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31.
中国武汉上空钠层的首次激光雷达观测 总被引：1，自引：0，他引：1
介绍中国科学院武汉物理研究所最近研制成功的钠层共振荧光激光雷达,并利用此雷达在武汉地区对钠层进行观测与研究的初步结果。 相似文献
33.
"追捧效应"、"市场锁定"一直是电信产业技术选择的奇特现象,突发性的变化后是持续性的稳定,电信技术市场突发性的变革令传统经济分析难以找到解释的途径.系统理论的最新研究成果同时表明,以均衡分析研究经济是不足以反映客观现实的.电信技术的迅猛发展,动态化特征加剧,更使均衡分析没有用武之地.以系统论的观点分析电信产业技术的市场化突变是本文的主要内容.通过建构电信技术选择管制的突变模型,得出电信技术选择突变产生的系统条件. 相似文献
34.
甲醛是一种危害人们身体健康的化学物质.生活中甲醛污染无处不在,室内装饰的各种人造板材、贴墙布、贴墙纸、化纤地毯、泡沫塑料、油漆和涂料等均含有甲醛,并会逐渐向周围环境释放;使用了树脂整理剂或涂层的织物面料、服装也含有甲醛成分,直接接触人体损害人们的健康. 相似文献
35.
本文从统计光学的角度对相移全息干涉计量原理进行了详细的分析,指明由于变形过程中面内位移引起的散斑消相关效应的存在,使相位测量产生随机误差,误差的大小由面内位移量的大小决定,且这种误差不随相移计量过程中采样次数的增加而减小。提出了几种提高相位测量精度的有效方法,给出了相应的实验结果。 相似文献
36.
This paper reports that the intrinsic microcrystalline silicon ($mu$c-Si:H) films are prepared with plasma enhanced chemical vapourdeposition from silane/hydrogen mixtures at 200du with the aim toincrease the deposition rate. An increase of the deposition rate to0.88,nm/s is obtained by using a plasma excitation frequency of75,MHz. This increase is obtained by the combination of a higherdeposition pressure, an increased silane concentration, and higherdischarge powers. In addition, the transient behaviour, which candecrease the film crystallinity, could be prevented by filling thebackground gas with Hchemical vapour deposition,plasma deposition, solar cells, crystallinity Program supported by the State KeyDevelopment Program for Basic Research of China (Grant No2006CB202601), and Basic Research Project of Henan Province in China(Grant No 072300410140). 7280N, 7830G, 8115H This paper reports that the intrinsic microcrystalline silicon ($mu$c-Si:H) films are prepared with plasma enhanced chemical vapourdeposition from silane/hydrogen mixtures at 200du with the aim toincrease the deposition rate. An increase of the deposition rate to0.88,nm/s is obtained by using a plasma excitation frequency of75,MHz. This increase is obtained by the combination of a higherdeposition pressure, an increased silane concentration, and higherdischarge powers. In addition, the transient behaviour, which candecrease the film crystallinity, could be prevented by filling thebackground gas with Hchemical vapour deposition,plasma deposition, solar cells, crystallinity Program supported by the State KeyDevelopment Program for Basic Research of China (Grant No2006CB202601), and Basic Research Project of Henan Province in China(Grant No 072300410140). 7280N, 7830G, 8115H This paper reports that the intrinsic microcrystalline silicon ($mu$c-Si:H) films are prepared with plasma enhanced chemical vapourdeposition from silane/hydrogen mixtures at 200du with the aim toincrease the deposition rate. An increase of the deposition rate to0.88,nm/s is obtained by using a plasma excitation frequency of75,MHz. This increase is obtained by the combination of a higherdeposition pressure, an increased silane concentration, and higherdischarge powers. In addition, the transient behaviour, which candecrease the film crystallinity, could be prevented by filling thebackground gas with Hchemical vapour deposition,plasma deposition, solar cells, crystallinity Program supported by the State KeyDevelopment Program for Basic Research of China (Grant No2006CB202601), and Basic Research Project of Henan Province in China(Grant No 072300410140). 