NiFe/FeMn双层膜的交换耦合

采用平面霍尔效应测量方法，对NiFe/FeMn双层膜的交换耦合进行了研究. 结果表明，在NiFe/FeMn体系中不存在spin-flop模型给出的单轴各向异性场. 而导致交换耦合场可逆与不可逆测量结果之间较大差异的原因是反铁磁颗粒的不稳定性或铁磁层的分畴现象. 关键词： 反铁磁/铁磁双层膜 交换偏置场 可逆与不可逆测量     

Co-Pt-C颗粒膜的磁性

利用磁控溅射方法制备多层膜后，再经热处理得到Co-Pt-C颗粒膜.热处理使Co-Pt颗粒从非晶相转向fcc CoPt3和fct CoPt稳定有序相，C则保持非晶态.Pt成分占Co，Pt总体积的70%时，膜的矫顽力Hc可超过400?kA/m.C插层厚度为0.2—0.6nm时，Hc最大，且在磁滞回线上出现“肩膀”.分析认为这是由于存在两个磁性不同的Co-Pt晶相，受C成分比的影响，使它们之间的耦合性质和强度不同造成的. 关键词： Co Pt C 磁滞回线 颗粒膜     

纳米结构SmCo/FeCo多层薄膜的磁性

研究了用磁控溅射方法制备的纳米结构Sm₂₂Co₇₈单层膜、Sm₂₂Co₇₈/Fe₆₅Co₃₅双层膜及Sm₂₂Co₇₈/Fe₆₅Co₃₅/Sm₂₂Co₇₈三层膜的磁性,特别是双层膜及三层膜系统中的Fe₆₅Co₃₅软磁层厚度d对薄膜剩磁比(M_r/M_s)和矫顽力(H_c)的影响.所有样品的磁滞回线测量表明,该系列薄膜的易磁化轴在膜面内.磁滞回线的单一硬磁相特征,说明SmCo硬磁层与FeCo软磁层之间的交换相互作用使两相很好地复合在一起.在双层膜和三层膜中,M_r/M_s随软磁层厚度d的增加单调上升,而矫顽力随d的变化出现一峰值.通过研究ΔM随磁场H的变化,发现随着软、硬磁相界面数的增加,ΔM曲线的正峰数量逐渐减少;负峰数量逐渐增强,负峰的半高宽逐渐减少. 关键词：     

二次谐波产生过程中准相位匹配条件的研究

从耦合波基本方程出发,在实空间严格推导出二次谐波产生(SHG)过程中的准相位匹配(QPM)条件.讨论了满足QPM条件时,SHG的转换效率以及相位失配角随波传播距离的变化.着重研究了非线性极化率的周期性调制对提高SHG转换效率的贡献.     

一部美国现行物理教材的分析

在新课程体系中，国家课程标准的制定和课程目标的确立是我国新世纪基础教育课程改革系统工程的重要“枢纽”，体现了新课程所倡导的基本理念，为新课程的实施、管理和评价提供了指针．因此，物理课程标准随着新一轮基础教育改革的开展有了崭新的课程基本理念．它在课程目标上注重提高全体学生的科学素养；在课程结构上重视基础，     

Pt1-xCux/Co多层膜的结构和磁性

系统地研究了Pt_1-xCu_x/Co多层膜的结构与磁性.除了特定的x=0.10—0.15区间外，在Cu浓度区间x=0.04—0.30内，随着中介Pt层内Cu浓度的增加，导致各向异性K_u和剩余磁化强度M_r⊥的单调下降.这可能是由于Cu原子在Pt层中的无序造成的，使Pt的晶面场对称性发生局域畸变，从而引起上述参数的下降.在特定区域内，可能是形成了PtCu合金的有序相，此时晶场对Co原子的作用就像只有Pt原子一样.这是Cu掺入 关键词：     

Eu掺杂TbMnO3多晶材料的介电性质

采用固相反应法制备了Tb_0.8Eu_0.2MnO₃多晶材料.对样品的X射线衍射（XRD）分析表明Eu³⁺固溶于TbMnO₃中.测量了样品在低温(100 K ≤T≤ 300 K)和低频下(200 Hz≤f≤100 kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰（T≈170 K）起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰（T≈290 K）则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下（T≈230 K）存在明显的导电机制转变. 关键词： 多铁性材料 掺杂 介电性质     

TbDyFe薄膜对三明治膜巨磁阻抗效应的影响

将600℃退火后的超磁致伸缩材料(Tb0.27Dy_0.73)_0.3Fe_0.7薄膜作为Ni_80.2Fe_14.1Si_0.2Mn_0.4Mo_5.1三明治膜的基底，制备出四层膜.结果表明：附加的磁致伸缩并没有减小材料的巨磁阻抗(GMI)效应，而由于磁场下磁致伸缩材料的应力效应影响了三明治膜中的各向异性场，使三明治膜的GMI效应增大了4倍.再将制备态的四层膜在280℃下真空退火，退火态四层膜也增大了三明治膜的GMI效应，但可能由于磁致伸缩向磁性层中的扩散，其GMI效应相对于制备态四层膜则有所降低. 关键词： 巨磁阻抗(GMI)效应 三明治膜 TbDyFe薄膜 各向异性场     

Pt/Co/Pt/Ni多层膜的磁光特性

用磁控溅射法制备了Pt/Co/Pt/Ni系列样品,其中Ni层具有不同的厚度.通过测量样品的Kerr转角、椭偏率、折射率和吸收率,推算出了四个等效电导张量元σ_1xx,σ_2xx,σ_1xy,σ_2xy随Ni层厚度的变化情况.再结合电导张量元与Kerr角的理论公式,分析了在Ni层厚度的变化过程中,每一个电导张量元对Kerr角的贡献;发现在短波段σ_2xy起主导作用,而在长波段四个电导张量元共同起作用.经分析认为这是由于在Ni层的增厚过程中,Pt 5d带劈裂程度逐渐减小.与纯Pt/Co膜相比,在Ni层的厚度为0.10—0.23nm的范围内样品具有较低的居里温度和较高的Kerr角,这说明Pt/Co/Pt/Ni多层膜具有较高的应用价值. 关键词：     

物理学习的影响因素分析

物理学习不仅是一个认识过程，还是一项复杂的心理活动，交织着情感过程、意义过程和个性特征等．物理学习受多种因素的影响，有来自家庭、教师、教材等外部因素，还有来自学生本身的内部因素（如心理因素）．心理因素按是否直接参与物理认知活动可以分为智力因素（认知因素）和非智力因素（非认知因素）．前者直接参与认知活动对物理学习起直接作用，影响着物理知识与技能的掌握，它包括物理认知结构，学生现有的思维水平、学习能力等诸因素.