静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟

针对特征尺寸为1.5 μm的国产静态随机存储器（SRAM）,构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子翻转截面曲线.单粒子翻转的数值模拟结果与重离子微束、重离子宽束实验结果比较一致,表明所建立的三维器件模型可以用来研究SRAM器件的单粒子翻转效应. 关键词： 三维数值模拟 单粒子翻转 微束 宽束     

金属壳体和电缆的系统电磁脉冲响应

 研究了金属壳体和电缆遇到高空核爆炸产生的脉冲X射线辐射时的系统电磁脉冲响应，讨论了系统电磁脉冲产生机理、幅值和对系统的耦合途径。通过对计算和试验数据的分析，获得了金属壳体模型和单电缆及双电缆的系统电磁脉冲响应数据，简要分析了壳体的系统电磁脉冲损伤薄弱环节。     

屏蔽电缆对脉冲X射线响应的数值计算

 结合蒙特卡洛方法和时域有限差分(FDTD)方法，计算了电缆受脉冲X射线辐照时介质层内的运流电流密度，并以此为麦克斯韦方程的源，计算得到了电缆两端接匹配负载时的芯线响应电流。该方法综合考虑了电缆芯线、介质层和屏蔽层的沉积电荷对芯线响应电流的影响。计算结果表明：芯线响应电流大小与电缆受辐照长度成正比，电流由辐照中心向两边流走；源区越靠近中心位置，电流幅度越小，源的中心位置处，电流为零，源区存在静电场；源区外，电流大小相等，方向相反。最后，利用有限差分法计算得到的电场强度反推出了芯线电荷数，与蒙特卡洛方法计算的结果相比，FDTD方法计算的要低20%，该误差可能由将3维问题近似为1维问题所引起。     

铁电存储器~(60)Co γ射线及电子总剂量效应研究

以型号为FM28 V100的铁电存储器为研究对象,进行了~(60)Co γ射线和2 Me V电子辐照实验.研究了铁电存储器不同工作方式、不同辐射源下的总剂量辐射损伤规律,用J-750测试部分直流参数和交流参数,分析了存储器敏感参数的变化规律.实验结果表明:对动态、静态加电、静态不加电三种工作方式下的结果进行比较.其中静态加电工作方式下产生的陷阱电荷最多,是存储器最恶劣的工作方式;器件的一些电参数随总剂量发生变化,在功能失效之前部分参数已经失效;在静态加电这种最恶劣的工作方式下,得到~(60)Co γ射线比电子造成更加严重的辐照损伤.     

微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟

 用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算。该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上，增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底（准中性区）电场的效应,这些效应对于高阻材料是不容忽视的。该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段。     

60Co gamma radiation effect on AlGaN/AlN/GaN HEMT devices

The testing techniques and experimental methods of the ⁶⁰Co gamma irradiation effect on AlGaN/AlN/ GaN high electron mobility transistors （HEMTs） are established. The degradation of the electrical properties of the device under the actual radiation environment are analyzed theoretically, and studies of the total dose effects of gamma radiation on AlGaN/AlN/GaN HEMTs at three different radiation bias conditions are carried out. The degradation patterns of the main parameters of the AlGaN/AlN/GaN HEMTs at different doses are then investigated, and the device parameters that were sensitive to the gamma radiation induced damage and the total dose level induced device damage are obtained.     

锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟

对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGe HBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064 nm的激光在能量约为1.5 nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。     

Scaling effects of single-event gate rupture in thin oxides

The dynamics of the excess carriers generated by incident heavy ions are considered in both SiO2 and Si substrate. Influences of the initial radius of the charge track, surface potential decrease, external electric field, and the LET value of the incident ion on internal electric field buildup are analyzed separately. Considering the mechanisms of recombination, impact ionization, and bandgap tunneling, models are verified by using published experimental data. Moreover, the scaling effects of single-event gate rupture in thin gate oxides are studied, with the feature size of the MOS device down to 90 nm. The walue of the total electric field decreases rapidly along with the decrease of oxide thickness in the first period （1 2 nm to 3.3 nm）, and then increases a little when the gate oxide becomes thinner and thinner （3.3 nm to 1.8 nm）.     

不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究

针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响.分析比较不同偏置下重离子入射器件后,各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系,获得SiGe HBT单粒子效应与偏置的响应关系.结果表明:不同端口对单粒子效应响应的最劣偏置不同,同一端口电荷收集量和瞬变电流峰值的最劣偏置也有所差异.载流子输运方式变化和外加电场影响是造成这种现象的主要原因.