[Cu2I2(tptz)]n的合成和晶体结构研究

用溶液法以碘化亚铜和tptz反应得到Cu(Ⅰ)的配位聚合物[Cu2I2(tptz)]n(1)(tpzt=2,4,6-tris(pyrazole-1-yl)-1,3,5-s-triazine),对该化合物进行了元素分析,红外光谱,XRD,热重等表征,并测定了它的单晶结构.配位聚合物[Cu2I2(tptz)]n(1)属单斜晶系,C2/c空间群,晶体学数据为:a=1.30683(17)nm,b=1.25425(16)nm,c=1.14732(15)nm,β=94.940(2)°,Z=4.tptz以双联吡啶形的配位方式和Cu(Ⅰ)配位形成一条Z字形的1D链.     

汞（Ⅱ）的三元离子缔合物浮选及其应用于光度法测定水中痕量汞（Ⅱ）

在pH 6.5的微酸性溶液中,汞(Ⅱ)与碘离子形成的络阴离子HgI2-4和亚甲基蓝的阳离子MB 生成离子缔合络合物;在分液漏斗中与一定量的苯振摇后,该缔合物[HgI2 4]·2[MB ]以第三相的形态在水相与苯相之间浮选析出.将水相及有机相弃去,用丙酮将析出的浮选相溶解后在657 nm波长处测定其吸光度.汞(Ⅱ)量在12.0～22.0 mg/25 mL内服从比耳定律,摩尔吸光率为3.5×105>L·mol-1·cm-1,方法的检出限为5.1×10-7 mol·L-1.对12.0 μg/25 mL汞(Ⅱ)标准按方法连续测定11次,算得测定结果的相对标准偏差为3.98%.应用所提出的方法以合成水样为基体,加入汞(Ⅱ)标准溶液进行回收试验,测得回收率在94.8%～100.1%之间.     

一类无穷维Hamilton算子的谱

研究了一类无穷维Hamilton算子的近似点谱及本质谱.进而通过无穷维Hamilton算子内部元素的乘积的谱对整体谱进行了刻画,最后证明了结论的正确性.     

聚偏氟乙烯接枝甲基丙烯酸甲酯油水分离膜的研究

使用四乙基氢氧化铵(TEAH)液相本体改性聚偏氟乙烯(PVDF),以过氧化苯甲酰(BPO)为引发剂,将甲基丙烯酸甲酯(MMA)接枝到改性PVDF骨架上,合成聚偏氟乙烯接枝聚甲基丙烯酸甲酯(PVDF-gPMMA)共聚物,通过浸没沉淀法制备PVDF-g-PMMA亲水性油水分离膜.通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)和过滤试验分析了膜的结构和性能.同时研究了TEAH浓度和改性时间对PVDF-g-PMMA膜表面接触角的影响.结果表明,TEAH使PVDF脱去HF产生碳碳双键且MMA成功接枝到改性的PVDF骨架上,膜内外孔隙分布均匀;PVDF-g-PMMA膜的接触角随着TEAH浓度的增加、改性时间的加长而减小.TEAH浓度为2.0 wt%,改性20 min制备的PVDF-g-PMMA膜,接枝率为27.1%,孔隙度为71.6%,平均孔径为78.9 nm,接触角降至55.9°,且在50 s内降为0;纯水通量提高到665.34 L/(m2·h),截留率和水通量恢复率分别达到95.6%和90.1%.与纯PVDF膜相比,PVDF-g-PMMA膜的分离性能显著提高.     

过渡金属复合氧化物电子组态与表面光伏响应的关系(Ⅰ)──M(Ⅱ)铁酸盐(M=Cu,Co,Ni)的研究

利用表面光电压谱及场诱导表面光电压谱研究了部分过渡金属复合氧化物的电子组态与其光伏响应的关系.结果表明,在过渡金属M(M＝Cu,Co,Ni)铁酸盐系列样品中,开壳层的Cu(Ⅱ)(铁酸盐)和CO(Ⅱ)(铁酸盐)的电荷转移跃迁(CT)具有双激发态的成分,其中含有较强的低能电子跃迁;与它们相比,闭壳层的Ni(Ⅱ)铁酸盐的CT跃迁则需要较大的能量.三者的FISPS证实了它们具有不同的CT跃迁性质,为其催化反应机理研究提供了微观信息.     

