稀磁半导体的研究进展

本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。     

温度对Al0.5Ga0.5As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响

采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了－10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明：随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出：该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.     

石墨炉原子化器中氧在原子化过程的作用

石墨炉中氧的来源石墨炉中氧分压一直认为是决定于下列反应。2C(s)+O_2→2CO (1) 按照这个假定,除了最稳定的金属氧化物(B,La,Ta,Th,U,Zr)之外,一般认为在高温石墨炉中氧化物解离是完全的,同时自由氧分压是很低的。例如,假定CO分压为100Pa,那么在1400—2500°K范围Po_2将为3×10~(-19)—2×10~(-15)Pa。近年来,许多实验资料表明,石墨炉中自由氧分压的实际值大于按反应(1)计算的数值。这说明基于反应(1)估计Po_2是不够全面的。对基于反应(1)获得的有关元素的原子化机理,值得重新考虑。     

Rh2（CO）4（μ—Cl）2 和Rh4（μ—CO）3（CO）9的简正振动分析

金属簇合物因其独特的结构和成键而引人注目，鉴于文献上对铑簇合物的结构、成键、反应和催化性能存在的不同看法，本文的两个铑簇合物的简正振动分析以及另文的铑系簇合物的电子结构计算和催化性能研究，为进一步认识上述问题提供了有意义的结果。     

关于酚酞变色机理的量子化学探讨

采用量子化学B3LYP/6-31G＊方法,对酚酞在不同酸度条件下的构型进行了计算,对分子轨道构成和能量进行了分析,从理论上说明了酚酞溶液的变色机理。     

微小形变电测法的教学内容设计和优化研究

微小形变电测法是大学物理实验中一个非常有特色的综合性创新实验。通过电阻应变片将悬臂梁的微小形变转变为电阻的变化，从而实现微小形变的电测量。结合实验中所蕴涵的国家重大需求及工程问题，以中国航空大型飞机和航母特种钢的设计与研制为例，融入课程思政内容，激发学生的学习热情和爱国热情，使学生综合素质得到全面发展，同时对大学物理实验的教学和研究也具有一定的指导意义和实践价值。     

N 元指数和对数平均的凸性及几何凸性

讨论了n 元指数平均和对数平均的凸性、S - 凸性、几何凸性及S - 几何凸性, 证明了:(1) n 元指数平均是S - 凹的和S - 几何凸的; (2) n 元第一对数平均是S - 凹的; (3) n 元第二对数平均是凹的和几何凸的. 最后提出了二个悬而未决的问题.     

Effect of Annealing on Structural and Magnetic Properties of a Thick （Ga,Mn）As Layer

We investigate effects of annealing on magnetic properties of a thick (Ga,Mn)As layer, and find a dramatic increase of the Curie temperature from 65 to 115K by postgrowth annealing for a 500-nm (Ga,Mn)As layer.Auger electron spectroscopy measurements suggest that the increase of the Curie temperature is mainly due to diffusion of Mn interstitial to the free surface. The double-crystal x-ray diffraction patterns show that the lattice constant of (Ga,Mn)As decreases with increasing annealing temperature. As a result, the annealing induced reduction of the lattice constant is mainly attributed to removal of Mn interstitial.