEt(?))_5·CH_3CN,Ⅲ.(Bu_4N)_3[Mo_2FeS_3O],Ⅳ.(Et_4N)_3[Mo_2FeS_3O_2],Ⅴ.(Et_4N)_2[MoFeS_4(SCN)_2(OCH_3)_2]·3CH_3OH,Ⅵ.(Et_4N)_3 [Mo_2FeS_3O(OCH_3'2],Ⅶ.(Et_4N)_4[Mo_2Fe_7S_(12)(SPh)_6]·6CH_3OH),三种Fe-S簇合物(Ⅷ.(Et_4N)_4[Fe_4S_4(S_2CNEt_2'4],Ⅸ.(Bu_4N)_2[Fe_4S_4(SC(CH_3) 3)4],Ⅹ.(Bu_4N)[Fe_2S_3(SCH_2Ph)_2])和相关化合物的组合体系的催化乙炔还原活性.还在15℃和其它条件不变的情况下,测定了九种(?)由(NH_4)_2MoS_4和FeCl_3组成的不同组分的组合体系的催化乙炔还原活性.对上述实验结果进行了讨论. 相似文献
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本文用HMO理论(采用图论方法)计算了单核、双核和三核分子氮络合物的稳定化能量,电荷密度及键序,得到了下列结论:(1)对于单核和双核分子氮络合物,端基配位比侧基配位稳定,而三核分子氮络合物,在相当宽的能量参数变化范围内,兼有端、侧基配位比只含有端基配位稳定.(2)端点氮原子比中间氮原子带有更多的负电荷.(3)络合物中过渡金属原子的d轨道能级越高,d电子数越多.则氮原子上带的负电荷越多. 相似文献
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Fabrication and Properties of Double-Side Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Film on CeO2 Buffered Sapphire Substrate
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The double-side Tl2Ba2 CaCu2O8 (Tl-2212) superconducting thin films were fabricated on CeO2 buffered sapphire substrates. The reactive magnetron sputtering technique was used to grow CeO2 buffer thin films on sapphire substrates. Making use of the metal cerium as a sputtering source, the depositing rate is much higher compared with the CeO2 target. The Ti-2212 thin films on CeO2 buffered sapphire substrates were fabricated by adc magnetron sputtering and post-annealing process. The x-ray diffraction indicates that the thin film is pure Tl-2212 phase with the e-axis perpendicular to the substrate surfaces, and epitaxially grown on the CeO2 buffered sapphire. The critical transition temperature Tc is around 106K, the critical current density Jc is around 3.5 MA/cm^2 at 77K, and the microwave surface resistance R8 at 77K and 10 CHz of the film is as low as 390μ Ω. 相似文献
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