扩展HK网络结构与同步能力的研究

研究两种高聚类系数无标度网络演化机理对网络同步能力的影响．首先,以Holme和Kim（HK）模型为基础,提出了度分布和聚类系数均可调的扩展HK模型（EHK模型）．扩展HK模型将HK模型中的三角结构扩展到了旧节点之间,解决了HK模型边的演化只存在新旧节点之间以及每个时间步加入网络节点的边数固定的不足．其次,研究了三角结构演化机理对网络同步能力的影响．最后,仿真研究发现三角结构的演化机理降低了两类无权网络的同步能力．     

Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响

应用多光子非线性Compton散射模型和有限时域差分法,对Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响进行了理论分析和数值模拟。结果表明,与Compton散射前的情况相比,Compton散射使低温低频处光子禁带中存在缺陷模的明显度降低,缺陷模频率增大,缺陷模和透射率峰值减小;使高温高频处缺陷模和透射率峰值、缺陷模频率显著增大,禁带宽减小,缺陷模位置向高频方向移动。随着电子密度的增大,散射减小了禁带增大效应和缺陷模减小效应,增强了缺陷模频率增大效应;随着电子密度的降低,散射增强了禁带变窄效应、缺陷模峰值增大效应和缺陷模频率减小效应。利用Compton散射,可实现对缺陷模密温特性的有效控制。     

SiN掺杂提高BaMgAl10O17:Eu2+荧光粉光学性能的第一性原理研究

使用基于密度泛函理论的CASTEP软件计算了BAM:Eu²⁺(BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺)荧光粉在SiN掺杂前后的能带、态密度、吸收光谱和Mulliken布居．Eu²⁺处于BR位置光吸收更强;SiN掺杂使处于BR位置的Eu²⁺的数量上升,而处于mO位置的Eu²⁺的数量下降,抵消了SiN掺杂降低Eu的态密度对光谱的影响．所以适量掺杂的SiN提高了BAM:Eu²⁺荧光粉的吸收发射光谱强度．Si-N键和Eu-N键的Mulliken布居数分别高于Al-O键和Eu-O键, 说明Si-N键和Eu-N键的共价性分别强于Al-O键和Eu-O键．发光中心Eu²⁺局域结构共价性的增强降低了BAM:Eu²⁺镜面层的活性,这是SiN掺杂提高BAM:Eu²⁺+荧光粉光学稳定性的主要原因．     

粉花绣线菊复合群的化学与生物学

本文综述了我国特有的粉花绣线菊复合群7个变种化学与生物学研究,以新生物碱的发现为起点,从二萜与二萜生物碱化学结构、化学转化、化学合成、仿生合成与生源途径、植物化学分类与生物地理、生物活性等方面阐明了相关的科学问题,从宏观、微观层次形成了较系统的学术观点。     

Compton散射下等离子体中电子相轨道的演化

用KMR模型研究了等离子体中多光子非线性Compton散射下电子相轨道的演化,发现电子与光子进行能量交换后,只有未被俘获电子的相轨道才能从周期性向非周期性、随机型演化,其演化剧烈程度随电子吸收光子数的增大而加剧,随电子与光子碰撞非弹性成分和碰撞前初始速度的增大而迅速减弱,但低于强激光场中的剧烈程度。当电子被光场俘获时,这种演化过程结束并做稳定的运动,光子不再为电子提供能量。     

锂电池阴极材料Li(Co_xAl_(1-x))O_2的溶胶-凝胶法合成及表征

采用溶胶 -凝胶方法合成了锂二次电池阴极材料 Li( Cox Al1 - x) O2 ,并采用 XRD方法分析了材料的相变过程、烧结时间对材料合成的影响及不同 Al/Co比掺杂对材料相变的影响 ,并进行了结构表征 .研究表明 ,材料结构随 Al固溶度的增大及温度的升高呈现出 a轴缩短 ,c轴伸长的趋势 .材料晶相稳定温度在60 0～ 90 0℃之间 ,烧结时间在 3 h以上     

秩函数与K0群的状态空间

给出了局部秩与稳定自由秩的表达式,得到了一类VN正则环的元素特征.利用K₀群的状态空间,给出了K0R有关性态的本质刻画.     

Pressure effect on the electron mobility in AlAs/GaAs quantum wells

By taking the influence of optical phonon modes into account, this paper adopts the dielectric continuum phonon model and force balance equation to investigate the electronic mobility parallel to the interfaces for AlAs/GaAs semiconductor quantum wells (QWs) under hydrostatic pressure. The scattering from confined phonon modes, interface phonon modes and half-space phonon modes are analysed and the dominant scattering mechanisms in wide and narrow QWs are presented. The temperature dependence of the electronic mobility is also studied in the temperature range of optical phonon scattering being available. It is shown that the electronic mobility reduces obviously as pressure increases from 0 to 4GPa, the confined longitudinal optical (LO) phonon modes play an important role in wide QWs, whereas the interface optical phonon modes are dominant in narrow QWs, the half-space LO phonon modes hardly influence the electronic mobility expect for very narrow QWs.     

(Na1/2Bi1/2)Cu3Ti4O12陶瓷的微观结构和电学性质

利用固相反应法在不同烧结温度条件下制备了一系列(Na_1/2Bi_1/2)Cu₃Ti₄O₁₂(NBCTO)陶瓷样品,研究了它们的晶体结构、微观组织结构、介电性质和复阻抗及其随温度的变化. 实验发现NBCTO陶瓷所呈现出的电学性质与CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷相应的电学性质非常类似. 烧结温度为990℃至1060℃范围的NBCTO陶瓷样品室 关键词： 高介电材料 介电性质 复阻抗 内阻挡层电容     

傅立叶变换激光腔内吸收光谱方法研究吸收谱线的强度与线形

在原有傅立叶变换激光腔内吸收光谱实验装置的基础上,利用信号差分方法减少了光强波动对实验干涉谱图的影响,改善了信噪比.通过对大气中氧气在760nm处的吸收谱线的绝对强度测量,验证了该方法的定量测量能力.在不同压力条件下对磷烷v=6伸缩局域模泛频吸收谱带进行了测量,获得了其谱线的自压力加宽和自压力线移参数.