首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   171篇
  免费   148篇
  国内免费   29篇
化学   43篇
晶体学   2篇
力学   6篇
综合类   6篇
数学   10篇
物理学   281篇
  2023年   2篇
  2022年   8篇
  2021年   1篇
  2020年   6篇
  2019年   5篇
  2018年   13篇
  2017年   8篇
  2016年   7篇
  2015年   19篇
  2014年   29篇
  2013年   27篇
  2012年   28篇
  2011年   26篇
  2010年   15篇
  2009年   19篇
  2008年   18篇
  2007年   12篇
  2006年   5篇
  2005年   11篇
  2004年   14篇
  2003年   10篇
  2002年   7篇
  2001年   4篇
  2000年   6篇
  1999年   2篇
  1998年   9篇
  1997年   4篇
  1996年   1篇
  1995年   9篇
  1994年   4篇
  1993年   1篇
  1991年   2篇
  1990年   3篇
  1989年   1篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1985年   2篇
  1958年   1篇
  1957年   2篇
  1956年   2篇
  1955年   3篇
排序方式: 共有348条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
黎明  曹阳  艾勇 《光子学报》2014,38(9):2325-2329
为了抑制空间光通信中大气湍流效应和降低误包率,提出了一种引入分布式多出多入技术,基于数字脉冲间隔调制的多出多入空间光通信系统.在弱湍流信道模型和APD探测器下建立了多出多入系统链路模型,推导了最大似然检测下的最佳阈值和误包率.计算结果表明:发射分集通过多路径传输平滑接收信号光强起伏|接收分集增加孔径平滑效应,减弱接收光强起伏|在发射平均功率、接收孔径总面积和背景噪音相同的条件下,数字脉冲间隔调制的不同多出多入系统存在几乎相同的最佳雪崩光电二极管增益|比较多出多入通信系统下三种调制方式,数字脉冲间隔调制的误包率较少劣于PPM调制而大大优于OOK调制.  相似文献   
52.
High-performance low-leakage-current AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) on silicon(111) substrates grown by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) with a novel partially Magnesium(Mg)-doped GaN buffer scheme have been fabricated successfully. The growth and DC results were compared between Mg-doped GaN buffer layer and a unintentionally one. A 1-μm gate-length transistor with Mg-doped buffer layer exhibited an OFF-state drain leakage current of 8.3 × 10-8A/mm, to our best knowledge, which is the lowest value reported for MOCVD-grown AlGaN/GaN HEMTs on Si featuring the same dimension and structure. The RF characteristics of 0.25-μm gate length T-shaped gate HEMTs were also investigated.  相似文献   
53.
利用磁控法直接测定了真空二极管中发射的热电子的速率分布,并证实了热电子的速率分布有别于麦克斯韦速率分布率.由于空间电荷效应的存在,在磁场较大的情况下数据与理论存在偏差.  相似文献   
54.
主要介绍自由电子激光相干强太赫兹源(FEL-THz)装置上的砷化镓光阴极直流高压注入器的研究进展,并讨论其驱动未来高重复频率短波长自由电子激光器的差距。通过综合砷化镓阴极寿命的三大影响因素,提出了其工作寿命的定性物理模型;通过该模型对阴极和注入器进行优化,在直流高压电子枪上得到了5 mA, 32 min的连续稳定输出;测量了电子束在4.8 mA下归一化发射度约为4.0 mmmrad,阴极热发射度约为0.6 mmmrad,电子束本征横向能量约为92 meV,250 keV电子束在距离阴极90.6 cm处纵向均方根长度约为11.5 ps。这一束流状态已经基本满足FEL-THz需求。  相似文献   
55.
光阴极RF腔注入器是一种强流、窄脉冲(ps量级)、低发射度的电子束源。文章给出了CAEP光阴极RF腔注入器的结构和实验结果,结构主要包括驱动激光器、Cs2Te阴极制备室、2.5个RF腔、高功率微波源和测量仪器等,其中驱动激光器的参数是影响注入器电子束质量的重要因素;实验上,该光阴极RF腔注入器可稳定输出能量2MeV、流强70A、发射度~4mm.mrad的高亮度电子束流。  相似文献   
56.
