常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

以去离子水(H₂O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga₂O₃薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga₂O₃外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga₂O₃(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga₂O₃外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.     

光子回声量子存储器中非均匀展宽频谱对存储效率的影响

本文提出了一个利用光子回声技术探究非均匀展宽频谱线形(如高斯、洛伦兹分布)对存储效率影响的简捷方法。我们发现当信号光脉冲的持续时间与介质频谱线宽的乘积远大于1时,可将分布函数的傅里叶变换近似成狄拉克函数,使得研究非均匀展宽频谱对存储效率的影响变得非常容易;通过计算发现不同线形分布达到最佳存储效率的光学深度有所不同,频谱线形趋于均匀时达到最优存储效率的存储介质光学深度最小。该研究对实验上实现最优化光量子态存储具有指导意义。     

ZnO/A1lN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究

用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜.引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配.薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及AlN(000l)的衍射峰.ZnO/AlN/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195 nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460"和1105";干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20 cm-1;3 μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5 nm激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h.低温10 K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线.所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入AlN为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量.     

290 AMeV 12C诱发乳胶核反应末态粒子多重数关联

对290 AMeV 12C诱发乳胶核反应末态粒子间的多重数关联进行了研究。实验结果表明:黑径迹粒子、灰径迹粒子、重电离粒子多重数之间存在较强的关联,而且黑径迹粒子和重电离粒子多重数有饱和的趋势,这些特征与高能区实验结果一致;簇射粒子与其他粒子间的关联性较弱,这一特征与高能区实验结果不同,主要归因于弹核能量较低、簇射粒子产额较小;黑径迹粒子、灰径迹粒子在前后半球的平均多重数随靶核的增大而增加;实验结果可用基于碰撞几何的旁观体-反应体模型及级联蒸发模型来解释。We have investigated the multiplicity correlation of particles produced in 12C-emulsion interactions at 290 AMeV. It is found that there is a strong correlation between black track particle, grey track particle and heavily ionized track particle, and finally black track particles and heavily ionized track particles tend to saturation, which is the same as the experimental results observed at high energies. The multiplicity correlation between shower particle and other particles is weaker, which is different from the experimental results observed at high energies. This discriminating character can be explained by the lower energy of projectile. The productivity of shower particle is lower at intermediate energies compared to that at high energies. The forward-backward averaged multiplicity of black track particle and grey track particle increases with the increasing target size.     

A Perfect Graphene Absorber with Waveguide Coupled High-Contrast Gratings

To achieve the enhancement and manipulation of light absorption in graphene within the visible and near infrared regions, a design consists of high-contrast gratings and two evanescently coupled slabs with graphene monolayer is demonstrated. The operation principle and design process of the proposed structure are analyzed using the coupled mode theory, which is confirmed by the rigorous coupled wave analysis. It is proved that the absorptance of graphene monolayer can be greatly enhanced to unity. The thickness of grating and slab layers can significantly change the line width and resonant mode position in the absorption spectra. Furthermore, high tunability in amplitude and bandwidth of the absorption spectra can be achieved by controlling the structural parameters of the hybrid structure. The proposed devices could be efficiently exploited as tunable and selective absorbers, and could be allowed to realize other two-dimensional materials-based selective photo-detectors.     

利用变压器的等效电阻探讨两道高考题

针对两道引发争议的高考题及参考答案, 利用理想变压器的等效电阻公式对有关远距离输电功率的疑 难问题进行分析, 从多角度探究了远距离输电中发电机输出电功率的特性, 消除了某些认知误区     

大液体量空分流程分析

针对有大液体量要求的冶金型空分装置,介绍了四种流程组织形式。通过模拟计算和分析比较,从设备投资、运行能耗、变负荷调节性、操作稳定性等方面,总结了不同流程型式的特点及适应性。针对不同的液体产品比例要求,推荐选择不同的流程形式,达到流程优化、节能降耗的目的。     

利用瞬态过程规律探究线圈的疑难问题

利用瞬态过程满足的微分方程及其通解的表达式, 对电感线圈的通电自感现象和两种断电自感现象进 行定量分析, 探讨了有关自感现象的几个疑难问题     

间接驱动冷冻双壳层点火靶的设计和分析

双壳层靶中,由于燃料被高Z壳层包裹,其点火方式要求燃料整体点火,不同于单壳层中心热斑点火。结合点火条件和对于其中物理过程的认识,设计了间接驱动的冷冻双壳层点火靶。利用冷冻的氘氚(DT)燃料,可适当提高双壳层靶的燃料装量,获得和NIF装置条件下中心热斑点火靶相当的放能。间接驱动下,X射线烧蚀并驱动外壳层碰撞内壳层,把能量传递给内壳层,进而压缩和点燃冷冻的DT燃料。壳层碰撞过程是能量传递的关键,通过调整内外壳层的质量比,提高了碰撞效率,相应地降低了靶丸点火的能量需求。一维数值模拟分析了该点火靶的内爆过程及定性分析了其中的流体力学不稳定性。同时,也指出了泡沫中形成的辐射冲击波对内壳层的预热效应,即辐射冲击波的致稳效应,能够很好地抑制内壳层外界面处的不稳定性发展,进而会减弱高Z内壳层和燃料的混合。     

量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究

采用APSYS软件研究了InGaN/GaN量子阱垒层掺杂变化对双波长 发光二极管发光光谱的调控问题. 在不同掺杂类型和浓度下对器件电子空穴浓度分布、 载流子复合速率、 能带结构、 发光光谱进行分析, 结果表明, 调节量子阱垒层n型和p型的掺杂浓度可以精确而有效地根据需要调控发光光谱, 解决发光光谱调控难的问题. 这些现象归因于掺杂的量子阱垒层对电子空穴分布的调控作用.