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111.
高效液相色谱法测定忍冬藤和叶中8种活性成分 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了多波长分析忍冬藤和叶中化学成分含量的高效液相色谱分析方法,色谱柱为Aglient Zorbax80A,Extend-C18(4.6mm×250mm,5μm);流动相为0.3%甲酸-乙腈,梯度洗脱;流速为1.5mL/min;检测波长为240、330、360nm;柱温38℃。各指标成分的检出限均低于0.29mg/L;精密度RSD均低于2.29%;标准加入的回收率为91.2%~103.6%。应用新建立的方法测定了7个不同产地忍冬藤和叶中8种活性成分的含量。该方法简单、快速、准确,可用于忍冬藤和叶的质量控制。 相似文献
112.
Considering a two-level atom interacting with the competing two-mode field, this paper investigates the entanglement between the two-level atom and the two-mode field by using the quantum reduced entropy, and that between the two-mode field by using the quantum relative entropy of entanglement. It shows that the two kinds of entanglement are dependent on the relative coupling strength of atom-field and the atomic distribution, and exhibit the periodical evolution. The maximal atom-field entanglement state can be prepared via the appropriate selection of system parameters and interaction time. 相似文献
113.
自行设计研制了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波直接通过石英窗口产生右旋圆极化波,由Nd—Fe—B永磁磁钢形成高强磁场,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生均匀的高密度等离子体。利用该系统,结合光刻技术和反应离子束刻蚀技术,在以碳氢(CH)等元素为主要组成的有机聚合物(PMMA)表面制备出线宽3-4μm的光栅形图形。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,所得图形线条清晰,侧边比较陡直。 相似文献
114.
115.
本文对InGaAsP/InP(DC-PBH)激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究,提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方(Br_2/HBr),对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺,同时探索了利用二次外延过程中Zn扩散来控制限制层(3)掺杂的新方法,在研究基础上制造了重现性好且性能良好的1.3μm激光二极管,室温时,阈值电流最低小于25mA,典型值为30mA,在60mA直流电流的驱动下,光输出功率高达12.5mW. 相似文献
116.
在氯化十六烷基吡啶存在下水杨基荧光酮与Te(IV)显色反… 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了阳离子表面活性剂氯化十六烷基吡啶(CPC)存在下,pH4.8的HOAc-NaOAc缓冲介质中,Te(IV)与过量的水杨基荧光酮(SAF)形成1:4的稳定佤合物,其最大吸收波长为534nm,表现摩尔吸光系数为1.47×10^5,Te(Ⅳ)浓度在0~8μm/25ml范围内遵守比耳定律,建立了水相测定硒中微量碲的吸光光度法,获得了满意的结果。 相似文献
117.
118.
A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor
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With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) device (with an emitter area of about 880μm^2) is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm (about 977mW) is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively. 相似文献
119.
We show analytically that in phase-mismatched second-harmonic generation, an effective diffraction is induced at the second-harmonic (SH) frequency. Numerical simulation results agree with the analytical predictions. Compared to the case of linear propagation, the effect of the overall diffraction at the SH frequency becomes doubled due to the induced diffraction, which causes an interesting result that the SH beam width will be larger than that of the fundamental field. 相似文献
120.
We have investigated the evolution of the atomic quantum entropy and the entanglement of atom-photon in the system with competing k-photon and l-photon transitions by means of fully quantum theory, and examined the effects of competing photon numbers (k and l), the relative coupling strength between the atom and the two-mode field (A/g), and the initial photon number of the field on the atomic quantum entropy and the entanglement of atom-photon. The results show that the multiphoton competing transitions or the large relative coupling strength can lead to the strong entanglement between atoms and photons. The maximal atom-photon entanglement can be prepared via the appropriate selection of system parameters and interaction time. 相似文献