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This paper describes a new method of adaptive array processing for signals of unknown frequencycharacteristics.Under practical circumstances,it is easier to obtain the estimation of the power spec-trum in the observed direction than to obtain that of the frequency characteristics.Thus the maximumentropy spectral analysis can be used to incorporate with the adaptive array processing. In this paper the autocorrelation function is calculated from the power spectrum and the predictedcoefficients of MEM(maximum entropy method)can be obtained by solving the normal equation of thecorrelation matrix,and the predicted coefficients are used as the constrained conditions of the algorithmfor adaptive array processing. The above method is further extended and an adaptive array processor is presented for the moregeneral cases,in which the signal characteristics in the observed direction are completely unknown.Firstly the space filtering of the adaptive array is performed by the all-pass constrained conditions inthe fr 相似文献
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通过研究孤立二能级原子与双模纠缠相干光场的相互作用,分析了体系中原子偶极压缩量子效应的时间演化规律.体系中作用场模的性质决定了原子偶极压缩程度;同时定义了体系的Cauchy-Schwarz不等式破坏参数ΔV,研究了不同条件下参数ΔV的时间演化特性,Cauchy-Schwarz不等式破坏程度和体系中所具有的非经典特性是一致的;即可以通过调控相干场参数来远程控制体系中的非经典特性.
关键词:
量子光学
双模纠缠相干态
偶极压缩效应
Cauchy-Schwarz 不等式 相似文献
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Fabrication and Properties of Double-Side Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Film on CeO2 Buffered Sapphire Substrate
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The double-side Tl2Ba2 CaCu2O8 (Tl-2212) superconducting thin films were fabricated on CeO2 buffered sapphire substrates. The reactive magnetron sputtering technique was used to grow CeO2 buffer thin films on sapphire substrates. Making use of the metal cerium as a sputtering source, the depositing rate is much higher compared with the CeO2 target. The Ti-2212 thin films on CeO2 buffered sapphire substrates were fabricated by adc magnetron sputtering and post-annealing process. The x-ray diffraction indicates that the thin film is pure Tl-2212 phase with the e-axis perpendicular to the substrate surfaces, and epitaxially grown on the CeO2 buffered sapphire. The critical transition temperature Tc is around 106K, the critical current density Jc is around 3.5 MA/cm^2 at 77K, and the microwave surface resistance R8 at 77K and 10 CHz of the film is as low as 390μ Ω. 相似文献
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