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991.
利用亚纯函数的Nevanlinna值分布理论以及借助复微分方程的研究技巧,研究一类高阶差分方程组的亚纯解的存在问题.推广和改进了一些文献的结果. 相似文献
992.
993.
合成了2个含有吡啶基苯甲酸盐的银(Ⅰ)配合物,即[Ag2(PPh3)2(4,4-pybz)2(H2O)2]n(1) 和[Ag2(PPh3)2(4,3-pybz)2]·2CH3OH(2)(PPh3=三苯基膦,4, 4-pybz=4-吡啶-4-基-苯甲酸根, 4,3-pybz=4-吡啶-3-基-苯甲酸根),并通过红外光谱、元素分析和荧光光谱进行分析和表征,它们的结构由X射线单晶衍射测定.在不同的溶剂下,2个配合物由AgBF4、PPh3和不同的吡啶苯甲酸在氨水作用下,以1:1:1的比例反应而成.在配合物1中,所有的银原子由吡啶基苯甲酸桥连形成一维链状结构.在配合物2中,2个银原子通过2个4-吡啶-3-基-苯甲酸根配体形成双核结构.在荧光光谱中,在发射状态下所有的峰均来源于配体的π-π*跃迁. 相似文献
994.
聚酰亚胺-银的复合薄膜以其表面银层无与伦比的反射性和电导率,再加上聚酰亚胺基体本身优异的热稳定性和物理机械性能,以及其轻质和柔性的特点,在航空航天和微电子等许多领域具有广阔的应用前景,成为近年来广泛研究的多功能材料之一。本文对比了当前用于制备表面金属化的聚酰亚胺薄膜的各种方法及其优缺点,包括外部沉降法、超临界流体法、原位一步自金属化法、表面改性离子交换自金属化法和直接离子交换自金属化法,特别总结了由本课题组近年来所发展起来的表面改性离子交换自金属化法和直接离子交换自金属化法在制备高反射高导电的双面银化的聚酰亚胺薄膜方面所取得的研究进展。这两种方法均基于简单的银盐化合物前驱体即可实现双面高反射高导电的表面银化的聚酰亚胺薄膜的制备,过程简单,成本低廉。所制得的聚酰亚胺-银复合薄膜的表面反射率超过100%,表面电阻接近纯金属银的水平;复合薄膜的表面银层与聚合物基体之间有很优异的粘结性能;且很好地保持了母体聚酰亚胺薄膜优异的机械性能和热性能。其中采用直接离子交换自金属化技术,仅需将聚酰亚胺的预聚体薄膜在极稀的银盐水溶液中(0.01M银氨溶液)处理5min,然后热处理即可实现聚酰亚胺薄膜的双面金属化,是目前效率最高和银利用率最高的方法。 相似文献
995.
996.
对中学化学课程标准与化学教科书中与谷氨酸钠相关内容进行分析;依据HPS科学教育理念,介绍谷氨酸钠的发现、研究与生产的发展史,包括化学家吴蕴初对我国谷氨酸钠工业所做的贡献;揭示谷氨酸钠发展史的教育价值。 相似文献
997.
998.
在甲醇和二氯甲烷混合溶液中制备了2个二亚胺、双膦配体混配的铜(Ⅰ)配合物[Cu2(Dpq)2(dppBz)2](SCN)2·0.5Dpq·3CH3OH(1)和[Cu2(Dppz)2(dppb)2](BF4)2·2CH3OH·2H2O(2)(Dppz=二吡啶[3,2-a∶2'',3''-c]并吩嗪,Dpq=吡嗪并[2,3-f][1,10]菲咯啉,dppBz=1,2-双(二苯基磷基)苯,dppb=1,4-双(二苯膦基)丁烷),通过X射线单晶衍射确定了配合物的精确结构,并使用元素分析、核磁共振氢谱、红外光谱、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、太赫兹时域光谱(THz-TDS)对配合物进行了表征。1的晶胞中包含2个独立的金属中心,还含有0.5个未配位的Dpq分子,类似结构较为少见;而2为通过双膦配体桥联形成新颖的双核结构。通过弱相互作用力分析可知1为三维立体堆积结构,结构中含有独特的C-S…π作用;2通过C-H…π及π…π作用形成一维无限链,大量弱相互作用的存在使配合物更加稳定。发射光谱表明配合物1在578 nm处有较强的发射,而2在547 nm有绿光发射。配合物2的THz-TDS图中在1.2 THz处的尖锐峰是由C-H…F弱相互作用引起的。 相似文献
999.
采用新的化学溶液法,通过不同体积的钛酸四异丙酯的2-乙二醇单乙醚溶液与一定浓度的H2O2水溶液直接反应并对生成的钛过氧化配合物进行焙烧,制备了一系列TiO2光催化剂. 表征发现,所得TiO2样品为金红石和锐钛矿的纳米复合晶体,改变2-乙二醇单乙醚的体积可实现金红石相比例在0~96%广范围的调变.与商业二氧化钛P-25相比,所得的TiO2紫外-可见光吸收谱出现明显红移,间隙能降低, 在可见光照射下,该样品对亚甲基蓝有良好的降解活性. 当2-乙二醇单乙醚的添加量为5 ml时,所得样品体相中金红石相比例接近50%,其光催化活性和吸附性能最好,可分别是P-25的3倍和5倍. 拉曼光谱结合X射线衍射等表征结果表明,该样品的表面仅含少量的金红石相. TiO2纳米复合晶表面晶相的组成和分布对其光催化降解亚甲基蓝的活性及其吸附能力有直接的影响. 另外,TiO2纳米复合晶的缺陷浓度也是增强其光吸收能力,提高其可见光光催化活性的原因之一. 相似文献
1000.
报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650— 800℃快速热 退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在 NiSi相,而没有NiSi2生成.由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人5.9 %Mo对改善 Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用.经650—800℃快速热退火后的 Ni(Mo)Si/Si肖特基 二极管电学特性良好,势垒高度ΦB为0.64—0.66eV,理想因子接近于1,更 进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性.
关键词:
镍硅化物
快速热退火
x射线衍射分析
卢瑟福背散射 相似文献