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71.
邓传斌  钱振明 《实验力学》1997,12(2):204-208
界面剪切强度及纤维强度分布参数是复合材料设计及研究中的重要参数,本文采用单纤维埋入法测定了上述两个参数。通过实验研究了单纤维段埋入法是一种测定界面剪切强度及纤维强度分布参数的有效的实验方法,同时证实了基休的力学性能对界面剪切强度有着重要的影响。全部实验在自制绵实验系统上的完成。  相似文献   
72.
本文利用非线性时空有限方法和样条有限元技术对具有初内力的板的非线性频响特性进行了分析,计算了在不同初始内力下方板的大振幅自由振动、有阻尼强迫振动和矩形板的内共振。  相似文献   
73.
论述了基于复杂网络的演化博弈.通过介绍相应的演化博弈模型-囚徒困境模型以及一些复杂网络,鉴于复杂网络的优点以及博弈演化的特性,将两者巧妙的结合起来,介绍了研究这类问题的一些方法.  相似文献   
74.
以感应熔炼和不同的热处理工艺制备了La4MgNi19合金, 用X射线衍射(XRD)和电化学测试系统研究了该合金的相结构和电化学性能. 结构分析表明: 当热处理工艺为900 °C+水淬时, 合金主要由CaCu5结构的LaNi5相和少量未知相组成; 当热处理工艺为900 °C退火时, 合金主要由Pr5Co19、Ce5Co9结构的(La, Mg)5Ni19相及少量CaCu5结构的LaNi5相组成. 淬火和退火后合金的电化学循环稳定性(S100)分别为49.7%及76.0%, 合金电极的电化学性能和相结构密切相关. 退火热处理有利于生成Pr5Co19、Ce5Co9型相. 在La-Mg-Ni 系储氢合金中, La4MgNi19合金电化学循环稳定性不及La3MgNi14合金.  相似文献   
75.
课本中的例题都是经过编者的深思熟虑、反复斟酌而精心设计的,研究和运用好例题往往能收到会一题而通一类的效果.笔者在实际教学过程中发现:分析好课本例题,发挥好它的示范和辐射作用  相似文献   
76.
文章报道了一种通过在微型电极上加交流电场,实现有控制地高速度转动纳米线的通用方法.纳米线的转动可以被瞬时启动或瞬时停止,转动速度(每分钟至少可达1800 rpm),方向和总转动角度都可被精确控制.文章作者推导出了流体阻力在不同长度纳米线上施加的转矩,还用一根转动的纳米线作为微型电动机,推动灰尘颗粒做圆周运动.这种方法可以被用来转动磁性的或者非磁性的纳米线,甚至碳纳米管.这和微流机械,微搅动机,以及MEMS的关系显而易见.  相似文献   
77.
破片聚焦战斗部威力设计通常针对静爆条件,但在实战条件下,由于弹目相对速度和战斗部沿轴线方向破片初速梯度的影响,破片动态飞散角将重新合成,导致聚焦破片散开,破片在靶面的分布密度大为降低(可降低到静态条件的1/2)。采用射击迹线法对破片聚焦战斗部在静爆和动态条件下的破片飞散过程和破片在靶面的分布密度进行了仿真研究,提出了破片聚焦战斗部的动态杀伤威力设计概念,以破片平行聚焦战斗部为例给出了动态杀伤威力的实现方法。  相似文献   
78.
刘伟民 《物理》2005,34(08):589-595
文章主要介绍了紫细菌Rhodobacter sphaeroide光合作用原初过程中的两种重要的功能体——捕光天线和反应中心的超快光物理研究, 利用飞秒抽运-探测和飞秒瞬态吸收探测技术已经对捕光天线内两种色素(B800和B850)内部或之间的能量传递过程作了广泛的研究和测试, 其能量传递过程发生在几百飞秒至几个皮秒时域; 而在反应中心中,在几种色素间的电荷分离以及电子传递过程也仅为皮秒量级.  相似文献   
79.
具有雷达波隐身功能的红外窗口的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种既高效透过红外光,同时又能有效屏蔽电磁干扰的金属网栅薄膜的基本原理和制备工艺.分析了网栅参数对其光学及电磁性能的影响,推导了金属网栅结构参数对雷达波屏蔽效率和透红外关系式.理论研究表明,金属网栅的周期选择在200~400μm之间,线宽不大于10μm,是较为理想的网栅参数.通过使用光刻和镀膜技术,在红外基片上制作线条宽度小于10μm,周期约350μm的金属网栅.  相似文献   
80.
二维Janus WSSe作为一种新兴的过渡金属硫族化合物(TMDs)材料,由于其打破了面外镜像对称性,且具有内在垂直压电和强Rashba自旋轨道耦合效应等丰富的物理特性,在自旋电子器件中具有巨大的应用潜力。本文基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算了过渡金属原子X(X=Mn、Fe、Co)掺杂单层Janus WSSe的电子结构、磁性和光学性质。结果表明:在Chalcogen-rich(硫族元素为多数元素)条件下的掺杂比在W-rich(钨元素为多数元素)条件下的掺杂展现出更高的稳定性,且掺杂后所有体系均表现出磁性。值得一提的是,对该体系进行Mn掺杂后,自旋向上通道出现杂质能级,WSSe由原来的非磁性半导体转变成磁矩为1.043μB的铁磁性半金属。而Fe、Co的掺杂使得自旋向上通道和自旋向下通道均出现杂质能级,呈现出磁矩分别为1.584μB、2.739μB的金属性。此外,掺杂体系的静态介电常数都显著增加,极化程度增强,且介电函数虚部和光吸收峰都发生了红移,说明掺杂有利于对可见光的吸收。  相似文献   
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