Double-wave description of mesoscopic resistance-inductance-capacitance coupled circuit with power source

Quantum fluctuations in the mesoscopic capacitance-inductance-resistance coupled circuit with a power source are investigated using canonical transformation and a double wavefunction. We confirm that the fluctuations are not influenced by the power source. As a new method, the double wavefunction describes a single system of the coupled circuit, whereas the single wavefunction describes a quantum ensemble.     

酸洗对RDF热解动力学影响及半焦表面结构变化

以5W／％稀HCl溶液对各类城市生活垃圾衍生燃料（RDF）及其组分进行处理,考察在不同温度下快速热解生成半焦的动力学参数变化,并对半焦的比表面积和孔体积的变化和分形维数进行分析研究,试验结果发现酸洗后RDF热解速率提高,活化能降低,酸洗后半焦的比表面积和孔体积均有所减少,并随热解温度先升高而后下降,在450度附近出现极大值,对半焦的分形维数分析表明,酸洗后表面变得光滑,形成欧氏平面。     

萃取体系第三相的生成、微观结构与应用研究--三相萃取体系研究进展

液＝液萃取体系中第三相的生成将干扰取操作的顺利进行,多年来人们对第三相的研究多限于第三相的生成与防止。本文阐述了在萃取体系中第三相的形成,结构及应用方面的近期研究成果,特别是基于对第三相成因及组成,结构的进一步认识,导致人为的制备中相,并对其应用进行深入的研究。     

HCFC-R22的等效stockmayer势能模型及汽液平衡分子模拟

采用等效Stockmayer势能模型得到R22的势能参数,并应用Gibbs系综模拟汽液平衡予以考察。模拟中,采用了Metropolis抽样及周期边界条件。模拟结果表明饱和液体密度精度较高,且饱和蒸汽的密度及蒸汽压的结果也十分令人满意,说明等效Stockmayer势能模型方法的可靠性和可行性。     

电场对量子阱中激子能级宽度的影响

本文把固体中较大窨范围运动的粒子作为准经典粒子来描述。将已导出的能量测不准公式和激子的经典力学模型应用到电场下GaAs/GaAlAs量子阱中,激子能级宽度的计算结果与测量结果基本吻合,能较清楚、简单地解释纵向电场和横向电场下激子光吸收线宽的很大的差异。     

ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究

运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54;;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si ,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12;.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用.     

高压合成立方氮化硼用的新触媒材料的研究

 本文研究了合成立方氮化硼用新触媒材料Mg₃B₂N₄及Ca₃B₂N₄的制备方法，并对它们的稳定性及其催化作用进行了讨论。氮化硼原料的结晶状态及合成温度、合成时间、气流量等对新触媒的合成有着重要的影响。本文还在高温高压下利用新触媒进行了立方氮化硼的合成实验，结果表明，与碱土金属触媒相比新触媒具有合成压力低、转化率高、合成温度和压力范围宽、产物杂志含量低、破碎强度高等优点，是一种应用前景很大的触媒材料。     

Effect of the stoichiometry on the electronic structure of the Ni（111）/α-Al2O3（0001） interface： a first-principles investigation

In this paper first-principles calculations of Ni（111）/α-Al2O3（0001） interfaces have been performed, and are compared with the preceding results of the Cu （111）/α-Al2O3（0001） interface [2004 Phil. Mag. Left. 84 425]. The AI- terminated and O-terminated interfaces have quite different adhesion mechanisms, which are similar to the Cu（111）/α Al2O3（0001） interface. For the O-terminated interface, the adhesion is caused by the strong O-2p/Ni-3d orbital hybridization and ionic interactions. On the other hand, the adhesion nature of the Al-terminated interface is the image-like electrostatic and Ni-Al hybridization interactions, the latter is substantial and cannot be neglected. Charge transfer occurs from Al2O3 to Ni, which is opposite to that in the O=terminated interface. The charge transfer direction for the Al-terminated and O-terminated Ni（111）/α-A1203（0001） interfaces is similar to that in the corresponding Cu（111）/α- Al2O3（0001） interface, but there exist the larger charge transfer quantity and consequent stronger adhesion nature, respectively.     

稀土焦绿石化合物R2Fe4/3W2/3O7的高温高压稳定性研究和X射线相分析

 本文利用X射线粉末衍射和位敏探测技术，研究了R₂Fe_4/3W_2/3O₇（R=Er、Yb、Dy）化合物经高温高压处理后的变化情况。在3.7 GPa，1 200 ℃条件下，六方相R₂Fe_4/3W_2/3O₇化合物按两种方式分解，而直接由R₂O₃，Fe₂O₃和WO₃原料出发，经上述同样的高温高压条件合成所得的产物与六方相高温高压分解产物相同，均为R₂WO₆、RFeO₃、WO₃和Fe₂O₃的多相聚合物。同时给出了R₂Fe_4/3W_2/3O₇六方相高温高压下的稳定区范围。     

多晶Sr2Fe1－xAlxMoO6的晶粒内低场磁电阻效应

用传统的固相反应法合成了Fe位掺杂Al的双钙钛矿型氧化物Sr2Fe1-xAlxMoO6 (x=00，005，010，015，03)多晶材料. x射线衍射和扫描电子显微分析显示，在Fe位掺杂Al既没有引入杂相，也没有明显改变Sr2FeMoO6多晶材料的晶粒尺寸和晶界状态. 非磁性Al离子的掺杂使晶粒内部磁有序区细化成更小的区域，同时使反铁磁区内的磁耦合作用变弱. 这一方面提高了亚铁磁区磁化方向的磁场灵敏度；另一方面也降低了反铁磁区对自旋相关电子的散射；两方面的共同作用使Sr2FeMoO6的低场磁电阻效应明显增强，但这种尺寸效应也使材料的磁电阻在高温下下降得更快. 关键词： 低场磁电阻 掺杂 自旋极化电子