7280N, 7830G, 8115H This paper reports that the intrinsic microcrystalline silicon ($mu$c-Si:H) films are prepared with plasma enhanced chemical vapourdeposition from silane/hydrogen mixtures at 200du with the aim toincrease the deposition rate. An increase of the deposition rate to0.88,nm/s is obtained by using a plasma excitation frequency of75,MHz. This increase is obtained by the combination of a higherdeposition pressure, an increased silane concentration, and higherdischarge powers. In addition, the transient behaviour, which candecrease the film crystallinity, could be prevented by filling thebackground gas with Hchemical vapour deposition,plasma deposition, solar cells, crystallinity Program supported by the State KeyDevelopment Program for Basic Research of China (Grant No2006CB202601), and Basic Research Project of Henan Province in China(Grant No 072300410140). 7280N, 7830G, 8115H This paper reports that the intrinsic microcrystalline silicon ($mu$c-Si:H) films are prepared with plasma enhanced chemical vapourdeposition from silane/hydrogen mixtures at 200du with the aim toincrease the deposition rate. An increase of the deposition rate to0.88,nm/s is obtained by using a plasma excitation frequency of75,MHz. This increase is obtained by the combination of a higherdeposition pressure, an increased silane concentration, and higherdischarge powers. In addition, the transient behaviour, which candecrease the film crystallinity, could be prevented by filling thebackground gas with H$_{2}$ prior to plasma ignition, and selectingproper discharging time after silane flow injection. Materialprepared under these conditions at a deposition rate of 0.78,nm/smaintains higher crystallinity and fine electronic properties. ByH-plasma treatment before i-layer deposition, single junction $mu$c-Si:H solar cells with 5.5{%} efficiency are fabricated. 相似文献
37.
高重复频率激光脉冲作用下KTP晶体中的灰迹 总被引：1，自引：1，他引：0
采用波长为1 064 nm/532 nm、脉宽6 ns(FWHM)的高重复频率调Q激光,研究了磷酸氧钛钾(KTP)晶体中灰迹的产生机理,以及色心密度对灰迹的影响。晶体透过率表征了色心密度,根据透过率与色心密度的关系以及色心密度对灰迹产生的决定作用,定义临界灰迹密度,当晶体透过率高于此值时可安全运行,而低于此值时,为避免晶体发生灾难性损伤应立即停止运行。实验结果表明:灰迹不仅大量吸收紫外及可见光能量,而且大量吸收近红外波段能量,这为灰迹的在线监测提供了一种监测方法。 相似文献
38.
采用波长为1 064 nm/532 nm、脉宽6 ns(FWHM)的高重复频率调Q激光,研究了磷酸氧钛钾(KTP)晶体中灰迹的产生机理,以及色心密度对灰迹的影响。晶体透过率表征了色心密度,根据透过率与色心密度的关系以及色心密度对灰迹产生的决定作用,定义临界灰迹密度,当晶体透过率高于此值时可安全运行,而低于此值时,为避免晶体发生灾难性损伤应立即停止运行。实验结果表明：灰迹不仅大量吸收紫外及可见光能量,而且大量吸收近红外波段能量,这为灰迹的在线监测提供了一种监测方法。 相似文献
39.
算力是数字经济时代新的生产力。量子计算基于量子力学的规律进行计算,人们普遍相信它可以在不久的将来在某些问题上完成经典计算机所无法完成的计算任务,实现量子优越性。作为最有可能实现通用量子计算的平台之一,以约瑟夫森结为核心元件的超导量子比特,在量子控制和量子测量方面具有稳定、可靠、便于设计和扩展等独特的优势,受到科学界甚至产业界的广泛关注,正在高速发展。文章围绕约瑟夫森结这一具有非线性和无耗散特征的超导量子器件,阐述了超导量子比特的基本原理及结构特征,重点介绍超导量子芯片设计、加工方面的前沿进展,并对未来发展方向进行简单的展望。 相似文献
40.
提出了一种可用于研究压剪复合加载下, 材料动态力学性能的实验装置, 该装置基于Hopkinson压杆, 通过添加一个带倾斜端面的垫块, 实现压剪复合加载.分析了该实验装置的基本数据处理方法, 并利用有限元分析验证了此分析方法的可行性;然后利用该装置对常规金属材料进行了相同冲击速度, 不同倾斜角度(0$^circ$,30$^circ$, 45$^circ$)下的一系列实验. 实验结果表明, 该装置能实现压剪复合加载, 并且能得到材料的动态屈服面, 为研究材料在复杂应力状态下的动态力学性能提供了新的实验方法. 相似文献