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1.
2.
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。  相似文献   
3.
Zhongqi Sun 《中国物理 B》2021,30(11):110303-110303
Reference-frame-independent quantum key distribution (RFI-QKD) can allow a quantum key distribution system to obtain the ideal key rate and transmission distance without reference system calibration, which has attracted much attention. Here, we propose an RFI-QKD protocol based on wavelength division multiplexing (WDM) considering finite-key analysis and crosstalk. The finite-key bound for RFI-QKD with decoy states is derived under the crosstalk of WDM. The resulting secret key rate of RFI-QKD, which is more rigorous, is obtained. Simulation results reveal that the secret key rate of RFI-QKD based on WDM is affected by the multiplexing channel number, as well as crosstalk between adjacent channels.  相似文献   
4.
By tactically integrating two different kinds of proton donors and acceptors into one supramolecular tecton, a new crystalline hydrogen-bonded organic framework(HOF-SXU-1) has been developed. HOF-SXU-1 features a remarkable proton conductivity as high as 6.32 mS cm-1 and an extremely low activation energy of 0.16 eV at 160℃ under anhydrous N2 conditions.By contrast, under identical conditions, the organic precursors of HOF-SXU-1 only exhibit negligible proton conduction per...  相似文献   
5.
Jie Dou  Qi Chen 《中国化学》2021,(2):367-380
To date,ternary metal oxide semiconductor materials have attracted extensive attention worldwide due to their unique optoelectronic properties.As a classical ternary oxide,Zn2SnO4 is featured with the high electron mobility,wide band gap,negligible visible light absorption and tailorable electronic band structures.Thus,it is an ideal material for practical use in solar cells,lithium batteries,sensors,and photo-catalysts.In this review,we summarize the recent research progress of this material with the focus on the synthesis methods,nanostructures,and the resulting effects on the crystal structure,optical properties,and photoelectrochemical properties.Moreover,their potential applications in different devices are highlighted and carefully discussed.  相似文献   
6.
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。  相似文献   
7.
谢自力  张荣  傅德颐  刘斌  修向前  华雪梅  赵红  陈鹏  韩平  施毅  郑有炓 《中国物理 B》2011,20(11):116801-116801
Wide spectral white light emitting diodes have been designed and grown on a sapphire substrate by using a metal-organic chemical vapor deposition system. Three quantum wells with blue-light-emitting, green-light-emitting and red-light-emitting structures were grown according to the design. The surface morphology of the film was observed by using atomic force microscopy. The films were characterized by their photoluminescence measurements. X-ray diffraction θ/2θ scan spectroscopy was carried out on the multi-quantum wells. The secondary fringes of the symmetric ω/2θ X-ray diffraction scan peaks indicate that the thicknesses and the alloy compositions of the individual quantum wells are repeatable throughout the active region. The room temperature photoluminescence spectra of the structures indicate that the white light emission of the multi-quantum wells is obtained. The light spectrum covers 400-700 nm, which is almost the whole visible light spectrum.  相似文献   
8.
张韵  谢自力  王健  陶涛  张荣  刘斌  陈鹏  韩平  施毅  郑有炓 《物理学报》2013,62(5):56101-056101
利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)对MOCVD系统中生长在c面Al2O3上的不 同厚度的GaN薄膜内马赛克结构进行了研究. 在对称面的三轴X射线衍射曲线中, 用两种方法计算得到晶粒的垂直关联长度和水平关联长度, 两者均随着薄膜厚度的增加而增加, 并且垂直关联长度近似膜厚从倒易空间图中得出的横向关联长度也有相同的趋势, 结合非对称面的衍射曲线用Williamson-Hall方法和外推法分 别拟合出晶粒的面外倾斜角和面内扭转角, 他们随着薄膜厚度的增加显著减少, 这一切都表明厚度的增加, 晶粒的单向有序排列越来越整齐, 外延片的质量越来越高. 关键词: GaN薄膜马赛克结构 厚度 HRXRD  相似文献   
9.
张阳  顾书林  叶建东  黄时敏  顾然  陈斌  朱顺明  郑有炓 《物理学报》2013,62(15):150202-150202
论文根据ZnMgO/ZnO异质结构二维电子气的能带结构及相关理论模型, 采用一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解, 模拟计算了ZnMgO/ZnO异质结构中二维电子气的分布及其对ZnMgO势垒层厚度及Mg组分的依赖关系. 研究发现该异质结构中ZnMgO势垒层厚度存在一最小临界值: 当垒层厚度小于该临界值时, 二维电子气消失, 当垒层厚度大于该临界值时, 其二维电子气密度随着该垒层厚度的增加而增大; 同时研究发现ZnMgO势垒层中Mg组分的增加将显著增强其二维电子气的行为, 导致二维电子气密度的明显增大; 论文对模拟计算获得的结果与相关文献报道的实验结果进行了比较, 并从极化效应和能带结构的角度进行了分析和讨论, 给出了合理的解释. 关键词: 氧化锌 二维电子气 异质结构 理论计算  相似文献   
10.
X Dou  BM Phillips  PY Chung  P Jiang 《Optics letters》2012,37(17):3681-3683
We report a systematic, experimental, and theoretical investigation on the surface plasmon resonance (SPR) sensing using optical disks with different track pitches, including Blu-ray disk (BD), digital versatile disk (DVD), and compact disk (CD). Optical reflection measurements indicate that CD and DVD exhibit much higher SPR sensitivity than BD. Both experiments and finite-difference time-domain simulations reveal that the SPR sensitivity is significantly affected by the diffraction order of the SPR peaks and higher diffraction order results in lower sensitivity. Numerical simulations also show that very high sensitivity (~1600 nm per refractive index unit) is achievable by CDs.  相似文献   
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