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粒子模拟和实验研究发现磁绝缘线振荡器(MILO)的起振电压会随注入工作电压的增大而增大, 通过进一步的分析与研究, 找到了引起该现象的根本原因, 即随着注入工作电压的增大, 工作电压上升前沿的斜率必然增大, 上升前沿斜率的增大必然引起起振电压的增大, 当斜率无限大时, MILO的起振电压等于工作电压. 因此, 工作电压上升前沿斜率的变化是引起MILO器件起振点变化的根本原因; 当注入电压上升沿的斜率固定不变时, 同一MILO器件的起振点不变, 即对应的起振电压值不变; 当注入电压上升沿的斜率增大时, 同一MILO器件的起振点对应的起振电压值随之增大. 对MILO器件的自磁绝缘临界电流公式进行了部分修正.
关键词:
磁绝缘线振荡器
工作电压
起振电压
工作曲线 相似文献
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采用数值模拟与实验相结合的方法,在没有功率容量不足问题的情况下,研究了磁绝缘线振荡器(MILO)的输出微波脉宽和功率效率与类似三角形二极管电压的关系,研究结果表明:在相同宽度的电压条件下,随着电压幅度的增大,输出微波的底宽和半高宽相应增大,功率效率先增大,当达到饱和后功率效率逐渐降低;在相同电压幅度条件下,随着二极管电压上升沿(斜率不变)的增大,输出微波的半高宽略有增大,但功率效率略有降低。因此,在有限脉宽的类似三角形二极管电压条件下,通过增大二极管电压上升沿的方法,可以有效地增大输出微波脉宽;而在有限电压幅度条件下,通过减小电压上升沿的方法,可以有效地增大输出微波的功率。选择适当的二极管电压参数,可以解决MILO器件在类似三角形二极管电压条件下的输出微波功率和脉宽两个指标相匹配的问题。 相似文献
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给出了赝火花开关所需辉光放电腔的具体要求,对赝火开关辉光放电腔进行了优化设计,并对优化后的放电腔进行了粒子模拟和实验研究。粒子模拟结果表明:此放电腔为辉光放电腔,辉光放电建立时间约18.5 ns;辉光放电时,此放电腔阴极位降占整个电位降的主要部分,且阴极位降区净离子密度为一常数。实验结果显示:此放电腔为辉光放电腔,其工作在Paschen曲线最低点左侧,放电电压随气压的升高而降低;当辉光放电电流为0.14~3.60 mA时,放电模式为正常辉光放电。 相似文献
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通过理论研究,提出了采用高功率微波(HPM)脉冲压缩双路并联功率合成的办法,使用同样一套微波源可使微波输出功率比单路输出提高1.5倍以上。脉冲压缩双路并联功率合成,实际使把直接输入型矩形波导腔以开关为对称轴做了一个镜像波导,并把两者连接起来。由于对称,两者工作情况一样,开关至两个H-T口中线之间的距离是1,4波长的奇数倍,其储能腔长是1/2波长的整数倍。开关导通时,开关处可以看作放了一个短路板,这样储能谐振腔就被分为两个对称部分,一起输出脉冲。由于两部分的输出功率大小一样而相位相反,因此,用一个E-T合成器就使两路输入功率相加后输出,输出功率将大大提高。 相似文献
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本文推导了基于模式耦合理论的方程组,用于加快和简化折叠波导器件中矩形过渡结构的设计过程。作为功率耦合结构的一个重要组成部分,两种常用的结构将被考虑用来匹配折叠波导慢波结构的矩形波导TE10模式和标准输出矩形波导中的TE10模式。通过比较发现,在同样的反射水平下,锥形过渡结构比阶梯过渡结构长得多,但同时前者却自然具有更快的带宽和对结构误差不敏感的特性。作为算例,设计了220 GHz折叠波导返波管中可能用到的阶梯过渡结构和锥形过渡结构,并进行了误差分析。设计过程中用到的理论方法最终用数值模拟的方法进行了验证,取得了很好的一致性。基于该高精度理论方法的设计耗时不过几分钟。 相似文献
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多注速调管采用多个低导流系数的电子束并行工作,相对于常规单注结构速调管具有工作电压低、效率和增益高等特点,但多电子束特性会带来新的影响.本文基于这方面需求,对强流多注电子束在多注器件结构中的传输特性进行了理论分析、计算机模拟和初步实验研究,研究结果表明多注电子束各束之间的空间电荷力作用会使得电子束绕系统中心旋转,而各束自身的空间电荷力作用,会使得电子束绕束自身中心旋转,并发生扩散,两种作用都可能会使得电子束在传输过程中发生损失. 相似文献
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提出并研制成功了开耦合孔锁定的长脉冲、重复频率运行的相对论扩展互作用腔振荡器(REICO)。将数值模拟和实验研究紧密结合,分析了长脉冲REICO实验中模式竞争和脉冲缩短的根源,提出了开耦合孔的三间隙扩展互作用腔结构,有效抑制了长脉冲束流调制的模式竞争和脉冲缩短问题,使调制束流脉宽由60 ns提高到140 ns,调制束流由2 kA提高到5 kA,经过优化REICO参数,使器件的辐射微波功率和效率有了明显提高。采用500 kV/4.2 kA/210 ns/20 Hz的电子束驱动S波段REICO,实现了峰值功率570MW、频率2.89 GHz、脉宽大于160 ns、重复频率20 Hz的辐射微波稳定输出,功率效率27%,能量效率23%。 相似文献
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设计了一种非浸没式小型化轴向无箔二极管,其阴极发射区位于螺线管中心孔以外,采用螺线管、永磁体和软磁体构成的复合引导磁场系统。采用CST优化设计二极管结构,使其满足800 kV电压下绝缘要求; 优化设计磁场系统结构及物理参数,使其满足引导强流相对论电子束高效率传输的要求。采用粒子模拟(PIC)软件仿真电子束产生及传输过程,验证其高传输效率。设计的阳极筒直径比原结构缩小约40%,在产生同样均匀区轴向磁场强度情况下,引导磁场重量和功耗比原结构降低约40%,仿真结果显示主引导磁场0.85 T下,8 kA电流能够实现100%传输效率。 相似文献