活性艳红K-2G与环糊精相互作用的极谱伏安法研究

研究了单偶氮染料活性艳红K-2G的极谱伏安行为。实验表明：在底液为0．1mol／L的NaGl溶液中活性艳红K-2G有一稳定的、灵敏的还原峰,峰电位约为-0．78mV（vs．SEE）。用线性扫描二阶导数极谱法研究了活性艳红K-2G与不同环糊精的相互作用。采用“电流法”测定了包结常数,比较了不同类型环糊精的包结能力,初探了包结点的可能位置,并对其进行了理论分析。     

酸性橙Ⅱ与牛血清白蛋白相互作用的电化学研究

以电化学法和光度法对酸性橙Ⅱ(AOⅡ)与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用进行了研究。在pH 7.20的Tris-HCl缓冲溶液中,AOⅡ有一灵敏的还原峰,峰电位Ep约为-0.69 V(vs.SCE),加入BSA后AOⅡ还原峰电位正移,峰电流下降,据此建立了一种测定BSA的电分析方法。在优化条件下,峰电流下降值与BSA的浓度在5.0×10-8~1.0×10-5mol/L(r=0.9900~0.9939)范围内呈良好的线性关系,检出限为3.0×10-8mol/L。测定了AOⅡ与BSA的结合比和结合常数,并对结合反应机理进行了初步的探讨。     

meso-四(4-甲氧基-3磺酸基苯)卟啉与环糊精超分子体系的研究

采用极谱法、紫外可见光谱法及荧光光谱法研究了水溶性卟啉T(4-Mop)PS4与α-CD、-βCD、γ-CD、Hp-β-CD及SBE--βCD 5种环糊精的相互作用,结果表明T(4-Mop)PS4分别与这5种环糊精形成了T(4-Mop)PS4-CD s超分子体系。此外,本研究还采用极谱法、紫外可见光谱法及荧光光谱法测定了T(4-Mop)PS4-CD s超分子体系的包结常数和包结比,比较了T(4-Mop)PS4与5种环糊精的包结能力,并由此推测了包结机理,为T(4-Mop)PS4卟啉、环糊精的进一步应用提供了理论信息。     

靶向分子羧甲基多糖与DNA作用机理研究

以溴化乙锭(EB)为荧光探针,结合紫外光谱法研究了壳聚糖、羧甲基壳聚糖、羧甲基纤维素与DNA的相互作用,药物分子与DNA作用程度可用作用常数D来表示,实验表明: 几种生物多糖与DNA分子的作用强弱顺序为: 壳聚糖＞羧甲基壳聚糖＞羧甲基纤维素;多糖主要以嵌插方式与DNA作用, 使EB-DNA荧光猝灭。     

塞曼效应仿真实验平台

塞曼效应实验是学生了解原子具有磁矩和空间取向量子化现象的重要实验,至今塞曼效应仍是研究能级结构的重要方法之一.为了能够让学生更加清楚地了解塞曼效应实验的基本原理和操作规程,针对教学中的重点和难点,运用flash软件制作出塞曼效应仿真实验.该程序可全程高度仿真实验过程,具有界面友好、易于操作、无需安装等优点.为实验教学提供了一种新的辅助方式.     

线扫描激光雷达光路的光机热集成优化设计北大核心CSCD

发射透镜直接准直半导体激光光源方案能够使线扫描激光雷达结构更紧凑、成本更低,但是由于高功率半导体激光光源发热严重会导致光学元件热变形,从而导致探测器接收到的光功率急剧降低而不可探测。提出了一种30m探测距离的线扫描激光雷达光路的光机热集成优化设计方法。以预设工作温度40℃至80℃的中间温度60℃为初始条件,基于Zemax软件优化设计了发射透镜与接收透镜的光路系统,使工作温度为60℃时的光路系统光学性能最佳;使用有限元方法分析该光路与相应的机械结构随温度变化时光学元件热形变的情况,通过添加SiO2气凝胶作为隔热材料进行光路系统的机械结构优化。优化结果表明,采用光机热集成优化设计方法后,优化后的光路与机械结构在工作温度40℃至80℃范围内探测器接收到的光功率始终在10^-4w量级,相比仅仅使用Zemax软件优化设计发射透镜与接收透镜方法(探测器接收到的光功率10^-6~10^-4w)有了显著的提升。     

?4模型真空态间的转换算符

本工作在正则量子化的基础上,对$\phi^4$模型的哈密顿量采取正规序来正规化真空零点能,然后微扰计算了至次领头阶的真空态修正。同时首次得到可以在$\phi^4$模型的两个真空态之间转换的算符,我们相信这个算符也是适当极限条件下产生$\phi^4$扭结(kink)的算符的形式。最后简要说明了真空能的应用。     

In-situ SiN combined with etch-stop barrier structure for high-frequency AlGaN/GaN HEMT

The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz.     

Ni[S2 P(OCH2 CH2 Ph)2]2·2Py的制备及结构表征

O,O’-二烃基二硫代磷酸根及其过渡金属配合物能阻止烃类自动氧化,广泛地用作润滑油的抗氧剂、燃油的添加剂、高分子材料的稳定剂和人造橡胶的硫化促进剂;在生物学上具有杀虫、抗菌、抗癌和抑制酶水解等特性[1-3]。[(RO)2PS2]nM用作润滑油抗氧剂时,为了有效地缩减氧化作用,一般     

剪切历史对尼龙熔体结晶行为的影响

采用差示扫描量热法研究了原始聚酰胺材料在经历不同的预剪切过程或应用不同设备进行剪切后其结晶行为的变化,结果表明,原始样品经过预剪切后,结晶温度升高5～10℃,半结晶时间降低到原始样品的一半.当聚酰胺材料经历很低的剪切时其结晶温度就有很大的提高,进一步提高剪切强度,结晶温度的增加趋势变缓.偏光显微镜观察表明有剪切历史的样品,球晶尺寸减小.作为对此,聚烯烃和聚酯材料的结晶对剪切历史不敏感,剪切与非剪切样品的结晶行为基本相同,据此推测聚酰胺分子间氢键可能是这种剪切记忆效应产生的原因.