量子限制效应对δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主态寿命的影响

采用远红外时间分辨光谱,研究了量子限制效应对δ掺杂在GaAs/AlAs多量子阱中铍（Be）受主态寿命的影响.在低温下的远红外吸收谱中,清楚地观察到了三条主要吸收线,它们分别来源于铍受主从基态到它的三个奇宇称激发态的跃迁.实验结果表明：随着量子限制效应的增强,受主激发态寿命而减少,实验测得体材料中Be受主2p激发态的寿命是350 ps,而阱宽10 nm的多量子阱中的寿命是55 ps.量子限制效应对布里渊区折叠声学声子模的影响增强了受主带内空穴与声学声子相互作用,从而加快了受主带内空穴的弛豫过程. 关键词： 量子限制效应 受主态寿命 时间分辨光谱 δ掺杂')" href="#">δ掺杂     

Co/Cu92Mn8/Co结构中的低场巨磁电阻研究

对三明治结构的Co/Cu/Co和Co/Cu₉₂Mn₈/Co系列的巨磁电阻效应进行了研究,发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡,但是接近反相.作为与Co/Cu/Co系统的比较,发现若在Cu基中稀释Mn原子,巨磁电阻随外磁场变化的曲线会有非常大的改变,同时饱和场或开关场也有较大的下降,这意味着有可能为Co/Cu金属多层膜的巨磁电阻的实用化研究开辟出一条新的思路. 关键词：     

量子限制受主远红外电致发光器件的制备与测量

采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5 K时器件的电致发光谱（EL）和电传输特性（I-V曲线）.在EL发射谱中清楚地观察到222 cm^-1处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中072和186 V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s_3/2(Γ₆+Γ₇)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2p_5/2(Γ₆+Γ₇)能级的共振隧穿. 关键词： 量子限制效应 电致发光 共振隧穿效应 δ-掺杂GaAs/AlAs三量子阱     

量子限制受主的光致发光研究

对一系列δ掺杂浅受主铍（Be）原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光（PL）研究.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的均匀掺杂Be受主的GaAs外延单层样品和一系列GaAs/AlAs多量子阱样品,并在每量子阱中央进行了Be原子的δ掺杂,量子阱宽度为30 到200 ?.在4.2 K温度下测量了上述系列样品的光致发光谱,清楚地观察到了束缚激子的受主从基态1s_3/2（Γ₆）到第一激发态 关键词： 量子限制受主 光致发光 多量子阱 δ掺杂     

Cox-Ag1-x纳米颗粒膜的磁光Kerr效应

通过离子束溅射制备了Co_x-Ag_1-x纳米颗粒膜系列样品 ,并分别在 1 0 0 ,2 5 0 ,40 0 ,5 0 0℃下进行了退火 .利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量 .结果发现 :对Co含量较低的样品 ,随着退火温度的升高 ,磁光Kerr效应增强 ,并且在Ag的等离子振荡边附近出现了强的共振峰 ;峰的位置发生红移 .通过数据计算分析 ,这种共振磁光Kerr效应的增强是由于Ag陡峭的等离子振荡边作用结果 .     

Excitonic transitions in Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum well

A series of GaAs/AlAs multiple-quantum wells doped with Be is grown by molecular beam epitaxy. The photoluminescence spectra are measured at 4, 20, 40, 80, 120, and 200 K, respectively. The recombination transition emission of heavy-hole and light-hole free excitons is clearly observed and the transition energies are measured with different quantum well widths. In addition, a theoretical model of excitonic states in the quantum wells is used, in which the symmetry of the component of the exciton wave function representing the relative motion is allowed to vary between the two- and threedimensional limits. Then, within the effective mass and envelope function approximation, the recombination transition energies of the heavy- and light-hole excitons in GaAs/AlAs multiple-quantum wells are calculated each as a function of quantum well width by the shooting method and variational principle with two variational parameters. The results show that the excitons are neither 2D nor 3D like, but are in between in character and that the theoretical calculation is in good agreement with the experimental results.     

分子束外延生长Fe/Fe50Mn50双层膜的交换偏置

利用表面磁光克尔效应和铁磁共振对分子束外延生长的Fe/Fe₅₀Mn₅₀双层膜的交换偏置场和矫顽力进行了研究,实验结果表明,当反铁磁层厚度小于55nm时 ,不出现交换偏置,而当大于这一厚度时,出现交换偏置;大约在7nm时,达到极大值.随着 反铁磁层厚度的继续增大,偏置场和矫顽力随Fe₅₀Mn₅₀膜厚的增大 而下降.铁磁共振实验结果表明样品的磁性存在单向各向异性.并对上述结果进行了讨论. 关键词： 分子束外延 50Mn₅₀')" href="#">Fe/Fe₅₀Mn₅₀ 双层膜 交换偏置     

GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光

从实验和理论上,研究了量子限制效应对GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度为3~20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4,20,40,80,120K不同温度下,分别对上述样品进行了光致发光谱测量,观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能。理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现,理论计算和实验结果符合地较好。