FTIR study of hydrogen bonding of stearic acid with ethanol, dimethyl sulfoxide,and acetonitrile in supercritical CO_2

FTIR spectroscopy was used to study the hydrogen bonding of stearic acid with ethanol, dimethyl sulfoxide (DMSO),and acetonitrile in supercritical CO_2 at 318.15 K, and 12.5 and 16.5 MPa. The concentrations of the cosolvents range from 0—0.6 mol·L~(-1). The area percentage of absorption bands for hydrogen-bonded and nonhydrogen-bonded species was obtained from the IR spectra. The acid and the cosolvents can form hydrogen bond even when their concentrations are very low. At fixed solute concentration, the extent of hydrogenbonding increases with cosolvent concentration. At higher ethanol concentrations, it seems that one stearic acid molecule can hydrogen bond with more than one ethanol molecules simultaneously. It is seen that the strength of the hydrogen bond formed by the acid and the cosolvents is in the order: DMSO>ethanol>acetonitrile.     

Solubility of stearic acid in supercritical CO_2-acetonitrile mixtures

The solubility of stearic acid in supercritical CO2 with acetonitrile (CH3CN) cosolvent was measured at 318.15 K in the pressure range from 9.5 to 16.5 MPa, and the cosolvent concentration ranges from 0. 0 to 5.5 mol% . The solubility increases with acetonitrile concentration and pressure, and it also increases with the apparent density of CO2 d1(moles of CO2 in per liter of fluid) at higher cosolvent concentrations. At lower d1, however, the solubility of the acid at lower acetonitrile concentrations is lower than that in pure CO2 provided that d1 is fixed, which is discussed qualitatively based on the clustering of the components in the system.     

微孔树脂镶嵌的α-Fe2O3纳米粒子催化苯酚过氧化氢羟化研究

由于特殊的尺寸效应,纳米材料的晶粒间界面在整个材料中占有极大比例,这使其表现出与同质常规固体材料完全不同的物理化学性质［１］．纳米材料的这种特殊性质在催化反应中往往会表观出异常的催化活性［２］．微孔树脂由于材料不同,在其孔道结构内会形成不同的微环境,...     

化学气相沉积GaN半导体薄膜的研究

以Ga2O3和NH3为原材料,采用化学气相沉积法在Si(111)基板表面制备了GaN半导体薄膜。采用XRD和AFM等分析测试手段对薄膜的相组成和显微结构进行了表征。采用四探针法对薄膜的电导率进行了测量。重点研究了薄膜的沉积温度对薄膜相组成及显微结构的影响。结果表明:当沉积温度大于1100℃时,可在Si(111)基板表面上沉积微晶GaN薄膜;随沉积温度的升高,薄膜的结晶程度提高,取向性增强;延长保温时间有利于沉积更为致密而结晶良好的薄膜;薄膜的面电导率随外电场强度的增加而增加;在强电场作用下,电流密度与电场强度不再服从欧姆定律关系;PL谱分析表明所制备的薄膜具有463 nm、488.5 nm和531.5 nm三个发射峰。     

考虑耦合质量影响的饱和多孔介质动力响应分析的显式有限元法

根据Biot饱和多孔介质动力方程,采用解耦技术,提出了考虑耦合质量Pd影响的饱和多孔介质中动力响应分析的显式有限元法。文中建立并推导了显式有限元的公式,编制了相应的计算程序并进行了实例计算。计算结果与解析解进行了对比,两者符合很好,表明本文方法是处理饱和多孔介质动力问题的一种有效方法。文中还分析了耦合质量ρa对固相和液相动位移的影响。