籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体

采用改进的垂直布里奇曼(MVB)法并引入籽晶生长技术,成功生长出直径60mm,单晶体积超过200cm3的CdZeTe(CZT)晶锭.根据CZT 晶片在近红外(NIR)波段的透过谱,由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量,进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1.30;分析了晶片在中红外波段内的红外透过率,发现波数在2000～4000cm-1内透过率平直且较高,超过60;,而从2000cm-1到500cm-1随波数的减小透过率急速下降至零;由钝化后的Au/CZT晶片的I-V曲线,计算得到生长态CZT晶片的电阻率ρ达到1.8×109～2.6×1010Ω·cm.     

有限时宽序列的Semi-Blind反褶积——Ⅱ.非线性问题

本文继文献[1]进一步研究Semi-Blind反褶积的非线性问题。在Z变换域中,通过利用多项式方程根与系数的关系,得到了若干定理,表明对于某些x(n),y(n)序列,仅需已知x(n),y(n)头尾共两个采样点,由z(n)便可以唯一地确定全部x(n),y(n)。文中就几种已知条件,给出了由z(n)可以唯一确定的x(n),y(n)信号类应满足的充要条件。此外,还给出了一种非线性Semi-Blind反褶积的实现方法及计算机实验结果。     

非线性Sobolev-Galpern方程解的blow up

本文研究非线性Ｓｏｂｏｌｅｖ－Ｃａｌｐｅｒｎ方程的初边值问题整体解的不存性即解的爆破问题,用能量估计方法并借助于Ｊｅｎｓｅｎ不等式证明了非线性Ｓｏｂｏｌｉｖ－Ｇａｌｐｅｒｎ方程各种初边值问题在某些假设下不存在整体解。     

辛烷基苯酚聚氧乙烯醚与正癸醇层状液晶的结构及润滑性能研究

用小角Ｘ射线衍射和自旋标记电子自旋共振（ＥＳＲ）方法测定辛烷基苯酚聚氧乙烯醚与正癸醇体系层状液晶的结构。用高速环－块摩擦磨损试验机考察了不同组分含量的层状液晶对铝合金－钢摩擦副的润滑作用。结果表明：随着水含量的增加,层状液晶稳定性降低,润滑效果变差;随着辛烷基苯酚聚氧乙烯醚含量的增加,层状液晶的稳定性增加,润滑性能提高。     

Synthesis and characterization of NaAlSi_2O_6 jadeite under 3.5 GPa

The high pressure and high temperature(HPHT) method is successfully used to synthesize jadeite in a temperature range of 1000℃–1400℃ under a pressure of 3.5 GPa. The initial raw materials are Na_2SiO_3·9H_2O and Al_2(SiO_3)_3.Through the HPHT method, the amorphous glass material is entirely converted into crystalline jadeite. We can obtain the good-quality jadeite by optimizing the reaction pressure and temperature. The measurements of x-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM), Fourier-transform infrared(FTIR) and Raman scattering indicate that the properties of synthesized jadeite at 1260℃ under 3.5 GPa are extremely similar to those of the natural jadeite. What is more, the results will be valuable for understanding the formation process of natural jadeite. This work also reveals the mechanism for metamorphism of magma in the earth.     

移动加热器法生长CZT晶体的成分及缺陷均匀性研究

采用移动加热器法,成功生长出尺寸为φ55 mm×70 mm的CdZnTe晶体.采用电子探针、光致发光谱等方法,测试了晶体径向的成分和缺陷分布,并与垂直布里奇曼法生长的同成分CdZnTe晶体进行了对比分析.结果表明,移动加热器法生长的CdZnTe晶体沿径向的成分和缺陷分布均匀,均优于垂直布里奇曼法生长的晶体.     

用于微波滤波器的Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

本文报导用磁控离子溅射和后热处理方法在LaAlO3(001)衬底上制作2英寸双面Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212) 超导薄膜的方法和薄膜的特性.XRD测试表明薄膜具有纯的Tl-2212相和c轴垂直于膜面的织构.衬底两侧薄膜的结晶形貌和超导电性均匀,超导转变温度Tc一般为105 K左右,液氮温度下临界电流密度Jc>2×106A/cm2,10GHz频率下表面电阻最小达到350μΩ,可满足超导微波滤波器实用的需要.     

Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶低温光致发光谱研究

采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进而影响了晶体的物理性能及器件的使用。低温光致发光(PL)谱作为一种无损检测方法,可以用于研究不同条件下生长的Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶中的点缺陷和杂质的能级状态。对比富Te条件下生长的未掺杂ZnTe和CdTe晶体在8.6 K下的PL谱可以发现,电阻率较低的p型ZnTe晶体,其PL谱中,电子到中性受主复合发光峰(e, A0)强度高于施主-受主对复合发光峰(DAP),而高电阻率阻n型CdTe晶体则刚好相反,这可能是由于生长速率及降温过程的热经历不同导致占主导的本征点缺陷类型不同造成的。按化学计量比生长的未掺杂CdZnTe晶体,其PL谱中自由激子发光峰(D0, X)占主导,而(e, A0)峰强度高于DAP峰,变温PL谱测试表明当温度高于15 K时,(e, A0)峰与DAP峰逐渐叠加在一起。In掺杂导致在富Te条件下生长的CdZnTe晶体的PL谱中产生明显的A中心复合发光峰,与导带的能量差约为0.15 eV,主要与In补偿Cd空位形成的复合体[In+_CdV2-_Cd]-有关,且其强度与In掺杂元素的含量成正比。     

修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜

采用修饰Langmuir-Blodget(LB)膜法以二十烷酸(AA) LB膜为模板, 通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合, 制备了AA/PEDOT复合LB膜. 实验分析表明薄膜具有较好的层状有序结构, 并进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性, 这与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关; 研究了薄膜导电性能, 发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变, 这与多层膜中导电通道的“渝渗”有关, 在有效导电网络连通后电导率发生了突变. 测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和十八胺-硬脂酸/聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(ODA-SA/PEDOT-PSS)复合膜.     

在Sn1+1空间中具有常数量曲率的类空超曲面的高斯映射

在这篇文章中,我们研究在de Sitter空间中具有非负常值的第r个平均曲率的紧致的类空超曲面.我们证明了在合适的条件下紧致的类空超曲面是全脐的.