用自旋-自旋弛豫时间考察了线型聚苯乙烯溶液与溶胀交联聚丙烯酰胺-丙烯酸凝胶的质子弛豫行为。发现在溶胀交联体系中,不论交联度高低,聚丙烯酰胺-丙烯酸质子的弛豫时间弛豫都呈现出双指数衰减特征;而在线型溶液体系中,聚苯乙烯质子的弛豫时间弛豫符合单指数衰减特征。  相似文献   
57.
用质子NMR谱对交联凝胶高分子(聚丙烯酰胺-丙烯酸)网络与线型高分子(聚苯乙烯)浓溶液体系的NMR线型进行了比较研究。结果表明,两种体系中高分子链段运动具有不同的特征:在充分溶胀的交联凝胶高分子网络中,交联点间的链段运动比较自由,交联点的运动则比较慢,使其质子谱呈现“超洛伦兹”线型;而在线型高分子浓溶液中,缠结点间的链段与缠结点一样,运动并不自由,使谱线呈现出类似固体的宽线宽的高斯线型  相似文献   
58.
用自旋-晶格弛豫时间(T1)研究了溶胀的交联聚丙烯酰胺-丙烯酸网络和线型聚苯乙烯溶液中质子的弛豫行为。交联网络中,随着交联度增大,T1CH/T1CH2的值由1.17逐渐趋近于1;而线型聚苯乙烯溶液中,T1CH/T1CH2的值由最稀浓度下的1.7过渡到1。说明在交联网络中,交联度很低时,链段的运动已经相当受约束;但交联度很大时,充分溶胀的交联网络中链段运动仍有一定自由度。而在线型高分子浓溶液中,链段的运动严重受阻,导致自旋扩散效应非常完全,彻底平均掉了各质子间T1时间的差异。  相似文献   
59.
LaF_3作为离子选择性电极和对气体的敏感性质已进行了一定的研究,但其他稀土氟化物的敏感性质却未见报道。本文合成了RE_(1-x)B_xF_(3-y),研究了它们的结构、电学性质及敏感性质,得到有可能在150℃使用的固体电解质氧敏材料。 (一) RE_(1-x)B_xF_(3-y)的结构分析 结构分析表明,Ca、Ba置换RE的含量少时,如La_(0.95)Ba_(0.05)F_(3-y)、Ce_(0.95)Ca_(0.05)F_(3-y)的X射线衍射分析结果与LaF_3、CeF_3相似,说明它们是固溶体。而Ca置换RE含量较多时,如Y_(0.71)Ca_(0.29)F_(3-y)、Gd_(0.85)Ca_(0.15)F_(3-主)的X射线衍射分析结果却与相应的YF_3和GdF_3完全不  相似文献   
60.
锁频锁相的高功率微波器件技术研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
黄华  吴洋  刘振帮  袁欢  何琥  李乐乐  李正红  金晓  马弘舸 《物理学报》2018,67(8):88402-088402
综述了中国工程物理研究院应用电子学研究所锁频锁相的高功率微波器件最新研究成果,主要包括稳频稳相的相对论速调管放大器和注入锁相的相对论返波管振荡器.针对高功率长脉冲相对论速调管研究中遇到的问题,介绍了该放大器的束波互作用特点、杂频振荡抑制、脉冲缩短、高频段高功率运行、高增益等物理、设计与实验中的关键技术研究概况,使其功率、相位稳定性、增益等性能有了显著提高,S波段环形单注相对论速调管实现了高功率稳相输出,重频25 Hz运行时输出功率大于1 GW,脉宽大于150 ns、相位波动18°,高增益运行时在注入微波功率数kW条件下也实现类似功率和相位水平;采用同轴多注器件结构,突破了速调管高频段运行条件下高效率电子束引入和高功率束波转换技术等难题,使X波段相对论速调管在注入功率30 kW条件下实现了功率大于1 GW的放大输出,效率为34%,相位波动为15°.在掌握相对论返波管技术的基础上,利用返波管的高效率和结构紧凑的优点,开展了注入调制电子束锁相的相对论返波管研究,采用百kW级的种子微波实现了对GW量级输出微波的相位锁定.该研究结果对功率合成、粒子加速和多功能雷达等技术具有重要的推动作用.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号