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901.
不同热处理的GeTe薄膜的光学参数测量 总被引:2,自引:0,他引:2
运用一种新的测量单面镀膜膜层光学参数的方法,对不同热处理的GeTe半导体薄膜样品的光学参数进行了测量,准确地获得了被测薄膜材料的光学参数,并采用椭圆偏振光谱测量作比较研究。经此为基础,对用椭偏仪测得的数据进行拟合计算,得出了样品材料在250~830nm波段范围的复折射曲线。 相似文献
902.
903.
By conjecturing the physics at the Planck scale, we modify the definition of the Hawking temperature and modify the Friedmann equation. It is found that we can avoid the singularity of the big crunch and obtain a bouncing cosmological model. 相似文献
904.
905.
906.
[主持人按错误是一种可以利用的教学资源,它有着正面教育所不可替代的功用.有些错误的经历则会在学生心中产生巨大的冲击波:既使学生知识中的缺陷一下子暴露无遗,又让学生经过了这样的错误的洗礼,他的思维也会在瞬间得到升华.所以,教师对课堂上学生发生的某些错误,常常要考虑如何利用它来教育好学生自己的问题. 相似文献
907.
908.
采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2 atm% In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,并且为p型导电,电阻率最低为0.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火,对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析.
关键词:
氧化锌薄膜
p型掺杂
离子束增强沉积 相似文献
909.
在物理学中,为了便于进行理论研究,除了建立“理想模型”外,还常常设计“理想实验”,为了顺利完成物理教学,也常常应用“理想实验”. 相似文献
910.
氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),在位地研究了生长时材料薄膜的表面形貌。通过调节ZnMgO材料镁的组份,生长了禁带宽度可调的宽禁带材料。用紫外-可见透射光谱研究了ZnO,Zn0.89Mg0.11O和Zn0.80Mg0.20O薄膜材料的透射和吸收光谱性质,观察到Zn0.89Mg0.11O,Zn0.80Mg0.20O材料的吸收边的蓝移现象等。以上说明了我们用分子束外延生长 收稿日期:2003 07 22·09· 第1期StructuralandOpticalCharacterizationofZnOandZnMgOFilmsona-planesapphiresbyMolecularBeamEpitaxy2004年设备成功的生长了高质量的氧化锌和组份渐变的ZnMgO薄膜材料。 相似文献