电子-声子相互作用对柱形量子线中光学克尔效应的影响

本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应, 重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔效应比未考虑电子-声子相互作用时的大20%多;量子线半径R0越小,峰越尖锐,峰值越强;当量子线半径R0大〖WTBZ〗于40 nm时,峰会逐渐消失.     

磁场中耦合量子线的三阶非线性光学吸收率

本文研究了磁场中耦合量子线的三阶非线性光学吸收率,并且利用密度矩阵算符理论导出了三阶非线性光学吸收率的解析表达式.最后,以GaAs/Al_xGa_1-xAs耦合量子线为例作了数值计算,并绘出了三阶非线性光学吸收率与磁场B,光子能量h-ω以及间隔D之间的依赖关系.     

Morse势阱中的光检波效应

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法，得到Morse势阱中的光检波系数的解析表达式。并以典型的GaAs/AlGaAs莫尔斯量子阱为例进行数值计算。研究结果表明，较大的光检波系数与系统的非对称性有关，系统的非对称性越大，光检波系数越大。     

Electron-Phonon Interactions on the Optical Kerr Effect in a Quantum Disc

The optical Kerr effect in a quantum disc is investigated with the density-matrix approach, most emphasis is devoted to the electron-phonon interactions on the optical Kerr effect. The numerical results are presented with characteristic parameters of a GaAs quantum disc. It is shown that the optical Kerr effect increases as the disc thickness D decreases. LO-phonons impose greater influence on the optical Kerr effect than SO-phonons. The smaller the disc thickness D, the sharper the peak, and the larger the peak intensity. When the disc thickness is greater than 30, the peak will disappear gradually.     

加偏置电场的抛物量子阱中的电光效应

本文利用密度矩阵方法得到了加偏置电场的抛物量子阱中电光效应的解析表达式,并以典型的GaAs抛物量子阱为例进行了数值计算研究结果表明,电光效应随偏置电场和抛物势频率的增大而增强,同时也表明GaAs量子阱中的电光效应比体GaAs中的要强一个数量级以上。