二(μ-叠氮)二[N,N'-二(2-吡啶甲基)乙二胺]合二镍(Ⅱ)配 合物的结构与磁性

合成并通过元素分析、红外光谱、电子光谱等方法表征了叠氮桥联的双核配合物[Ni2(bispicen)2(μ-N3)2](ClO4)2[bispicen=N,N'-二(2-吡啶甲基)乙二胺].用单晶X射线衍射技术测定了配合物的晶体结构,晶体属正交晶系,P212121空间群,镍(Ⅱ)离子处于变形八面体配位环境,并采取cis-α构型,两个以μ-1,3桥联方式配位的叠氮离子之间呈罕见的交错式非平面排列。变温磁化率测定表明配合物两个镍(Ⅱ)离子之间存在反铁磁相互作用,基于H^=-2JS1^S2^的磁性分析表明磁交换积分J=-28.1cm^-1。     

水分子在不同电荷态的重离子作用下的离化作用

运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法，计算了水分子H2O在速度为12．5a0／fs的重离子C^＋和C^2＋作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率，平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化，计算结果表明，在重离子势最大时，电偶极矩的变化最大；重离子远离分子时，重离子的电荷态越高，产生高电荷态分子的几率反而越小。     

一些高碳富勒烯的光谱及HPLC特征

利用对叔本基杯「８」芳烃对烟炱中Ｃ６０的选择性配合作用 烟炱邻二氯苯（ＯＤＣＢ）提取筘的高碳成份得到富集,用高效液相色谱（ＨＰＬＣ）分离,得到Ｃ７０,Ｃ７６,Ｃ７８,Ｃ８４和五种高碳富勒烯及相应的ＵＶ－Ｖｉｓ光谱,实验中发现,ＯＤＣＢ提取物中Ｃ７８的比例与其它溶剂提取物略有差别,富勒烯的保留时间的对数与富勒烯的碳原子数之间的良好的线性关系,随着富勒烯对称性的降低,ＵＶ－Ｖｉｓ光谱吸收极值增多,谱带     

负载型纳米TiO2复合载体及其CoMo催化剂的酸性及孔特性的研究

总结了复载不同纳米尺度的复合载体及其CoMo催化剂的表面酸性及孔结构特性的表征结果。结果表明，负载型纳米TiO2与基载体γ-Al2O3存在着相互作用。当负载比较少量的纳米TiO2时，复合载体的总酸量随着TiO2含量的增加而增加，超过γ-Al2O3的酸量，但当 TiO2的含量比较高时复合载体的酸量又降低，纳米TiO2优先负载在γ-Al2O3的强酸中心位；负载了CoMo活性组分后酸量增加。不同粒径的纳米TiO2对复合载体和催化剂的酸分布没有明显影响，但对总酸量有影响。对不同尺度TiO2，随着TiO2负载量的增加以及负载金属活性组分的增加，表面积、孔容和最可几孔径均有不同程度的减少。     

丝网印刷柔性电子器件

有机电子器件的主要优势之一是溶液可处理性,这使得可以通过多种印刷方法制备有机电子器件。丝网印刷作为一种十分成熟的印刷方法,被广泛应用于微电子器件的制备。本文主要从丝网印刷的组成、影响丝网印刷精密度的因素以及丝网印刷在场效应晶体管、太阳能电池、有机发光二极管等柔性电子器件制备中的应用分别作以介绍,并对目前丝网印刷在印刷柔性电子器件中存在的困难和挑战作以总结。     

模式识别和红外光谱法相结合鉴别中药材产地

用红外光谱法取得来自不同产地的中药材的中红外光谱,结合模式识别的方法实现中药产地的快速鉴别。采用了近邻法和多类支持向量机方法对采集自4个不同产地的269个白芷样本和6个不同产地的380个丹参样本进行了产地鉴别,得到的交叉验证准确率达99%,为中药材产地的自动鉴别探索了一条有效的途径。     

废水生物脱氮工艺中N2O排放数学模型研究进展

N_2O是一种重要的温室气体,而污水生物脱氮处理过程是N_2O的潜在产生源之一。随着污水处理量和处理程度的不断提高,N_2O的排放量也将不断增大。建立N_2O排放数学模型对污水生物脱氮系统中N_2O生成机制的深入研究和污水处理行业N_2O削减工艺技术的开发具有重大的理论及实践意义。本文归纳了生物脱氮工艺的原理,系统阐述了生物脱氮工艺中N_2O的生成机理和排放数学模型的类型、建立方法及应用情况。在此基础上,对生物脱氮工艺中N_2O排放数学模型的研究现状和研究方向进行了总结和展望,以期为N_2O排放数学模型的完善、N_2O排放量的削减、污水生物脱氮工艺的优化及污水处理行业的可持续发展提供理论基础和科学依据。     

硫对F—T合成反应的影响

本文综述了硫对Co、Ni、Fe、Mo催化剂F—T合成反应性能的影响。不同硫中毒方式对催化剂性能影响结果有所不同。催化剂中少量硫的引入对催化剂活性影响较小,而对某些催化剂其活性甚至增加。但当催化剂中硫含量超过某一值时,催化剂的活性明显降低。不同催化剂的抗硫能力与其组成、还原方式及反应条件等多种因素有关。     

应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法, 通过求解泊松方程, 建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 模型同时研究了短沟道, 窄沟道, 非均匀掺杂, 漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响. 采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数, 通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析, 验证了本文提出的模型的正确性. 该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考. 关键词： 应变Si NMOSFET 阈值电压 集约物理模型     

高中物理探究教学模式实践的探析

创新乃时代发展之必需,在教学过程中如何运用初中物理的优势培养学生的创新意识成为教师的伟大历史使命,本文旨在探索初中物理中学生创新意识的培养.