丝阵Z箍缩实验1维X光辐射功率分布

 在Angara-5-1联合实验中，利用条纹像机和光纤阵列实现时间分辨和1维空间分辨，得到了丝阵条纹像，观察到丝阵负载箍缩区X光辐射的1维轴向空间分布信息随时间的演化过程，考察了内爆的同步性和均匀性。通过对比不同结构负载内爆等离子体X光1维时空分布信息，发现由于内层等离子体对磁流体瑞利-泰勒不稳定性的抑制作用，(40+20)根双层钨丝阵比60根单层钨丝阵的内爆轴向同步性好，产生的X光辐射功率高；由于负载存在弯曲、断丝、扭曲等现象，(60+30)根双层钨丝阵比90根单层钨丝阵的轴向同步优势不明显；轴向同步性好与辐射功率高之间存在相关性；辐射波形前沿较快时，X光功率较高。     

Structure Characterization of HSQ Films for Low Dielectrics Using D5 as Sacrificial Porous Materials

Low-density materials, commercially available hydrogensilsesquioxane （HSQ） offer a low dielectric constant. HSQ films can be obtained by spin on deposition （SOD）. In this work, low-dielectric-constant HSQ films are prepared by using D5 （decamethylcyclopentasiloxane） as sacrificiaJ porous materials. The dielectric constant of silica films significantly changes from 3.0 to 2.4. We report the structural aspects of the films in relation to their composition after annealed at 300℃, 400℃, and 500℃ for 1.5h in nitrogen ambient and annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. Si-OH appears after annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. The results indicate that the proper condition is in nitrogen ambient. Intensity of the Sill peak increases with the increasing temperature. Fourier transform infrared spectroscopy is used to identify the network structure and cage structure of Si-O-Si bonds and other possible bonds. Dielectric constant k is significantly lowered by annealing at 350℃ for 1.5h in nitrogen ambient. The I-V and C-V measurements are used to determine the dielectric constant, the electric resistivity and the breakdown electric field.     

Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy

The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy （HVPE） is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode.     

Strongly Correlated Effect in TiS2

The thermoelectric compound TiS2 is studied by using the full-potential linearized augmented plane-wave method on the density functional theory with the generalized gradient approximation （GGA） as well as the on-site Coulomb interaction correction （＋U）. The Seebeck coefficient of TiS2 is calculated based on the electronic structure obtained within the GGA under the consideration of the on-site Coulomb interaction. The calculated Seebeck coefficient at 300K shows that Coulomb interaction U in the range of 4.97-5.42eV is important to reproduce the experimental data. The obtained energy gap Eg around 0.05 eV indicates that TiS2 is an indirect narrow-gap semiconductor.     

川木香水热法一步合成荧光碳量子点及光学性能研究

以中药材川木香原药为碳源，采用水热法一步合成了荧光碳量子点。通过水热法实验条件优化，获得制备荧光碳量子点的最佳实验参数，通过透射电镜(TEM)对荧光碳量子点进行形貌表征，通过X射线光电子能谱分仪(XPS)对荧光碳量子点进行元素组成分析，通过荧光光谱和紫外-可见吸收光谱对荧光碳量子点进行了光学性能研究。结果表明：川木香用量1.00 g,水热反应温度180℃,水热反应时间2.0 h时，制备得到的荧光碳量子点光学性能最佳。荧光碳量子点平均粒径为5 nm,主要含有C元素和O元素，最大激发波长为360 nm,对应的发射波长为420 nm,特征吸收峰为280 nm,量子产率为12.9%。     

V-系统的快速变换算法

V-系统是L²[0,1]上的一类完备正交分段多项式函数系，由于其基函数的间断特性，在非连续信号的表达与分析上优势显著。然而，在目前的V-系统变换算法中，对于一个长度为N的信号，不仅需要事先生成并存储一个N阶的正交矩阵，而且其时间复杂度高达Ο(N³)。为实现对大规模数据的高效处理，从V-系统的多分辨率分析角度出发，设计并实现了V-系统的快速分解与重构算法，不仅无须存储额外信息，而且其时间复杂度仅为Ο(N)。测试结果表明，提出的快速算法能够满足大规模数据高效处理要求，为V-系统在更多领域的应用奠定了基础。     

指数平均Bezier曲线族

利用指数平均族与Bezier曲线结合定义了指数平均Bezier曲线族．首先研究了指数平均族，阐述了指数平均族的单调性和正规性，其次由Bernstein函数定义得到n次s阶指数平均Bernstein函数，讨论了它与函数f之间的关系，最后，研究指数平均Bezier曲线族的性质，讨论了它的升阶，de casteljan算法，分割定理等．     

液相色谱-电喷雾串联质谱法测定血浆中二氢麦角胺及其8''''-羟基代谢物

二氢麦角胺(DHE)是一种半合成麦角生物碱类药物,临床上主要用于预防和治疗偏头痛及直立性低血压[1].由于经历广泛的首过代谢,该药口服后血药浓度不足1 μg/L,因此需要高灵敏度的分析方法对其血药浓度进行监测.有文献报道采用放射免疫法[2]和HPLC-荧光检测法[3]测定DHE的血浆浓度,但由于选择性和灵敏度较差,这些方法不能满足口服药动学研究的需要.本文旨在建立快速、高灵敏、高选择性的液相色谱-电喷雾串联质谱法(LC-MS-MS),同时测定DHE及活性代谢产物8'-羟基二氢麦角胺(8'-OH-DHE)的血浆浓度,以研究该药口服给药的药动学特点.     

利用原子层外延方法制备的ZnS:Er3+薄膜的交流电致发光特性

采用原子层外延方法(ALE)制备了ZnS:Er3+交流电致发光(ACEL)薄膜,得到了明亮的绿色EL。发现了随Er3+离子浓度增加,对应于4F9/2→4I15/2跃迁的谱线强度增加甚至超过2H11/2→4I15/2跃迁的谱线强度。通过对EL衰减的分析,发现了绿红比随外加电压的变化关系以及EL光谱与温度的关系。在Er3+离子浓度较高时,Er3+离子之间发生明显的能量传递。提出了Er3+离子间的交叉驰豫模型并计算了交叉弛豫速率,同拟合衰减曲线得到的值相比,两者符合得较好。     

问题1748的推广及应用

1 问题的提出 <数学通报>2008年第8期刊出的1748号问题是:若a1,a2,a3,a4∈R+,a1+a2+a3+a4=s.