220 GHz折叠波导返波管束流光学系统设计和实验研究

本文介绍了220 GHz折叠波导行波管电子束流光学系统的设计过程。总体来讲,该系统可分为收敛性皮尔斯电子枪、 磁聚束段和单极降压收集极。对于一个工作在太赫兹频段的电真空器件而言,极其细长的束流孔道让电子注以较高的流通率穿过慢波结构变得十分困难。空间电荷效应,加工装配精度和热初速等原因都是限制流通率的重要原因。研发一个具有足够流通率的实用束流光学系统对于220 GHz折叠波导返波管的研制是迫切的且十分棘手的任务。通过理论方法和数值工具,系统的三个部分将先后被设计,以满足束波互作用分析提出的电子注要求。基于这样的设计和开展的误差分析,流通管样管成功封管并进行了初步测试。实验数据表明这样的束流光学系统可以产生15.4 kV,22 mA的电子注,并能以80%以上的流通率通过直径0.19 mm,长30 mm的束流管道。     

Numerical Simulations of Backward-to-Forward Leaky-Wave Antenna with Composite Right/Left-Handed Coplanar Waveguide

A composite right/left-handed （CRLH） coplanar waveguide （CPW） structure and its leaky-wave antenna （LWA） with continuous backward-to-forward scanning applications are proposed. The structure of the CRLH transmission line （TL） is composed of split-ring resonators （SRRs） for left-handed （LH） series capacitance and short-circuited stubs connected between the CPW central signal line and the ground for LH shunt inductance, while the unavoidable right-handed （RH） parasitic effects series inductance and shunt capacitance are generated by wave propagation through the host transmission line. The dispersion relations are calculated and compared with the equivalent circuit model method and 3D full-wave simulations, which can be used to determine the physical dimensions of the CRLH-CPW, such as in the balanced CRLH-TL case. As a main example, a CRLH-CPW-LWA operating from 1.67 GHz to 1.80 GHz with the dispersion characteristics of the balanced CRLH-TL case shows continuous leakage frequency band （fast wave region） from LH （phase constant β 〈0, .67〈f〈1.74 GHz） to RH （β〉0, 1.74〈f〈1.80 GHz） state through the transition frequency point （β=0, f=1.74 GHz）, whereas conventional LWAs operated in RH state only provide forward scanning capabilities （β〉0）.     

超导加速器CW模式的高阶模初步分析

 超导加速器由于具有极高的Q值,因此表现出较强的腔束相互作用,尤其是在以CW模式运行下,严重时会产生束流崩溃(BBU)效应。德国TESLA式的9-cell超导串腔在束流负载为1 mA,束团重复频率为81.25 MHz情况下,对其高阶模的产生及相应的功率水平进行了分析。结果表明：对于该腔的主要高阶模,谐振偏差值在π/4以上,束流没有发生谐振,高阶模功率在mW量级。     

疏水化水溶性两性纤维素接枝共聚物与粘土的相互作用

运用紫外光谱法研究了疏水化水溶性两性纤维素接枝共聚物(羧甲基纤维素接枝丙烯酰胺及N,N 二甲基辛基(2 甲基丙烯酰氧乙基)溴化铵的共聚物, CGAO)在粘土上的吸附,考察了聚合物浓度、无机盐浓度、温度、 pH、 表面活性剂和粘土浓度等因素对CGAO在粘土上吸附量的影响,以及通过X射线衍射分析了CGAO在粘土上的吸附位置.结果表明， CGAO在粘土上的吸附规律与一般聚合物有很大差别,而且CGAO未深入到粘土晶层间,只在其表面吸附. 粘土与CGAO作用前后的粒度分析表明CGAO对粘土粒子有很好的桥接聚集作用. 扫描电镜分析显示粘土与CGAO作用后,其颗粒形态发生了显著变化.     

5‘—硝基水杨基荧光酮双波长标准加入分光光度法同时测定？…

在０．３－０．９ｍｏｌ／Ｌ硫酸介质中，在溴化十六烷基三甲铵存在下，５’－硝基水杨基荧光酮与锗和钼形成最大吸收波长分别为５１３和５３３ｎｍ的红色配合物，其吸收光谱严重重叠。基于此，本文采用双波长标准加入法对该混合物的显色体系进行了研究，建立了同时分光光度测定锗和钼的新方法，并与等吸收双波长法作了比较。     

我国第一台太赫兹光源出光

经过长达8年坚持不懈的努力，中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光（FIR-FEL）实验取得突破性进展，于2005年3月24日晚8时30分首次出光，并多次重复．中心波长115μm，谱宽1％．这标志着我国第一个可调谐相干太赫兹（THz）光源建成出光，填补了国内空白，是我国新型激光技术领域一个具有里程碑意义的重要成果．     

自由电子激光对微波源稳定性的要求

 由自由电子激光物理出发，讨论自由电子激光对射频直线加速器微波功率源稳定性的要求，并据此得出国内目前已在运行的两台自由电子激光装置实现稳定运行微波功率源稳定性需达到的指标。     

光阴极注入器超导加速腔集成实验研究

 光阴极超导加速器实验系统由四倍频Nd：YAG锁模激光器、Cs₂Te光阴极、2+1/2微波电子枪、L波段3.5MW脉冲微波源,1.3GHz单腔超导铌腔,500W连续微波源,超导腔束管耦合器,4.2K低温恒温容器,液氦制冷系统,同步控制系统,束流参数诊断,真空系统等构成。2001年6月在中物院进行了光阴极超导加速器原理性实验,测得超导加速段能量增益0.58MeV,微脉冲束流强度0.1A,取得了预期的实验结果。     

Fabricating GeO2passivation layer by N2O plasma oxidation for Ge NMOSFETs application

In this paper, oxidation of Ge surface by N2O plasma is presented and experimentally demonstrated. Results show that1.0-nm GeO2is achieved after 120-s N2O plasma oxidation at 300?C. The GeO2/Ge interface is atomically smooth. The interface state density of Ge surface after N2O plasma passivation is about ～ 3 × 1011cm-2·eV-1. With GeO2passivation,the hysteresis of metal–oxide–semiconductor(MOS) capacitor with Al2O3serving as gate dielectric is reduced to ～ 50 mV,compared with ～ 130 mV of the untreated one. The Fermi-level at GeO2/Ge interface is unpinned, and the surface potential is effectively modulated by the gate voltage.     

Low-leakage-current AIGaN/GaN HEMTs on Si substrates with partially Mg-doped GaN buffer layer by metal organic chemical vapor deposition

High-performance low-leakage-current A1GaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） on silicon （111） sub- strates grown by metal organic chemical vapor deposition （MOCVD） with a novel partially Magnesium （Mg）-doped GaN buffer scheme have been fabricated successfully. The growth and DC results were compared between Mg-doped GaN buffer layer and a unintentionally onμe. A 1μ m gate-length transistor with Mg-doped buffer layer exhibited an OFF-state drain leakage current of 8.3 × 10-8 A/mm, to our best knowledge, which is the lowest value reported for MOCVD-grown A1GaN/GaN HEMTs on Si featuring the same dimension and structure. The RF characteristics of 0.25-μ m gate length T-shaped gate HEMTs were also investigated.